上海<span style='color:red'>雷卯</span>：ESD防护实战三：<span style='color:red'>雷卯</span>ESD二极管选型指南与布局优化技巧
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上海雷卯：ESD防护实战三：雷卯ESD二极管选型指南与布局优化技巧

　　前两篇雷卯EMC小哥讲了ESD的危害和保护二极管的原理，这一篇上海雷卯EMC小哥再次上线，聚焦 “落地实操”：如何为防护电路选对ESD保护二极管?电路板布局时哪些细节会影响防护效果?雷卯EMC小哥总结了一套 “选型+布局” 实战方法论，新手也能快速上手。　　一、三步搞定ESD保护二极管选型　　选型的核心是 “匹配”——让二极管的参数与被保护电路的需求精准匹配。记住三个关键词：信号特性、防护需求、环境耐受。　　第一步：匹配信号特性　　信号电压：重点看 “最大反向工作峰值电压(VRWM)”，必须大于或者等于信号的最大电压(比如5V信号线，VRWM选5V或以上)。若VRWM不够，正常工作时二极管会漏电，导致信号失真。　　信号频率：高频信号(≥1GHz，如 USB 3.0)必须选低容值(CT≤1pF)产品，否则会增加插入损耗;当 CT>1pF 时，USB 3.0 信号的插入损耗会超过 - 3dB@10GHz，易导致信号误码。雷卯电子的低容系列(如ULC0521CT)CT 仅 0.18pF，适配高速接口;同时需注意封装选择，高频或小空间场景优先选 DFN 封装(寄生电感<0.5nH)，大电流场景可选用 SOT-23FL 封装(散热性能更优) ，封装参数会间接影响高频信号传输与器件长期稳定性。　　信号极性：单极性信号(如0-5V数字信号)可选单向二极管;双极性信号(如音频信号、±12V 电源)选双向二极管(雷卯电子LCC05DT3音频静电防护)。　　第二步：满足防护需求　　ESD 等级：根据系统测试标准选(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV)，二极管的 VESD(静电耐受电压)必须高于该值。雷卯电子常规型号VESD 可达 ±15kV，工业级型号达±30kV。　　钳位能力： ESD防护二极管在静电注入后不会立即响应，若静电脉冲的第一峰值高于ESD防护二极管的钳位电压，该峰值电压可能施加在被保护器件(DUP)上，导致其故障或损坏。相同电流下，钳位电压(VC)越低越好，比如33V VRWM的二极管，在10A脉冲下，雷卯的产品VC比竞品低5-8V，更能保护敏感芯片。　　第三步：适配环境耐受　　浪涌电流：若电路可能遇到雷击或电源浪涌(如户外设备)，需关注 “8/20μs 峰值脉冲电流(IPP)”，雷卯电子大功率型号IPP可达2000A，满足IEC 61000-4-5 测试。　　工作温度：工业场景选- 55℃~150℃宽温产品，雷卯电子全系列满足工业要求。　　二、电路板布局：细节决定防护效果　　选对型号后，布局不当仍可能让防护失效。雷卯 EMC 小哥总结了3个 “黄金原则”：　　二极管必须 “靠近ESD入口”　　ESD脉冲的高频成分会沿 “最短路径” 传播，若二极管离接口太远(比如超过5cm)，脉冲会先击穿被保护芯片，再到达二极管;建议二极管距离接口连接器的走线长度≤3cm，进一步缩短脉冲传播时间。　　正确做法：二极管紧贴USB、网口等接口布局，信号线先经过二极管再到芯片。　　接地路径要 “短、直、粗”　　二极管分流的ESD电流需要快速回到地，若接地过孔多、线细、路径长，会产生 “寄生电感”，导致钳位电压升高(电感×电流变化率 = 额外电压)。实测显示，当接地过孔间距>5mm 或地线线宽<0.3mm 时，寄生电感会增加 2-3nH，进而导致钳位电压抬升 10-15V，削弱防护效果。　　正确做法：二极管接地端用敷铜连接，就近打地过孔(最好2个以上)，避免走细长线。　　避免 “平行线干扰”　　ESD脉冲会在周围产生强电磁场，若敏感信号线(如I2C、SPI)与接口线平行走线，会被感应出高压。　　正确做法：敏感线与接口线交叉布局，或用地线隔离，间距≥3mm。　　三、雷卯选型工具推荐　　为了简化选型，上海雷卯电子官网(www.leiditech.com)提供 “参数筛选工具”，通过筛选器件功率、工作电压、封装、钳位电压，即可自动匹配适配型号;还可以微信搜索由雷卯电子倾力打造 “EMC电磁兼容社区”小程序，包含USB、HDMI、Ethernet 等几十种典型接口的几百个参考设计方案，方案内容涵盖器件选型、标准解读和参数比对。　　四、小结　　选型的核心是 “参数匹配”，布局的核心是 “缩短路径”。做好这两点，ESD 防护效果可提升80%以上。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-11-24 17:36 阅读量：282 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子：ESD静电保护元件的结构和原理
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上海雷卯电子：ESD静电保护元件的结构和原理

