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润石科技│单通道14位80MSPS 模数转换<span style='color:red'>芯片</span>RS1525

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润石科技│单通道14位80MSPS 模数转换芯片RS1525

　　RS1525是一款14位的单通道A/D转换芯片，采用Pipeline架构设计,集成高性能采样保持电路与高精度电压基准源。RS1525采用单端时钟输入，控制内部全部转换周期。内置占空比稳定电路可补偿大范围时钟占空比波动，全程保持ADC优异的动态性能。数字输出数据支持偏移二进制码或二进制补码两种格式;最高转换速率支持80MSPS。　　RS1525工作电压支持2.7V至3.6V，14位并行数据输出接口，搭配独立的数字输出驱动电路，可兼容2.5V或3.3V逻辑接口。RS1525内置差分基准缓冲器，可以由外部输入正基准、负基准来决定ADC内核的输入量程，内部集成的基准电源可配置为0.5V或1.0V，也可在该区间自定义调节。　　该芯片对标AD9245的参数指标设计，并根据工艺和用户具体应用做了适当的优化和取舍，在工艺满足的前提下尽可能提升参数性能，以使其能满足更多的应用场景，真正做到兼容替换。　　其主要特性：　　Ø 单通道，14位，最高80MSPS;　　Ø 低功耗：360mW @ 80MSPS　　Ø 集成基准参考电压和采样保持　　Ø SNR=72.3dB　　Ø 2Vpp模拟输入电压范围　　Ø 单电源3V工作，支持2.7V~3.6V电压范围　　Ø 待机功耗1.0mW　　Ø 失调误差: ±0.4%FS　　Ø 增益误差: ±1%FS　　Ø 内置占空比稳定电路　　Ø 二进制补码与偏移码输出　　Ø 工业级工作温度范围：-40°C ~ 85°C。　　RS1525采用QFN5X5-32 封装，管脚定义完全兼容AD9245

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润石科技

发布时间：2026-09-16 13:45 阅读量：153 继续阅读>>

充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动<span style='color:red'>芯片</span>破解高功率密度应用难题

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充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题

　　随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进，电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件，凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势，已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑，其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战，如何通过驱动IC的技术创新，把GaN的理论性能充分释放，已经成为行业关注的焦点。　　本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开，剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。　　GaN市场迎来跃迁：　　从消费电子走向高端高功率场景　　GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景，AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场，同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域，也在加速导入GaN方案，充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。　　数据中心供电：　　功率密度激增，GaN的核心战场　　AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops，迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops，算力提升12倍的同时功耗提升6倍，算力与功耗同步高速增长。　　行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代，计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内，单机柜功率由60kW一路走高至600kW，未来规划将迈向1MW机柜，然而机柜物理体积并没有同步放大，对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。　　以数据中心PSU电源单元为例，当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步，高压上板的板载DC‑DC模块，功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标，也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。　　机器人关节：　　下一个高功率密度主战场　　人形与四足机器人属于电池供电移动式设备，自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴，要在极小的结构空间里面实现全部性能，GaN凭借高频小型化的能力，成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线，目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。　　综合两大场景可以看到，消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景，系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益，GaN的产业重心已经发生明显迁移。　　GaN工程落地痛点：　　驱动IC如何破解器件固有难题　　GaN材料拥有优异的理论性能，但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行，需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作，这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求：高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。　　针对上述工程挑战，纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵，通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装，搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术，从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险，帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能，降低整机系统的设计调试门槛。　　痛点一：　　高频高速工况，对驱动抗扰、延时、　　封装提出极限要求　　GaN开关速度极快，节点电压可在纳秒级别大幅跳变，电磁环境恶劣，驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低，匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力，最小传输延时低至2.6ns。　　极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件，而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套，封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017，此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格，覆盖从激光雷达高频小体积，到大功率工业电源的多元布板需求。　　痛点二：　　导通阈值低，易发生误导通风险　　主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右，很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启，带来系统损坏风险。　　传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降，器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V，距离1.1V阈值十分接近，电路任何微小扰动，都可能造成GaN误导通。　　纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道，硬件层面舍弃关断二极管，从根源降低误导通风险，该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。　　为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断，行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类：　　双绕组变压器方案：正负绕组分别输出正压、负压，性能好，但绕组数量多，成本高;　　单绕组搭配稳压管方案：绕组数量减少，成本折中，但正负电压互相牵制;　　自举搭配分立器件方案：成本最低，但需要持续发波建立负压，对半桥占空比存在限制，工况适配范围受限。　　三类分立方案各有短板，很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动，芯片内部集成负压生成电路，无需外部复杂分立负压网络，一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。　　针对双向GaN开关应用，驱动调试难度更高，纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB，为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案，大幅简化双向拓扑硬件设计。　　痛点三：　　第三象限反向导通，　　带来自举上管VGS过压隐患　　GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时，SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电，造成上管栅源电压VGS被充到7V附近，对GaN的稳定运行带来高风险。　　行业传统分立解决思路存在明显短板：一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位，会带来额外损耗、温升，占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管，试图拉低反向负压，却会增加寄生参数，牺牲功率密度，违背选用GaN器件的初衷。　　理想的解决思路是在GaN反向导通阶段，直接切断自举充电通路，阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高，分立器件很难落地，却是集成电路的优势所在。　　纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关，在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路，规避VGS过压风险，且集成米勒钳位功能，有效避免误导通，在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外，半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压，不依赖外部自举供电，同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题，排除寄生电容影响，提升开关速度。　　纳芯微提供完整产品矩阵，　　赋能超高功率密度系统开发　　针对不同应用场景，纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵，客户可以按需选型：　　NSD2017：WLCSP 1.2×0.8mm超小封装，2.6ns超低延时，适配激光雷达等高频、极致小型化应用;　　NSD2123：110V半桥驱动，集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关，面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;　　NSD2012N：单管GaN驱动，集成LDO+负压关断，QFN 3×3mm小封装;　　NSD2622N：700V高压半桥驱动，集成LDO与负压关断，面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;　　NSD2621：700V半桥驱动，芯片内集成LDO稳压。　　同时需要注意的是，GaN带来的系统升级，挑战不只来源于功率器件本身，也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代：采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构，系统隔离性能也需要同步匹配。　　作为全品类数模混合信号芯片提供商，除了GaN驱动以外，纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动，同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片，覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求，帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。

