DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

发布时间：2019-02-27 00:00
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来源：集微网
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这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。

 

根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。

 

由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。

 

目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。

 

另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。

 

之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。

 

DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

 

同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。

 

之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。

 

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　　日韩突发贸易战，引得存储器价格狂涨，普通消费者叫苦不迭。这背后，究竟隐藏着怎样的阴谋阳谋?潮流向左，DIY 向右。在这个电子产品日新月异的时代，总有些极客玩家喜欢特立独行，自己摆弄些 DIY 产品。DIY 全称 Do it Yourself ，中文翻译过来即是“自己动手做”。一般而言，DIY 党乐于发挥自己的聪明才智，发动主观能动性改造、组装机械和电子产品。在 PC 市场上，DIY 一定程度上代表了攒机。　　所谓攒机，指的是组装电脑。之所以选择组装机，主要是因为组装机配置灵活、性价比高，能满足消费者的个性化需求，而价格却是同等配置品牌机的一半甚至更低。追求画面的就选好显卡，爱玩游戏就买强处理器，炫酷机箱、个性键盘随意挑选……攒机爱好者可以根据需求折腾出花样繁多的攒机配置。　　有人说，时下的组装电脑已成为无人问津的小众爱好。究其原因，电脑一体机、笔记本电脑渐趋流行，使用大体积、不便携的台式机的用户减少;其次，在电脑品牌化过程中，品牌机在功能和外观领域做优做强，相同配置下，品牌机与组装机的价差越来越小，与其费心费力攒机，还不如直接买一台品牌台式电脑。　　确实，随着品牌台式机日渐成熟，方便快捷的笔记本电脑和智能手机，足以满足大部分用户工作娱乐需求，攒机正成为少数 DIY 爱好者的个性选择。不过近些年来，内存价格始终萦绕在攒机党心中，成为 DIY 装机者的最大噩梦。　　内存涨跌“波浪线”　　众所周知，科技界有个著名的摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换句话说，相同性能的数码硬件，每隔 18-24 个月就会便宜许多。然而，内存芯片类产品并非如此，受到市场影响，内存价格始终上下波动。　　内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。一直以来，攒机界最关心的都是 CPU 与 GPU ，这些运行处理硬件决定了组装机性能的上限。而如何将这些性能完美的发挥出来，存储芯片提供的读取速度能力就将是重要影响因素之一。存储芯片整个市场中 DRAM 产品占比约 53%，NAND Flash 产品占比约 42% ，Nor Flash 占比仅有 3% 左右。　　纵观过去几年时间“存储器”市场的行情，你会发现“存储器”的涨跌规律像一条波浪线循环着：2012 年前后白菜价、2013 年大涨价、2014 年有所回落、2015 年接近低谷、2016 年中旬开始持续上扬、2017 年 、2018 年到达顶点、2019 年有所回落。到今年 4 月份，“存储器”的价格相比去年年末已经下跌 30% 以上了， DRAM 产品的价格甚至创下三年多以来的新低。　　导致年初内存跌价的原因有很多，内存产量增大、大数据中心需求降低都是原因之一。按照内存涨跌“波浪线”的规律，每当内存开始跌价，内存工厂总会有意外事件发生。2013 年，“海力士半导体”无锡工厂发生火灾，大火产生的浓烟数十公里外可见。因火灾导致DRAM价格走升、也就造就了 2013 年内存价格的大涨。　　2016 年，内存价格再次萎靡不振。三星、美光、SK 海力士、东芝等厂商同时开始技术升级，内存转向 20nm 以下制程、闪存也从 2D 闪存转向 3D 闪存，并不断提升堆栈层数。升级过程中，产能大幅下降，一定程度上催生了连续三年的内存大涨价。　　意外不断，噩梦再临　　今年上半年，内存价格大幅滑落。按以往惯例，内存厂家又开始秀操作。6 月 15 日，日本四日市工厂的意外停电，影响西部数据和东芝存储器公司 NAND 闪存制造厂的生产运营，预计此事件将导致 NAND 闪存晶圆供应量减少六百万 TB 。　　与此同时，三星也在酝酿减产。不过令所有人没想到的是，在三星正式减产之前，一件预料之外的事情发生了。7 月初，由于政治纠纷，日本政府开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料。　　日本政府制裁对三星 NAND 闪存生产造生了巨大影响，目前已缩减 NAND Flash 投片，减产幅度逾二成。内存业者分析，三星占全球 NAND 市场 30% 份额，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少 6% 到 8% 供应量，加上东芝 NAND 工厂上月受意外停电影响，产能影响 3% 供应量，合计本月起，全球 NAND 产出将减少近一成。于是，内存涨价便顺理成章。　　7 月初以来，DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 颗粒现货价格一直在涨。内存业者透露，此次日韩贸易战，将造成强大的 NAND 抢货潮，带动价格进一步反弹。若日韩贸易谈判再僵持，下个季度 DRAM 合约价也将止跌反弹，出现 NAND 与 DRAM 两大内存“双涨”效应。一时间， DIY 装机者的最大噩梦再度降临。　　谁将受益?　　存储器涨价，利益受损的肯定是包括 DIY 装机者在内的广大消费者。那么，谁又会成为最后的赢家呢?据证券时报报道，三星现已率先对工厂顾客涨价，涨价涉及的品类为 DDR3、EMMC 和 Nand Flash。特别是三星 8GB、16GB EMMC 最近价格涨幅较大，均在 10% 左右。短期来看，明明是日本制裁韩国，反倒让被制裁的三星成为了最大受益者。　　当然，三星的现状是暂时的。据悉，三星的原料备货仅够一两个月使用。三星电子副会长李在镕在日本启动对韩出口限制措施后，第一时间赴日寻求原料供应。据韩国报道：“李在镕这次访日并未解决任何关于材料供应的问题。三星电子的相关部门确实通过集思广益、到处打听，得到了一些供货，可以解决眼下之急，但目前还不足以完全安心”。　　目前，全球 75% 的 DRAM 产能和 45% 的 NAND 产能都来自于韩国公司三星和 SK 海力士。很多人认为，一旦韩系厂商内存供应出问题，那么大家的订单将会转向非韩系厂商，促成另外的厂商业绩大增，同时营收大涨。现在，除三星、SK 海力士外，最大的内存厂商就是美光了，一旦日韩贸易战拖延过久，美光势必会成为最大的受益者。　　无论是阴谋还是阳谋，存储器产品价格上涨的趋势已然形成。DIY 玩家心中就是再难受，也不得不接受。毕竟，内存产业还是卖家市场，市场上的风吹草动都能成为内存厂家涨价的理由，普通消费者完全没有话语权。
2019-07-30 00:00 阅读量：1383
三季度内存营收排行榜:产业高点已过,供过于求将持续至2019年底
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三季度内存营收排行榜:产业高点已过,供过于求将持续至2019年底