　　上一篇我们聊了ESD的危害和测试标准，这一篇我们聚焦 “防护主力”——ESD保护二极管(又称TVS二极管)。这个看似简单的元器件，到底是如何在瞬间将千伏级静电 “化解于无形” 的?雷卯电子的 ESD 保护二极管又有哪些独特设计?上海雷卯作为ESD行业深耕者，在防静电专用器件上积累了丰富技术沉淀，下面就为你详细拆解。　　一.从二极管基础到ESD保护专用器件　　二极管是电子电路的“老熟人”，核心特性是 “单向导电”。但ESD保护二极管和普通二极管(比如整流二极管)有本质区别 —— 它是专为 “瞬态电压抑制” 设计的 “特种部队”。 雷卯EMC小哥常说，这类专用器件的设计核心，就是要在关键时刻 “精准发力、不添干扰”。　　二极管的 “家族分类”　　P-N结二极管：由P型半导体(多空穴)和N型半导体(多电子)结合而成，正向导通、反向截止，反向电压过高会击穿。　　肖特基二极管(SBD)：金属与半导体接触形成结，导通电压低、速度快，但反向耐压较低。　　ESD 保护二极管属于 P-N 结二极管的 “升级版”，基于稳压二极管原理优化，重点强化了 “反向击穿时的快速响应” 和 “大电流承载能力”，　　这也是上海雷卯多年来重点攻关的技术方向。　　二.ESD 保护二极管的 “工作智慧”　　雷卯电子的ESD保护二极管的核心设计目标是：平时“隐身” 不干扰电路，ESD 来袭时 “瞬间出击” 分流保护。具体怎么实现?上海雷卯通过工艺优化和结构创新，让这个“攻防切换” 更精准高效。　　1. 正常工作时：像 “绝缘体” 一样安静　　当电路没有 ESD 冲击时，ESD 保护二极管(阴极接信号线，阳极接地)处于 “反向偏置” 状态 —— 两端电压低于反向击穿电压(VBR)，此时它像一个高电阻，几乎不影响信号传输。　　但有两个参数会影响信号质量，也是雷卯重点优化的方向：　　总电容(CT)：二极管截止时，P-N 结的 “耗尽区” 像一个小电容，高频信号(比如 5G、Thunderbolt)会被这个电容 “吸收”，导致信号衰减。雷卯通过特殊工艺将高频系列高分子产品的CT做到 0.1pF 以下，完美适配高速信号，这一指标也得到了雷卯 EMC 小哥在实战测试中的反复验证。　　反向漏电流(IR)：正常电压下流过的微小电流，IR 过大会增加电路功耗。雷卯产品在 VRWM(最大反向工作电压)下的 IR 通常≤0.5μA，对低功耗设备友好。　　2. ESD 冲击时：像 “安全阀” 一样快速分流　　当 ESD 脉冲来袭(比如插拔接口时)，信号线电压会瞬间飙升至数千伏。此时 ESD 保护二极管会：　　快速击穿导通：当电压超过 VBR 时，二极管进入 “雪崩击穿” 状态，电阻骤降(动态电阻 RDYN 低至几欧)，将大部分ESD电流导向地(GND)。　　钳位电压(VC)够低：导通时二极管两端的电压(VC)必须低于被保护芯片的耐压值(比如芯片耐压 20V，VC 需≤18V)。雷卯电子通过芯片结构优化，使VC 比行业平均水平低 15%-20%，防护更可靠，雷卯EMC小哥常把这一优势称为 “给芯片多一层安全余量”。　　双向防护设计：对跨地信号(比如音频线、差分信号)，上海雷卯的双向ESD保护二极管可同时吸收正负向 ESD 脉冲，无需额外设计。　　三.雷卯ESD保护二极管的三大核心优势　　上海雷卯凭借多年技术积累，让旗下 ESD 保护二极管具备三大核心优势，覆盖从低频到高频、从普通设备到高端终端的全场景需求：　　1.响应速度快：从截止到导通仅需亚纳秒级(<1ns)，比传统压敏电阻快100倍以上，能拦截 ESD 脉冲的 “第一峰值”，　　这也是雷卯电子适配 5G、Thunderbolt 等高速接口的关键。　　2.容值可控：覆盖 0.05pF(高频)到 100pF(低频)全系列，满足 USB 3.2、HDMI 2.1 等不同速率接口需求，雷卯EMC小哥会根据客户的信号速率，精准推荐对应容值的型号。　　3.致性高：批量生产的 VBR、VC 参数偏差≤±5%，避免因器件差异导致防护效果不稳定，上海雷卯的严格品控体系，确保每一颗器件都能达到设计标准。　　小结　　ESD 保护二极管的核心是 “平衡”—— 既要在正常工况下不干扰信号，又要在ESD来袭时快速高效分流。雷卯通过材料、结构、工艺的三重优化，上海雷卯始终坚持以实战需求为导向，让这个 “平衡” 更精准、更可靠。　　下一篇，雷卯EMC小哥进入实战环节：教你如何根据电路需求选对型号，以及电路板布局时的 “避坑指南”，让防护效果最大化～
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发布时间：2025-11-21 16:34 阅读量：329 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系
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上海雷卯：ESD防护入门：静电放电的本质与测试体系

　　冬天脱毛衣时听到 “噼啪” 声，摸门把手时被 “电” 了一下?这就是生活中最常见的静电放电(ESD)现象。看似微小的静电，对电子设备来说可能是 “致命杀手”—— 手机屏幕失灵、传感器误触发、芯片烧毁，很多时候都和ESD脱不了干系。　　今天我们就从基础讲起，了解ESD的本质、危害，以及如何通过测试验证防护效果。上海雷卯作为 ESD 防护领域的资深厂商，也会在文中分享行业实用经验。　　一、静电放电：看不见的 “电子杀手”　　静电是物体表面积累的静止电荷，当带异种电荷的物体靠近或接触时，电荷会瞬间转移形成放电，这就是 ESD。别小看这个过程：人体带电接触电子设备时，ESD 电压可达数千伏，而如今的芯片绝缘层厚度仅几纳米，根本扛不住这样的冲击。　　静电怎么来的?　　核心原因是 “电荷转移”。两种不同材料摩擦、接触或分离时(比如插拔 USB 线、塑料外壳摩擦)，电子会从一种材料跑到另一种材料上。材料在 “摩擦电序列” 中的位置越远，转移的电荷就越多，产生的静电也就越强。　　为什么现在必须重视 ESD 防护?　　