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纳芯微

发布时间：2026-09-11 10:37 阅读量：240 继续阅读>>

展会第二日，载誉前行！航顺<span style='color:red'>芯片</span>荣获 2026 年度硬核 MCU <span style='color:red'>芯片</span>奖，产品总监现场重磅开讲！

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展会第二日，载誉前行！航顺芯片荣获 2026 年度硬核 MCU 芯片奖，产品总监现场重磅开讲！

　　9 月 10 日，2023 第 23 届 elexcon 深圳国际电子展步入开展第二日，深圳市航顺芯片技术研发有限公司展位(16 号馆 16B46)持续人气高涨。继首日接待大批行业客户、工程师莅临交流之后，今日航顺再传两大重磅喜讯：荣获2026 年度硬核 MCU 芯片奖，产品总监 Frank 带来公开技术主题分享，硬核产品矩阵持续收获行业高度认可。　　01　　航顺芯片斩获 2026 年度硬核 MCU 芯片奖　　由芯师爷发起的 2026 年度硬核芯评选，汇聚 50 万工程师线上投票，结合 100 位行业专家评委综合评审，是国内半导体领域极具含金量的行业评选，代表产业工程师群体对国产芯片产品实力的真实认可。　　在第八届硬核芯生态大会暨颁奖盛典现场，航顺芯片成功拿下2026 年度硬核 MCU 芯片奖。这份荣誉，是行业对航顺 HK32MCU 全系列产品技术实力、稳定供货能力、国产化落地成果的充分肯定。　　从 HK32F001、HK32L010 到 HK32F403/401 完整产品体系，到覆盖 M0/M3/M4 全内核的完整矩阵，多年来航顺芯片深耕国产 MCU 赛道，坚持打磨高性价比、高可靠性的芯片产品，广泛落地工业控制、汽车电子、智能家居、消费电子等千行百业。奖项既是一份沉甸甸的认可，更是鞭策我们持续深耕国产化替代道路的动力。　　02　　产品总监 Frank 登台第八届中国嵌入式技术大会　　今日下午，第八届中国嵌入式技术大会正式启幕，航顺芯片产品总监 Frank 带来《航顺 HK32 M0→M3→M4 再迭代升级，极致性价比拉爆》主题演讲演讲围绕 HK32MCU 全谱系迭代路径展开，深度拆解从 M0 入门级、M3 主流到 M4 高性能产品的技术演进逻辑，分享产品在功耗、封装、外设资源、成本优化上的核心突破，结合大量真实落地案例，与现场嵌入式工程师、产业链同仁共同探讨国产 MCU 如何以极致性价比，赋能各行业终端产品降本增效。　　面对当下半导体下半场市场环境，国产 MCU 不能只做到简单功能对标，更要持续迭代内核性能、优化封装尺寸、夯实供应链保障。Frank 在分享中讲到，HK32F001、HK32L010 到 HK32F403/401的产品布局，就是为给客户提供连贯、统一、平滑迁移的国产化选型方案，减少客户软硬件二次开发成本，真正实现平稳替代。　　03硬核展品持续开放，见证国产芯片硬实力　　深圳国际会展中心16号馆 16B46 的航顺芯片展台，欢迎广大客户、工程师朋友莅临面对面交流。展台核心聚焦多应用板块实物展示：汽车应用展区、工业应用展区、消费电子应用展区、机器人应用展区、BMS 电池管理应用展区五大板块同步对外开放，覆盖车载外设、工业自动化、消费家电、智能装备、锂电能源等主流赛道。重点展出 HK32F001、HK32L010、HK32F403/401 明星芯片组合，全球小于 1mm² 面积入门级 M0 产品、超低功耗系列、小于 2.5mm² 入门级 M4 工业级 MCU 悉数亮相;同时陈列车规级 HK32AUTO39A/A040、BLE 无线 SoC、音频 SoC 以及 EEPROM、NOR Flash 等全套存储配套器件。小尺寸封装、宽温工业级样品直观呈现，方便工程师现场评估性能、查阅技术手册。　　现场大量 PCBA 样板与终端整机实物，全部为市场已经批量落地的参考方案，直观展现 HK32MCU 系列芯片在不同工况下的实际表现。众多来访工程师驻足观摩样品，与技术团队深度沟通选型、软硬件适配、批量供货等实际问题。

