内存厂垄断先进工艺赚大钱,电子整机厂将深受其害

发布时间：2017-09-07 00:00
作者：Ameya360
来源：Sang-Yun Lee
阅读量：1071

根据市场分析师表示，动态随机存取内存(DRAM)和NAND的价格正居高不下，而且预计还会更进一步攀升。许多人认为目前的内存市场情况只是暂时的供需不均衡。或者，他们预期当3D NAND闪存(flash)的制造趋于成熟后，就能解决目前的市场情况。然而，以DRAM的市况而言，没人能知道DRAM供应何时会改善。从需求面来观察，虽然一些细分市场正在成长，但并未出现杀手级的应用或是特别繁荣的细分市场。因此，问题应该就出在供应面。

据美光(Micron)表示，2017年DRAM供给位预计成长15-20%，可说是近20年来最低的位成长率(bit growth)。较低的位成长率，主要源于DRAM微缩限制。市场上有好一段时间都没有任何有关DRAM微缩的消息了。当供给位成长低于45%时，这就是一个卖方的市场了。因此，DRAM的寡头垄断、低位成长率，以及制造扩张迟缓，导致长期的供应吃紧。最终，可能只是DRAM的价格持续增加，而供应面却不会有任何改善。

NAND市场竞争激烈。基于3D NAND将大幅提高生产力的市场预期，所有的NAND厂商都投入了数十亿美元于3D NAND制造。因此，供应过剩预计将持续一段时间。然而，这种期待只是一种假象。3D NAND的制造比先前所想象的要困难得多。目前，几家NAND供货商都得使劲地推出3D NAND。

许多分析师预计，大约在2018年底，当64层和96层3D NAND闪存的制造趋于成熟时，市场供应吃紧的情况将会缓解。因此，明年将会有足够的NAND供应吗？如图所示，平面NAND的横向微缩(即摩尔定律)以2的N次幂方式呈指数级增加位单元。相对地，3D NAND的单元层数(即垂直微缩)则线性增加位单元。目前，根据摩尔定律，平面NAND符合位单元的指数级需求成长。然而，平面NAND面对微缩限制，3D NAND仅以线性位成长率，将难以达到市场的需求。

64层3D NAND最终将达到与平面NAND平价。对于双倍和四倍的内存容量，3D NAND应该分别有128层和256层。考虑到长期累积的产量损失、制造困难和低晶圆产出效率，超过64层的内存容量扩展对于3D NAND来说是一大挑战。如果3D NAND在第1层达到与平面NAND平价，那么垂直扩展记体容量就会更容易多了。

如同所讨论的，内存价格较高不再只是因为供需失衡。从现在开始，我们很难看到内存价格降下来，因为内存价格如此之高，主要源于内存组件的微缩限制。很讽刺地，内存供货商却以这种内存微缩的限制来赚大钱。从2017年上半年的前五大半导体供货商排名来看，其中有三家就是内存供货商。例如，海力士(SK Hynix)和Micro极其仰赖于DRAM，因为这两家公司的营收分别有75%和65%都来自DRAM市场。

目前，买家掌控了内存价格，并将内存产品视为商品。如今正是内存供货商的黄金时代，高昂的内存价格将成为买家的负担。没错，由于内存微缩的限制，内存将成为卖方市场。我们如何找到可解决高内存价格的解决方案呢？

在2016和2017年，如ITRS和IRDS等技术开发蓝图强烈建议为连续的晶体管微缩采用全包覆式(GAA)晶体管与单片3D (M3D) IC，从而降低制造成本。因此，客户应该主动寻求利用‘GAA + M3D’的超低成本内存组件。否则，客户将会为内存组件付出更多的费用，而如此高的内存价格也将会为大部份电子设备和系统带来问题。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