半导体器件的工艺微缩是一把 “双刃剑”，一方面遵循晶体管缩放定律：，芯片工艺越来越先进(比如 7nm、5nm)，将晶体管尺寸缩小至 1/k，其面积、功耗、延迟分别降至 1/k²、1/k、1/k，显著提升器件性能;另一方面，工艺微缩会导致绝缘膜厚度按比例缩减(如硅半导体常用的 SiO₂绝缘膜)，由于 SiO₂的介电强度为 8-10MV/cm(恒定值)，绝缘膜厚度减小会直接导致其耐压能力同步下降，使半导体器件对 ESD 的敏感度大幅提升。绝缘层越来越薄，抗 ESD 能力大幅下降。　　此外，电子设备的小型化设计使得内部器件布局更密集，ESD 产生的电场、磁场干扰更易扩散;智能手机、物联网设备等需要频繁插拔接口(USB、Type-C 等)，ESD 冲击的概率比 10 年前增加了数倍。多重因素叠加，使得 ESD 防护成为电子设备设计中不可或缺的关键环节，而增加ESD 保护二极管则是目前最主流、最有效的防护方案之一。　　二、ESD 测试：防护效果的 “试金石”　　要验证 ESD 防护是否可靠，必须通过标准化测试。目前行业通用的测试体系分为 “器件级” 和 “系统级” 两类，雷卯所有 ESD 保护二极管都经过严格测试，雷卯 EMC 小哥全程参与测试流程把控，确保产品满足各类应用需求。　　1. 器件级测试：模拟生产场景　　人体模型(HBM)：模拟工人带电接触芯片时的放电(比如拿取未封装的 IC)，测试标准是 JEDEC JESD22-A114，合格门槛通常是 2500V-8000V。　　机器模型(MM)：模拟自动化设备(比如贴片机)带电接触器件的放电，测试标准 JEDEC JESD22-A115，要求比 HBM 更严格。　　带电设备模型(CDM)：模拟芯片自身带电后接触接地电路板的放电(比如从料盘取芯片时)，测试标准 JEDEC JESD22-C101，考验器件瞬间抗冲击能力。　　2. 系统级测试：模拟用户场景　　IEC 61000-4-2：最常用的系统级 ESD 测试，分 “接触放电”(直接碰金属接口)和 “空气放电”(靠近带涂层的外壳)，一般消费电子要求接触放电 ±8kV、空气放电 ±15kV。雷卯ESD/TVS二极管全系通过该标准测试，部分型号可达接触放电 ±30kV。　　IEC 61000-4-5：模拟雷击或电源开关产生的浪涌(大电流脉冲)，测试波形为 8/20μs(8μs 上升，20μs 下降到一半)，上海雷卯高功率系列可承受峰值电流达 100A 以上，防护实力拉满。　　小结　　ESD虽小，破坏力却很大，尤其是在电子设备小型化、高频化的今天，防护已成为刚需。了上海雷卯作为ESD防护领域的专业厂商，雷卯EMC小哥凭借丰富的行业经验，常为客户答疑解惑，了解ESD的产生机理和测试标准，是做好防护的第一步。　　下一篇，雷卯EMC小哥将聚焦 “ESD 防护的核心武器”——ESD保护二极管，拆解ESD的内部结构和工作原理，看看它是如何 “以柔克刚” 化解静电冲击的～　　关注雷卯电子公众号，获取更多 ESD 防护干货，还有雷卯 EMC 小哥分享的实战案例。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-11-17 15:21 阅读量：237 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：PROFINET 耦合器接口防护器件选型与设计方案
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上海雷卯：PROFINET 耦合器接口防护器件选型与设计方案

　　一、Profinet简介　　01 起源与定位　　PROFINET 是由西门子主导、PROFIBUS 用户组织(PI)推广的工业以太网标准，于 2001 年正式发布，旨在解决传统 PROFIBUS 总线在高速实时通信、跨厂商兼容、IT/OT 融合等方面的局限。PROFINET 耦合器作为 PROFINET 网络的 “桥梁设备”，是实现传统现场总线(如 PROFIBUS)与 PROFINET 以太网融合的核心部件，支撑工业 4.0 中 “分布式控制” 与 “智能互联” 的落地。目前主流耦合器型号(如西门子 IM 154-8、菲尼克斯 FLM PN)的防护需求，均可通过雷卯电子的 ESD/TVS 器件实现合规性适配。　　02 分类与应用　　PROFINET 耦合器按功能可分为协议转换型(如西门子 IM 154-8，实现 PROFIBUS 与 PROFINET 互转)、集成 IO 型(如菲尼克斯 FLM PN，自带 IO 端子直连传感器)、冗余增强型(如赫斯曼 SPIDER，支持双网口冗余切换)、紧凑型(如魏德米勒 UR20，适配狭小空间)等类型。　　核心功能包括协议转换与实时数据透传(确保控制指令周期≤1ms)、网络扩展(级联支持 126 个从站)、诊断监控(通过指示灯或软件定位故障)及为下游低功耗设备分配 24V DC 电源，广泛应用于汽车制造(焊装线机器人通信)、食品饮料(灌装设备联网)、物流仓储(AGV 交互)、能源化工(泵阀控制)等场景，适配传统设备升级与智能工厂混合网络架构。上海雷卯针对不同场景的电磁干扰特性，已形成成熟的防护器件选型库，可快速匹配耦合器的接口防护需求。　　二、防护背景与核心标准　　1. 工业环境电磁干扰风险　　PROFINET 耦合器安装于工业现场(如车间、控制柜、户外机柜)，面临多重干扰：　　·静电放电(ESD)：操作人员接触接口、设备外壳时的人体静电或粉尘 / 干燥环境下的感应静电，可能导致接口芯片(如以太网 PHY、PROFIBUS transceiver)损坏。　　·浪涌(Surge)：雷击电磁感应(通过电源线/通信线传入)、电机/变频器启停产生的开关浪涌(瞬态电压可达数kV)，可能引发通信中断或硬件烧毁。　　·上海雷卯 EMC 小哥强调：工业现场的干扰往往是 “ESD + 浪涌” 叠加，需采用 “泄放 + 钳位” 两级防护架构，避免单一器件失效导致防护失效。　　