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航顺

发布时间：2026-09-11 10:04 阅读量：90 继续阅读>>

聚光算力！思瑞浦全系列光通信模拟<span style='color:red'>芯片</span>方案亮相2026CIOE

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聚光算力！思瑞浦全系列光通信模拟芯片方案亮相2026CIOE

　　2026年9月9日-11日，聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦(股票代码：688536)精彩亮相 2026 CIOE 光博会，集中展示面向光通信领域的模拟与数模混合芯片创新解决方案。展品覆盖800G/1.6T可插拔高速光模块方案(适配硅光、EML双技术路线)、CPO/NPO共封装光学与ELSFP外置光源量产级配套方案、OCS全光交换成套控制方案，以及相干光模块与EDFA光放大全链路方案，全面释放光通信模拟芯片的更多可能，助力客户探索AI算力与光互联时代的下一代创新。　　思瑞浦CEO吴建刚表示："AI算力需求的爆发式增长正在驱动光通信产业加速迭代，从800G到1.6T乃至更高速率的光模块演进，对模拟芯片的集成度、功耗与性能提出了前所未有的挑战。思瑞浦深耕高性能模拟与数模混合芯片领域，已围绕光模块、CPO、服务器等应用方向形成多层次、全品类产品布局。我们致力于以更高集成、更低功耗、更可靠的芯片方案，帮助客户应对高速光互联设计中的复杂挑战，携手推动光通信产业迈向新高度。"　　800G/1.6T 可插拔高速光模块方案　　覆盖硅光、EML 双路线，思瑞浦可提供一站式模拟芯片配套方案，满足AI算力中心高速光模块需求。　　硅光路线上，TPAFEA003A/TPAFEA003B、TPAFEA005高精度硅光AFE专为 800G/1.6T 硅光模块定制开发，单颗芯片即可替代两颗及以上传统 AFE 器件，内部集成多通道 DAC、Heater驱动、多路IO与ADC，兼顾大电流激光器驱动能力与整机低功耗表现，可兼容各类主流PIC光子芯片，形成完整器件矩阵，实现光功率监测、温控以及信号采集全链路功能。　　EML 路线依托TPAFEA108、TPAFEA008内置负压偏置电路，有效降低激光器调试门槛，适配集群短距离高速互联场景。其中TPAFEA108属于信号链与电源高度集成产品，大幅缩减外围元器件数量，降低整机成本与布板难度。后续迭代产品还将进一步提升通道密度、优化噪声指标，匹配1.6T EML光模块开发需求。整套方案依托低噪声电源器件保障模块实现高带宽、高消光比稳定输出，除光收发器外，同样可应用于测试测量仪器等设备。　　CPO/NPO 共封装光学+ELSFP外置光源方案　　针对下一代高密度光电集成技术发展方向，思瑞浦CPO/NPO共封装光学、ELSFP外置光源两套完整方案均已完成客户验证，有效帮助客户压缩产品研发周期，加快产品推向市场。　　在CPO/NPO光引擎方向，思瑞浦打造多通道高精度AFE、低噪声LDO、高速接口、温度监测全维度芯片矩阵。结合共封装架构狭小的内部空间特点，产品重点完成小型化、低噪声专项优化，可完成激光器偏置调节、调制器偏压控制、光功率实时反馈等核心功能，支撑客户开发紧凑型、高可靠性光引擎产品。　　ELSFP外置光源方案以TPAFEA003A/B多通道IDAC激光驱动为核心，搭配双通道低纹波Buck芯片TPP205307 ，具备输出纹波低、瞬态响应速度快的特性，能够抑制电源噪声对激光器造成干扰;双路独立输出可简化整机电源架构，保障输出连续波激光的稳定性。