内存厂垄断先进工艺赚大钱,电子整机厂将深受其害

发布时间:2017-09-07 00:00
作者:Ameya360
来源:Sang-Yun Lee
阅读量:522

根据市场分析师表示,动态随机存取内存(DRAM)和NAND的价格正居高不下,而且预计还会更进一步攀升。许多人认为目前的内存市场情况只是暂时的供需不均衡。或者,他们预期当3D NAND闪存(flash)的制造趋于成熟后,就能解决目前的市场情况。然而,以DRAM的市况而言,没人能知道DRAM供应何时会改善。从需求面来观察,虽然一些细分市场正在成长,但并未出现杀手级的应用或是特别繁荣的细分市场。因此,问题应该就出在供应面。

据美光(Micron)表示,2017年DRAM供给位预计成长15-20%,可说是近20年来最低的位成长率(bit growth)。较低的位成长率,主要源于DRAM微缩限制。市场上有好一段时间都没有任何有关DRAM微缩的消息了。当供给位成长低于45%时,这就是一个卖方的市场了。因此,DRAM的寡头垄断、低位成长率,以及制造扩张迟缓,导致长期的供应吃紧。最终,可能只是DRAM的价格持续增加,而供应面却不会有任何改善。

NAND市场竞争激烈。基于3D NAND将大幅提高生产力的市场预期,所有的NAND厂商都投入了数十亿美元于3D NAND制造。因此,供应过剩预计将持续一段时间。然而,这种期待只是一种假象。3D NAND的制造比先前所想象的要困难得多。目前,几家NAND供货商都得使劲地推出3D NAND。

许多分析师预计,大约在2018年底,当64层和96层3D NAND闪存的制造趋于成熟时,市场供应吃紧的情况将会缓解。因此,明年将会有足够的NAND供应吗?如图所示,平面NAND的横向微缩(即摩尔定律)以2的N次幂方式呈指数级增加位单元。相对地,3D NAND的单元层数(即垂直微缩)则线性增加位单元。目前,根据摩尔定律,平面NAND符合位单元的指数级需求成长。然而,平面NAND面对微缩限制,3D NAND仅以线性位成长率,将难以达到市场的需求。

64层3D NAND最终将达到与平面NAND平价。对于双倍和四倍的内存容量,3D NAND应该分别有128层和256层。考虑到长期累积的产量损失、制造困难和低晶圆产出效率,超过64层的内存容量扩展对于3D NAND来说是一大挑战。如果3D NAND在第1层达到与平面NAND平价,那么垂直扩展记体容量就会更容易多了。

如同所讨论的,内存价格较高不再只是因为供需失衡。从现在开始,我们很难看到内存价格降下来,因为内存价格如此之高,主要源于内存组件的微缩限制。很讽刺地,内存供货商却以这种内存微缩的限制来赚大钱。从2017年上半年的前五大半导体供货商排名来看,其中有三家就是内存供货商。例如,海力士(SK Hynix)和Micro极其仰赖于DRAM,因为这两家公司的营收分别有75%和65%都来自DRAM市场。

目前,买家掌控了内存价格,并将内存产品视为商品。如今正是内存供货商的黄金时代,高昂的内存价格将成为买家的负担。没错,由于内存微缩的限制,内存将成为卖方市场。我们如何找到可解决高内存价格的解决方案呢?

在2016和2017年,如ITRS和IRDS等技术开发蓝图强烈建议为连续的晶体管微缩采用全包覆式(GAA)晶体管与单片3D (M3D) IC,从而降低制造成本。因此,客户应该主动寻求利用‘GAA + M3D’的超低成本内存组件。否则,客户将会为内存组件付出更多的费用,而如此高的内存价格也将会为大部份电子设备和系统带来问题。

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2019-02-27 00:00 阅读量:732
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