2. 核心标准　　·静电防护：IEC 61000-4-2(接触放电 / 空气放电)，工业设备需满足等级 3(接触 ±6kV / 空气 ±12kV)或等级 4(接触 ±8kV / 空气 ±15kV，高风险场景)。　　·浪涌防护：IEC 61000-4-5(1.2/50μs 电压波、8/20μs 电流波)，电源接口需满足等级 3(线地 ±4kV)，通信接口需满足等级 3(线线 ±2kV)。　　·行业附加要求：汽车行业(如 VDA 标准)要求更高冗余，需通过等级4浪涌测试;食品行业因清洁需求(水冲洗)，需强化外壳静电防护。　　三、上海雷卯针对各接口的防护方案　　(一)信号端口防护：精准匹配 PROFINET 信号特性　　1. 以太网接口RJ45(10/100Mbps)　　PROFINET 依赖 TX+/TX-、RX+/RX -差分线，需单独防护且控制寄生电容，雷卯方案满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电±30kV，空气放电±30kV。 IEC61000-4-5 10/700μs，40Ω，±6kV，±5次，此方案高温传输不丢包。　　·一级泄放：接口侧串联雷卯3R090-5S 气体放电管(GDT)，击穿电压 90V±20%、通流容量 10kA(8/20μs)，可泄放 90% 浪涌能量，避免大电流冲击后级芯片;　　·二级钳位：每对差分线并联雷卯GBLC03C ESD二极管(SOD-323 封装)，钳位电压≤20V(适配 TI DP83848、微芯 LAN8742 等 PHY 芯片耐压)，单路电容仅0.6pF，无信号畸变;　　雷卯EMC小哥补充：差分线防护需严格控制 “器件寄生电容 + PCB 走线电容” 总和，GBLC03C 的低容值特性是保障100Mbps信号完整性关键。　　2. RS485 辅助接口(设备配置 / 诊断)雷卯电子采用P0080SC TSS并联于 A/B 信号线以及信号线与地之间，TSS反应时间为ns级，既可防浪涌，又可防静电，且保证信号完整性.满足IEC61000-4-2，静电等级4，接触放电±8kV，空气放电±15kV; IEC61000-4-5 浪涌10/700μs，±6KV;　　雷卯EMC小哥提示：工业车间的 RS485 线缆常与动力线并行敷设，建议在 P0080SC 前端串联限流电阻，进一步降低浪涌电流对TSS保护器件的冲击。　　3. USB辅助接口　　雷卯采用单颗器件SR05W防护USB2.0接口,节约空间，保证信号完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电±8kV，空气放电±15kV,保证工业客户的各种电气干扰。如对Vbus有过流要求，需搭配PTC实现 “过压 + 过流” 双重保护。　　(二)电源端口防护：阻断浪涌侵入核心电路　　针对 24V 工业电源(浪涌主要侵入路径)，上海雷卯设计“过压 + 过流 + 防倒灌” 三重防护：　　·过压防护：电源输入端正负极并联雷卯SMBJ26CA TVS二极管，钳位电压≤42V(24V电源安全阈值)，通流容量14.3A(10/1000μs)，快速泄放瞬态过电压;　　·过流保护：串联雷卯自恢复保险丝(PPTC)，过流(如短路)时自动断开，故障排除后恢复，避免电源模块烧毁;　　·防反接：采用PMOS((适用于 20A 以上大功率场景，推荐雷卯电子LM5D28P10 型 PMOS)或低压降肖特基二极管(适用于小功率场景，如雷卯电子SK56C，60V/5A)实现极性反接保护;　　(三)PCB 设计优化：保障防护效果与信号完整性　　1. 分层与阻抗设计　　采用 8 层对称叠层(信号层→地平面→信号层→地平面→电源层→地平面→信号层→信号层)，确保所有信号层紧邻完整地平面，通过地平面连续性降低电磁耦合路径。　　·高速差分线(如以太网、RS485)阻抗控制为 100Ω±5%(基于 FR-4 板材特性仿真验证)，线长匹配误差≤25mil，减少信号反射与外部干扰耦合。　　2. 防护与滤波器件布局　　·防护器件(GDT、TVS)需紧邻接口引脚(距离≤3mm)，接地路径采用 0.5mm 过孔阵列(≥4 个)直连地平面，缩短干扰泄放路径，降低寄生电感对浪涌抑制的影响。上海雷卯EMC 小哥建议：过孔阵列需围绕防护器件均匀分布，避免形成 “单点接地瓶颈”;　　3. 接地与屏蔽设计　　·接口地(RJ45/RS485 外壳)为安全地，通过金属螺丝 + 锯齿垫圈直接接大地(阻抗 < 1Ω);系统信号地与安全地采用 2mm 宽铜箔单点连接，避免地环路引入干扰。　　·金属外壳与 PCB 地平面通过导电衬垫 + 金属化过孔实现 360° 电磁密封，100MHz~1GHz 频段屏蔽效能≥60dB，削弱外部电磁骚扰的穿透。　　上海雷卯电子(Leiditech)致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-11-12 15:45 阅读量：321 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>EMC系列器件：助力航空货运无人机零部件攻克DO-160G测试
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上海雷卯EMC系列器件：助力航空货运无人机零部件攻克DO-160G测试