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　　日韩突发贸易战，引得存储器价格狂涨，普通消费者叫苦不迭。这背后，究竟隐藏着怎样的阴谋阳谋?潮流向左，DIY 向右。在这个电子产品日新月异的时代，总有些极客玩家喜欢特立独行，自己摆弄些 DIY 产品。DIY 全称 Do it Yourself ，中文翻译过来即是“自己动手做”。一般而言，DIY 党乐于发挥自己的聪明才智，发动主观能动性改造、组装机械和电子产品。在 PC 市场上，DIY 一定程度上代表了攒机。　　所谓攒机，指的是组装电脑。之所以选择组装机，主要是因为组装机配置灵活、性价比高，能满足消费者的个性化需求，而价格却是同等配置品牌机的一半甚至更低。追求画面的就选好显卡，爱玩游戏就买强处理器，炫酷机箱、个性键盘随意挑选……攒机爱好者可以根据需求折腾出花样繁多的攒机配置。　　有人说，时下的组装电脑已成为无人问津的小众爱好。究其原因，电脑一体机、笔记本电脑渐趋流行，使用大体积、不便携的台式机的用户减少;其次，在电脑品牌化过程中，品牌机在功能和外观领域做优做强，相同配置下，品牌机与组装机的价差越来越小，与其费心费力攒机，还不如直接买一台品牌台式电脑。　　确实，随着品牌台式机日渐成熟，方便快捷的笔记本电脑和智能手机，足以满足大部分用户工作娱乐需求，攒机正成为少数 DIY 爱好者的个性选择。不过近些年来，内存价格始终萦绕在攒机党心中，成为 DIY 装机者的最大噩梦。　　内存涨跌“波浪线”　　众所周知，科技界有个著名的摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换句话说，相同性能的数码硬件，每隔 18-24 个月就会便宜许多。然而，内存芯片类产品并非如此，受到市场影响，内存价格始终上下波动。　　内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。一直以来，攒机界最关心的都是 CPU 与 GPU ，这些运行处理硬件决定了组装机性能的上限。而如何将这些性能完美的发挥出来，存储芯片提供的读取速度能力就将是重要影响因素之一。存储芯片整个市场中 DRAM 产品占比约 53%，NAND Flash 产品占比约 42% ，Nor Flash 占比仅有 3% 左右。　　纵观过去几年时间“存储器”市场的行情，你会发现“存储器”的涨跌规律像一条波浪线循环着：2012 年前后白菜价、2013 年大涨价、2014 年有所回落、2015 年接近低谷、2016 年中旬开始持续上扬、2017 年 、2018 年到达顶点、2019 年有所回落。到今年 4 月份，“存储器”的价格相比去年年末已经下跌 30% 以上了， DRAM 产品的价格甚至创下三年多以来的新低。　　导致年初内存跌价的原因有很多，内存产量增大、大数据中心需求降低都是原因之一。按照内存涨跌“波浪线”的规律，每当内存开始跌价，内存工厂总会有意外事件发生。2013 年，“海力士半导体”无锡工厂发生火灾，大火产生的浓烟数十公里外可见。因火灾导致DRAM价格走升、也就造就了 2013 年内存价格的大涨。　　2016 年，内存价格再次萎靡不振。三星、美光、SK 海力士、东芝等厂商同时开始技术升级，内存转向 20nm 以下制程、闪存也从 2D 闪存转向 3D 闪存，并不断提升堆栈层数。升级过程中，产能大幅下降，一定程度上催生了连续三年的内存大涨价。　　意外不断，噩梦再临　　今年上半年，内存价格大幅滑落。按以往惯例，内存厂家又开始秀操作。6 月 15 日，日本四日市工厂的意外停电，影响西部数据和东芝存储器公司 NAND 闪存制造厂的生产运营，预计此事件将导致 NAND 闪存晶圆供应量减少六百万 TB 。　　与此同时，三星也在酝酿减产。不过令所有人没想到的是，在三星正式减产之前，一件预料之外的事情发生了。7 月初，由于政治纠纷，日本政府开始管控向韩国出口 3 种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料。　　日本政府制裁对三星 NAND 闪存生产造生了巨大影响，目前已缩减 NAND Flash 投片，减产幅度逾二成。内存业者分析，三星占全球 NAND 市场 30% 份额，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少 6% 到 8% 供应量，加上东芝 NAND 工厂上月受意外停电影响，产能影响 3% 供应量，合计本月起，全球 NAND 产出将减少近一成。于是，内存涨价便顺理成章。　　7 月初以来，DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 颗粒现货价格一直在涨。内存业者透露，此次日韩贸易战，将造成强大的 NAND 抢货潮，带动价格进一步反弹。若日韩贸易谈判再僵持，下个季度 DRAM 合约价也将止跌反弹，出现 NAND 与 DRAM 两大内存“双涨”效应。一时间， DIY 装机者的最大噩梦再度降临。　　谁将受益?　　存储器涨价，利益受损的肯定是包括 DIY 装机者在内的广大消费者。那么，谁又会成为最后的赢家呢?据证券时报报道，三星现已率先对工厂顾客涨价，涨价涉及的品类为 DDR3、EMMC 和 Nand Flash。特别是三星 8GB、16GB EMMC 最近价格涨幅较大，均在 10% 左右。短期来看，明明是日本制裁韩国，反倒让被制裁的三星成为了最大受益者。　　当然，三星的现状是暂时的。据悉，三星的原料备货仅够一两个月使用。三星电子副会长李在镕在日本启动对韩出口限制措施后，第一时间赴日寻求原料供应。据韩国报道：“李在镕这次访日并未解决任何关于材料供应的问题。三星电子的相关部门确实通过集思广益、到处打听，得到了一些供货，可以解决眼下之急，但目前还不足以完全安心”。　　目前，全球 75% 的 DRAM 产能和 45% 的 NAND 产能都来自于韩国公司三星和 SK 海力士。很多人认为，一旦韩系厂商内存供应出问题，那么大家的订单将会转向非韩系厂商，促成另外的厂商业绩大增，同时营收大涨。现在，除三星、SK 海力士外，最大的内存厂商就是美光了，一旦日韩贸易战拖延过久，美光势必会成为最大的受益者。　　无论是阴谋还是阳谋，存储器产品价格上涨的趋势已然形成。DIY 玩家心中就是再难受，也不得不接受。毕竟，内存产业还是卖家市场，市场上的风吹草动都能成为内存厂家涨价的理由，普通消费者完全没有话语权。
2019-07-30 00:00 阅读量：1374
DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？
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DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。 目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。 另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。 之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。  同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。 之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。 
2019-02-27 00:00 阅读量：1413
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