根据CINNO Research对内存供应商及其上下游供应链调查显示，这波历时最久，从2016年第二季开始以来DRAM供不应求、价格上涨的产业大多头荣景，确定要画下句号。虽然第三季财务报告中，三星、海力士和美光这三大DRAM巨头的平均销售单价季增幅度维持在-1%至1%左右，出货量也约较第二季成长10%，使得第三季DRAM产值还能较第二季再成长将近9%，但成长幅度已是近八个季度以来的第二个低点，也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的单季DRAM产值成长幅度分别为17%与18%)。从竞争态势来看，排名并没有出现较大的变动，前五名的业者囊括了将近99%的市场份额，其中三星较为积极的价格策略和产品组合调整使其市占率小幅增加至45%外，其他厂商几乎维持相同的市场份额，而利润上来看，三星、海力士与美光的内存产品毛利率依旧维持在接近70%的水平，可谓持续赚的盆满钵满，也累积了后续面对即将到来的坏日子的充足粮食。未来内存环境的考验将在DRAM与NAND Flash两种主要产品的供需当中找寻平衡点，也因此我们认为同时拥有DRAM与NAND甚至可以扩展至NOR Flash以及其他新应用内存产品的厂商将有更多的战略纵身来面对未来的挑战。展望后市，内存从第四季正式宣告进入供过于求的空头循环，虽然内存厂商对于明年的资本支出以及扩产计划因总体经济的影响开始出现下修或是递延的保守态势，但在过去这一两年半导体热潮所带动厂商重复下单(Over-Booking)的现象过于严重，以致于从今年第二季后半导体业库存调整的情况开始发酵，也影响到了内存产业；而自第三季起中美贸易战影响终端需求有更为严峻的考验下，内存的需求成长出现了停滞，因此短期内受到英特尔CPU缺货影响个人计算机在农历年前的销售固然是要素之一。但长期而言，智能型手机与PC的成长开始趋缓甚至停滞，以及过去服务器数据中心高度强劲成长的态势不在才是影响长期DRAM需求趋缓的最主要原因，而讨论热度很高的自动驾驶汽车、AI人工智能和物联网虽然看起来成长潜力高，但在未来三年内的内存消耗量对于市场的影响性依然偏低，这也是是我们认为内存产业在经过过去两年的荣景之后，未来两年内恐将面临由外部环境所带动一系列冲击内存厂商运营的考验开始。而考虑到供给与需求的影响，我们认为明年整体DRAM平均销售单价年跌幅可能超过25%以上。
2018-11-12 00:00 阅读量：1614
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