　　航空货运无人机的设计中，DO-160G航空机载设备环境适应性标准是确保设备可靠性与安全性的核心门槛，核心零部件需通过严格的 “电磁敏感度(EMS)” 测试 —— 这是保障无人机在高空浪涌、瞬态冲击、极端温湿度等场景下稳定工作的关键。上海雷卯EMC系列器件(浪涌抑制模块、冲击电流抑制模块、EMI滤波模块)，精准匹配 DO-160G EMS测试的章节要求与参数标准，为零部件顺利通过认证提供 “权威适配方案”。　　DO-160G标准的核心挑战与上海雷卯器件的应对策略　　DO-160G的EMS测试聚焦 “抗干扰能力”，核心关联电源瞬态、电磁敏感度、雷电感应瞬态等关键测试项，上海雷卯各模块的设计均贴合对应测试要求，满足测试要求。　　1. 浪涌电压抑制模块：覆盖浪涌与雷电防护需求　　无人机在飞行中可能遭遇两类电压冲击：一是电源切换产生的常规浪涌，二是高空雷击感应的瞬态电压，这两类场景均需满足DO-160G的测试标准。　　上海雷卯 LMVS 系列浪涌模块的双场景防护能力，直接适配需求：　　针对浪涌测试：模块可在50ms内将 80V~100V的瞬态浪涌电压钳位至 38V(应用实测数据)，低于标准规定的 “负载安全电压阈值”，避免 DC-DC 变换器、传感器被击穿;　　适配场景与参数：直流工作电压28V，覆盖1A~50A 额定电流，如LMVS2850AH1(50A，1/2 砖封装) 可满足动力系统防护，工作壳温 - 55℃~+125℃，兼容无人机高空低温与设备高温工况。　　2. 冲击电流抑制模块：攻克电源瞬态冲击难题　　DO-160G明确要求：“机载设备开机瞬态电流需低于额定电流的10倍”，而无人机开机时电容充电易产生65A冲击电流(470μF 电容场景)，远超标准限值。　　上海雷卯 LMIS/LMESW 系列模块的 “降流能力” 精准匹配该要求：　　实测数据显示，模块可将65A冲击电流降至12.67A(同电容场景)，满足DO-160G Chapter 19 电磁敏感性测试的浪涌防护要求;　　功能适配：部分型号(如LMESW-560WDC28V-N10E)支持防反接功能，符合 Chapter 19 “防误接保护” 的附加要求，同时支持远程控制开通 / 关断，适配无人机智能化控制需求;　　低损耗优势：导通阻抗低至 0.005Ω，在抑制冲击电流的同时减少功耗，符合无人机 “高能效” 设计原则。　　3. EMI 滤波模块：覆盖EMI合规，强化EMS稳定性　　EMC认证中，GJB151的CE102 测试虽聚焦 “噪声控制”，但零部件自身的高频噪声会间接影响 EMS 抗干扰能力。　　上海雷卯 LMFL 系列 EMI 滤波器可同步解决这一问题：　　性能达标：共模插入损耗最高 44dB(1MHz)、差模插入损耗峰值100dB(1MHz)，符合GJB151 CE102 Class 3 要求(150kHz~10MHz 频段传导发射 ≤66μV)。　　集成优势：部分型号(如LMFL2820X00Q)可集成冲击电流抑制功能，在满足 EMI 合规的同时，进一步强化 Chapter 19 电源瞬态防护能力，减少元件数量与兼容性风险。　　案例：某型号无人机电源系统DO-160G测试验证　　某型号无人机在搭载上海雷卯EMC LMFL2820X00Q滤波模块与LMVS4366-2809BE浪涌模块后，成功通过DO-160G测试：　　传导发射测试：噪声水平较未装模块时降低32dB，远优于标准限值。　　浪涌抗扰度测试：在±100V/50ms脉冲冲击下，负载电压波动<5%，系统无复位现象。　　高温存储测试：模块在+125℃环境下连续工作168小时，绝缘电阻保持100MΩ以上。　　结语　　随着航空货运无人机向高速化、智能化发展，DO-160G标准不仅是 “入场券”，更是飞行安全的底线。上海雷卯 EMC 系列器件的价值，不仅在于帮助零部件轻松通过测试，更在于从电磁兼容、浪涌防护、电流冲击等核心维度，为无人机的全生命周期安全保驾护航。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-10-28 16:47 阅读量：414 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：电火工品静电敏感度测试及静电防护
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上海雷卯：电火工品静电敏感度测试及静电防护

　　电火工品静电敏感度测试主要依据 GJB 736.11A-2019《火工品试验方法 第 11 部分：电火工品静电感度试验》。以下是该标准的详细要求：　　•试验原理：采用电容放电模型模拟人体静电危害，通过特定的电容器容量、放电电阻和测试电压等参数，对电火工品进行静电放电试验，观察其响应情况。　　•关键参数：模拟人体试验时，电容器容量为 500pF /2nF，放电电阻为 500Ω/5000Ω，测试电压为30kv。感度测定试验时，电容器容量和放电电阻可调，测试电压按升降法确定。　　•设备要求：静电感度仪整机电感需小于 5μH，校准周期为 12 个月，漏电压控制应≤充电电压的 5%。　　•操作流程：试样预处理需在 15-35℃环境放置≥2h，接线方式为脚 - 脚 / 脚 - 壳连接，引线长度≤200mm±20mm，采用专用绝缘棒操作，接地线截面积≥4mm²，数据记录按 GJB/Z377A 进行升降法统计。　　•安全防护：新增三级防护体系，包括人员防护(防静电服 + 绝缘鞋 + 防护眼镜组合)、设备防护(10MΩ 绝缘值 + 150kΩ 放电电阻)和环境防护(独立防爆箱 + 毒气排风装置)。　　上海雷卯静电防护方案及器件　　防护方案：　　雷卯电子采用“分类防护” 策略，从电源端到信号接口构建防护体系。例如在电源端，对于 10-30V 电源，推荐在棕线与蓝线之间并联小体积、高功率的 TVS 管 SMBJ33CA，其覆盖 10-30V 工作范围，峰值脉冲功率 400W，响应时间≤1ns。在信号输出端，可在黑线、橙线与蓝线之间各并联小体积的 ESD 二极管 SD36C，进行静电浪涌二极防护，覆盖 10-30V 电源电压，满足 IEC61000-4-2，等级 4，接触放电 30kV，空气放电 30kV。　　防护器件：　　公司提供多种类型的静电保护元件，如 ESD 静电保护元件(0201/DFN0603/TSSLP-2-4 等封装形式)、PESD 静电保护元件(0201、0402、0603 等封装形式)、TVS 瞬态电压抑制二极管(SMF Series、P4SMF Series、SMA Series 等)、TSS 半导体放电管、GDT 陶瓷气体放电管、PPTC 自恢复保险丝等。这些器件具有不同的电压、电流、功率等参数，可以根据具体的应用场景和需求进行选择。
