三星平泽厂将扩产DRAM 存储市场由涨转跌?
据韩媒ETnews报道，三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资，将主要用于生产DRAM，目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段，并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。
三星平泽工厂是一栋两层建筑，一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片，二楼的投资规模将大于一楼。三星平泽厂一楼之所以比二楼的生产能力小，是因为它的一些空间被用于办公室和自助餐厅。
二楼分为西区和东区，各自保证每个月10万片wafer产能。二楼第一阶段投资是西区，二期投资为东区。三星预计西区将按照每月7万片3D NAND和3万片DRAM的产能比例来配置生产设备，东区则按照每月10万片DRAM产能来配置生产设备。
三星的平泽厂是自2015年破土动工，现已开始在平泽厂采用最先进的64层3D NAND技术生产NAND Flash，也曾在7月份称计划在2021年之前，总共投资30兆韩元（约合276亿美元），用于平泽厂扩大生产制造能力。
三星平泽厂将成为韩国最大的单一工厂，若三星全面实现生产，将让存储市场供应过剩成为现实，价格行情也将由涨转跌。
三星工厂相关人员表示：“我们已经拿到了预期的订单，预计未来订单会源源不断地到来。”尽管三星电子还没有订购生产DRAM所需设备，但是很可能很快将采取行动。
不过，三星的某位代表也表示：“投资的速度也很重要。设备行业预测，2018年年底或2019年上半年半导体设备的投资将达到20万台。存储产品的价格的走向将取决于三星的投资速度。如果三星根据市场需求调整投资速度，预计对存储市场不会产生太大的影响。”
报道称，三星的西安厂可能也会投资增产（应为NAND Flash），料于2018年底或2019年启动。
此外，ETNews也曾在11月初时报道，三星电子正在改装韩国华城工厂16号线，希望能进一步扩大DRAM的生产，同时三星在韩国平泽的生产线也将打造新产品线。
当时报道指出，三星计划在明年下半年之后，华城工厂将全力进入DRAM的生产，今年第三季全球DRAM产能为每月110万组，如果三星的这两条生产线全力生产，那将会提升DRAM的供给20%。
而就在上周，韩媒Digital Times报导，三星电子即将在华城厂区17产线附近的停车场空地增建1条新的EUV专用产线，最快2017年12月就会动工，预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产DRAM，开业界先河。
由此看来，三星可能希望在产能和技术上均领先竞争对手，以期进一步争夺市场份额。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