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发布时间：2025-10-23 16:15 阅读量：413 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>高速MIPI 接口静电保护方案
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上海雷卯高速MIPI 接口静电保护方案

　　MIPI(Mobile Industry Processor Interface移动产业处理器接口)是2003年由ARM,Nokia,ST,TI等公司成立的一个联盟，MIPI 联盟定义了一套接口标准，把移动设备内部的接口如摄像头、显示屏、基带、射频接口等标准化，从而增加设计灵活性，同时降低成本、设计复杂度、功耗和EMI。MIPI接口标准在移动设备、汽车电子和物联网等领域得到广泛应用，对于实现高性能、低功耗和小型化的连接需求起到了重要作用。　　比较成熟的应用有MIPI-CSI (camera Serial interface) 接口可以连接摄像头，MIPI-DSI (display Serial interface) 接口可以连接显示屏。　　一般应用是通过 MIPI -CSI 接口摄像头输入信号，经过CPU 对数据处理，通过 MIPI-DSI 接口连接的显示屏播放显示。　　1. MIPI 差分信号摆幅多少　　MIPI接口标准通常使用低压差分信号传输，其中包括两个互补的信号线，分别是正向和负向的差分信号。这种设计有利于减少传输中的干扰和噪音，并提高抗干扰能力。　　在MIPI CSI-2和DSI中，通常采用的电平幅度是低压差分信号，主要包括以下几种：　　C-PHY：C-PHY采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.2V到1.0V之间。　　D-PHY：D-PHY也采用较低的供电电压，通常为1.2V，其数据信号的电平幅度为0.4V到1.1V之间。　　这些低压差分信号的电平幅度设计有利于降低功耗、减小传输线路的大小和成本，并且能够满足移动设备对功耗和尺寸的严格要求。　　2. MIPI 接口数据速率　　MIPI接口的数据速率取决于具体的协议和规范，以及设备的性能和需求。以下是一些常见的MIPI接口和它们的数据速率范围：　　MIPI CSI-2(Camera Serial Interface 2)：CSI-2用于摄像头到处理器的数据传输。它支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于摄像头模块的要求和设备的性能。　　MIPI DSI(Display Serial Interface)：DSI用于处理器到显示屏的数据传输。它也支持多种数据速率，包括低速(10 Mbps至100 Mbps)、中速(100 Mbps至1 Gbps)和高速(1 Gbps以上)的模式。具体的数据速率取决于显示屏的分辨率、刷新率和设备的性能。　　MIPI RFFE(RF Front-End Control)：RFFE用于控制射频前端模块，通常用于移动设备的无线通信。它的数据速率通常在100 kbps至10 Mbps之间，根据具体的应用需求而定。　　3. MIPI差分数据线对　　MIPI 接口支持最多1对差分时钟配1-4对差分数据，具体差分线对多少与配备的设备有关。　　4. 上海雷卯MIPI 接口ESD保护　　在MIPI接口中，为了保护设备免受静电放电(ESD)的影响，在MIPI 接口处放置ESD保护器件是最可靠的防护，当然合理的器件布局走线和接地也是必不可少的。　　因为MIPI 接口电平在0.2-1.4V 之间，因此选择VRWM为3.3V 集成ESD 最为合理。　　接口差分数据在1-4之间，可以根据设备匹配相应数量ESD ,在此按最多4组数据为例。　　(1)高速接口保护方案　　高速一定要低容ESD 来保护　　(2)中低速接口保护方案(10M-1Gbps)　　EMC小哥ESD知识分享　　电路板布局和ESD保护器件放置　　电路板布局对于抑制 ESD、电子快速瞬变 (EFT) 和瞬变浪涌至关重要，建议遵循以下准则：　　1.将ESD放置在尽可能靠近输入端子或连接器的位置。　　2.尽可能缩短ESD器件与受保护线路之间的路径长度。　　3. 除差分及同类数据地址总线外，非同类信号线尽可能的不要并行 。　　4.避免将受保护的导体与未受保护的导体并行放置。　　5.尽量减少所有印刷电路板 (PCB) 导电回路，包括电源和接地回路。　　6.尽量减少对地瞬态回流路径的长度　　7.避免使用瞬态响应路径做公共接地点　　8.对于多层 PCB，尽可能使用接地平面，接地通孔。　　Leiditech上海雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。
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发布时间：2025-10-20 16:00 阅读量：405 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护
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上海雷卯：浅谈S-VIDEO接口静电浪涌防护

　　S-Video 接口曾经在一些旧款的电视机、录像机、游戏机等设备上广泛应用，用于传输视频信号。不过，随着技术的发展，S-Video 接口已经逐渐被其他更先进的接口所取代，比如 HDMI、DVI 等。　　现在S-video接口广泛应用于电视、监视器、摄像机、录像机等视频设备中，提供了比传统的复合视频接口更好的视频质量。使用S-video接口可以获得更清晰、更准确的视频图像，特别适合于要求较高的视频显示场景。　　S-Video接口因各种原因，比如人为触摸，带电插拔，天气原因等造成静电浪涌情况发生。如此接口没有做ESD/EOS防护，将会造成内部视频输出芯片损坏，设备不能正常工作。　　上海雷卯EMC小哥在电子设备静电浪涌防护方面是专家，有十年实际为客户服务经验。上海雷卯推出S-VIDEO 等视频接口ESD静电及浪涌保护。　　先来了解下此接口：S-video接口是一种视频传输标准，也称为Y/C接口。它将视频信号分成两个独立的部分：亮度(Y)和色度(C)，分开传输这两部分信号，这种分离传输的方式可以避免亮度和色度信号相互干扰，提高视频传输的质量，视频图像的清晰度和色彩准确性更高。S-video接口通常包括一个4针、7针或9针的接头，其中4针接头用于传输基本的亮度和色度信号，而7针或9针接头则可以支持更多功能，如音频传输等。4针用的最为普遍，此篇以4针为例做静电浪涌保护方案。　　方案一、分立元件 GBLC05C方案　　方案优点：此方案用ESD二极管GBLC05C完成对接口的静电浪涌保护，分立元件SOD-323封装，方便布线，电容低，IPP电流大,18A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。　　方案二、集成元件LCC05DT3 方案　　方案优点：此方案用ESD二极管LCC05DT3完成对接口的静电浪涌保护，集成元件SOT-23封装，节省空间，电容低，IPP电流大,12A，既可以保证信号传输完整性，又可以防护一定的浪涌。并且符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和 ±30kV(接触)标准，具有强的抗静电能力。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。
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发布时间：2025-10-16 14:42 阅读量：346 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>：工业网口防护方案：EtherCAT 协议的静电浪涌防护设计
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上海雷卯：工业网口防护方案：EtherCAT 协议的静电浪涌防护设计

　　一、工业常用网口协议分类　　工业场景中，网口协议需兼顾“通信稳定性”“同步精度”“抗干扰能力” 三大核心需求，不同协议因设计目标差异，在防护方案选型上存在本质区别，主流分类如下：　　实时控制类协议：以 EtherCAT、Profinet IRT 为代表，核心优势是纳秒至微秒级同步精度，支持数千个从站级联，适用于汽车生产线、光伏逆变器集群等需精准协同的场景;防护需重点关注 “低寄生电容”“无额外延迟”，避免破坏同步逻辑。　　通用工业以太网协议：以 Modbus TCP、Ethernet/IP 为代表，基于传统 TCP/IP 架构改良，兼容性强但实时性较弱(毫秒级延迟)，适用于楼宇自控、普通机床监控等场景;防护侧重 “低成本”“易集成”，对容值、延迟要求相对宽松，上海雷卯电子针对此类场景也推出了高性价比防护器件组合。　　高速传输类协议：以 Glink(分高速 / 通用型)、10Gigabit Ethernet 为代表，侧重大数据量高速传输(如工业相机图像、风电设备状态监测数据);高速型需兼顾 “低延迟” 与 “高带宽”，通用型可优先平衡成本与基础防护。　　在工业分布式控制场景中，EtherCAT 协议因支持 65535 个从站、纳秒级同步精度，成为汽车生产线、光伏设备、风电变桨系统的核心通信协议;这类场景中，电机启停浪涌、粉尘静电、户外雷击感应等干扰，常导致 EtherCAT 从站断连、帧滑动延迟超标的问题 —— 其根源在于防护方案未匹配 EtherCAT 的 100Base-TX 差分信号特性与拓扑需求。本文结合雷卯 EMC 技术方案，拆解 EtherCAT 协议的专属防护逻辑。　　二、EtherCAT 防护的核心约束：标准与协议　　EtherCAT 接口需同时满足工业 EMC 强制标准与协议自身特性要求，二者共同决定防护器件选型：　　1. 静电浪涌强制标准　　静电(ESD)：需符合 IEC 61000-4-2 标准，达到Criterion A 级(无通信中断、无性能下降)，具体指标为接触放电 8kV、空气放电 15kV;　　浪涌：IEC 61000-4-5 电源端口 ±4kV(线 - 地)、信号端口 ±2kV(线 - 线)，干扰波形为 8/20μs(工业场景最常见的感性负载启停浪涌波形);　　2. 协议特性限制　　寄生电容敏感：100Base-TX 差分信号(TX+/TX-)对防护器件的单个寄生电容临界值为 5pF，容值超标会导致帧滑动处理延迟超 500ns，直接破坏从站同步精度;　　拓扑兼容性：EtherCAT冗余环网自愈时间需 < 50ms，防护电路(如 GDT、TVS 的响应时间)不能引入额外延迟(需 < 1μs);　　PHY 芯片耐受：多数 EtherCAT PHY 芯片(如 TI DP83848)耐压≤18V，防护器件钳位电压需严格控制在此阈值内，避免芯片过压损坏。　　三、EtherCAT 分场景防护方案：　　从普通到强干扰环境　　场景 1：普通工业环境　　干扰特点：粉尘静电积累(±5kV)、小型电机启停干扰(<±1kV)，无直接雷击风险;　　核心需求：平衡信号保真与成本，无需过度防护;　　雷卯适配方案：　　①信号端防护：雷采用卯二级防护设计，保证百兆网口信号完整性与高温环境下可靠工作，符合IEC 61000-4-2 4 级标准(接触放电 8kV、空气放电 15kV)。　　② 电源端防护：并联SMDJ26CA TVS 管(钳位电压 42V，适配 24V 工业电源，预留电源波动余量，如用40V DCDC 可采用雷卯3LM26CA或3LM33CA 这种回扫型的钳位电压更低的TVS二极管)，阻断电源侧浪涌串入。　　场景 2：强干扰环境(汽车焊装线、电机集群)　　干扰特点：大功率电机启停浪涌(±3kV)、车身静电(±12kV)，共模干扰耦合明显;　　核心需求：大电流泄放 + 信号保真双兼顾;　　雷卯分级防护方案：　　① 第一级：浪涌泄放：RJ45 端口串联雷卯 3R090-5S GDT(气体放电管)，击穿电压 90V，可泄放90%浪涌电流，避免大能量直接冲击 PHY 芯片;　　② 第二级：静电钳位 + 残压控制：后置GBLC03C，将残压严格控制在安全阈值内，同时保证差分信号无失真。　　EtherCAT 防护的核心是 “在 EMC 合规与信号同步精度间找平衡”—— 既要通过分级防护(GDT 泄放 + TVS 钳位)满足 IEC 61000-4 系列标准，又要严格控制防护器件的寄生电容(≤5pF / 单个)与延迟(<1μs)，避免破坏协议的纳秒级同步逻辑;上海雷卯电子的方案已通过多家工业设备厂商验证，可直接落地应用。　　在工业通信领域，不同协议的防护逻辑需紧扣其核心特性—— 除 EtherCAT 外，另一类核心协议 Glink 因分为高速与通用两大类型，防护需求差异显著(高速型侧重 “低延迟保同步精度”，通用型侧重 “低成本与兼容性”)。下一篇雷卯 EMC 小哥将聚焦这两类 Glink 协议的场景化防护方案，进一步拆解 “协议特性决定防护选型” 的核心逻辑。
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发布时间：2025-10-10 15:31 阅读量：430 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子：这两种TVS有啥不同？
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上海雷卯电子：这两种TVS有啥不同？

　　当我们查看TVS二极管的规格书 ,常会看到有以下两种种引脚功能标识图：　　对于初学者，看到感到疑惑，他们一样吗?他们有啥区别?为啥有的两个尖头往外 ，阳极连在一起，有的两个尖头往里，阴极连在一起?一连三问。EMC小哥根据自己经验略作分析。　　使用这两种图的规格书上都有标注 bidirectional ESD protection diode。因此可以确定这两种的功能是一样的，都是双向保护二极管。　　图1在国外品牌规格书上看到的比较多，比如Nexperia(安世)， Littelfuse(美国力特)，VISHAY(威世)等等，图2 国内品牌使用比较多，比如上海雷卯。　　我们看两种TVS二极管在电路中的应用：参看图3，图4。　　先看上图3： 静电过来后首先反向击穿通过D1连接1脚的二极管，然后再正向通过D1的下方连接2脚二极管，(减去大约0.7V )，最后导入到地。　　图4静电过来后首先正向通过D2的上方连接1脚二极管(减去大约0.7V ),然后反向击穿通过D2连接2脚的二极管，最后导入到地。所以，静电进来后两种TVS二极管都是要经过一次反向击穿和正向导通电压才导入到地，所以从电气性能上分析这两种实现的功能是一样的，从应用上是没有区别的。　　那他们本质上有区别吗?我们知道二极管是有PN结组成，如图5，电流从P极进去，N极出来，正向导通， 硅管的管压降VF为0.7V。　　对于TVS二级管，因为是反向击穿起保护作用，所以是从N极流入P极，P极到N极是正向导通。　　那么上面图1，图2两种TVS二极管功能图内部结构可以近似如下图表示：　　这就是这两种二极管内部叠层结构不同。　　因此，从电气特性角度分析，图1和图2所示均为双向TVS二极管，应用上没有区别，仅内部结构存在差异。对工程师而言，只要器件规格书中的参数相近，所实现的功能一致，二者便具备替代性。　　上海雷卯电子(Leiditech)凭借多年技术积累，其国产ESD/TVS器件可兼容替代NXP、SEMTECH、LITTELFUSE、ON、VISHAY、TI等多款国外品牌产品。公司提供包括USB接口、汽车电子、工业控制等领域的电路保护方案，并备有详细替代型号列表供参考。雷卯产品支持样品申请，助力客户实现供应链优化与国产化替代。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-09-19 15:45 阅读量：542 继续阅读>>

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