后续还将推出TPAFEA009集成分立IP方案，进一步优化PCB布板条件，压缩整机成本。整套方案支持热插拔与冗余设计，充分保障 AI 集群、数据中外置光源长期稳定工作。　　OCS全光交换成套控制方案　　面向数据中心全光交换(OCS)场景，思瑞浦展出OCS全光交换成套控制方案。方案涵盖光开关阵列的多通道高精度驱动、通道状态监测与系统控制逻辑，依托思瑞浦在多通道模拟前端、高精度数据转换器、接口与逻辑器件等领域的产品组合，为客户提供从驱动控制到状态监测的一站式芯片解决方案。　　方案中的多通道高精度驱动芯片TPC2400 ，专为光开关阵列设计，具备多路独立通道、高精度电流输出，支持通道快速切换，同时集成状态检测功能，可实时反馈开关工作状态，降低外围电路复杂度。　　思瑞浦在OCS领域已形成成熟的产品组合和客户量产经验，展台现场重点展示光开关阵列的高精度多通道驱动与控制技术，助力数据中心构建更高效、更灵活的全光交换网络。　　相干光模块与EDFA光放大全链路方案　　相干光模块方面，依托多路数模转换芯片TPAFEA003A/B、TPC2190，搭配精密运放TPA597x/599x、对数放大器TPA8304，充分满足相干系统对于高线性度、低相位噪声、低功耗的严苛技术指标。EDFA掺铒光纤放大器场景中，借助对数放大器完成泵浦光功率的精准检测，实现光纤链路信号无损放大。目前方案内多款信号链、电源类芯片已实现规模化批量出货，持续保障长途传输链路的信号传输质量。　　思瑞浦是国内高性能模拟与数模混合芯片头部企业，业务覆盖泛通信、泛工业、汽车与消费电子四大下游。公司累计量产产品型号超3200款，在信号链、电源管理等30多个核心产品领域实现突破。随着光模块产品从800G逐步升级并布局更高规格1.6T产品，思瑞浦已形成多层次、高壁垒产品布局。未来，思瑞浦将持续聚焦高速光互联技术迭代，持续扩展高价值产品线，不断强化光通信模拟芯片核心竞争力，助力国内光通信产业自主创新与升级发展。

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思瑞浦

发布时间：2026-09-10 10:06 阅读量：231 继续阅读>>

存储<span style='color:red'>芯片</span>的主要类型以及常见应用场景解析

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存储芯片的主要类型以及常见应用场景解析

　　随着信息技术的迅猛发展，存储芯片成为电子设备中不可或缺的重要组成部分。存储芯片不仅决定了设备的数据存储容量和速度，还直接影响整体性能和用户体验。　　存储芯片的主要类型　　存储芯片大体上可以分为两大类：易失性存储器和非易失性存储器。　　1. 易失性存储器　　易失性存储器指的是断电后数据即丢失的存储器。其主要代表包括：　　动态随机存储器(DRAM)　　DRAM是目前最普遍的主存储器，用于计算机及移动设备的运行内存。其特点是速度快、容量大，但需要不断刷新电荷以保持数据。　　应用场景：计算机主内存、服务器内存、手机RAM。　　静态随机存储器(SRAM)　　SRAM无需刷新电荷，速度更快，但成本高且容量相对较小。它常用于高速缓存(Cache)，提升处理器的数据访问速度。　　应用场景：CPU缓存、高速缓冲存储。　　2. 非易失性存储器　　非易失性存储器断电数据依然保持，是数据存储和传输的重要载体。主要类型有：　　闪存　　以NAND和NOR闪存为代表，闪存可反复擦写，广泛用于存储设备中。　　NAND闪存：容量大，适合大容量存储。　　NOR闪存：访问速度快，适合执行代码存储。　　应用场景：固态硬盘(SSD)、U盘、智能手机存储。　　只读存储器(ROM)　　主要用途为存储固定程序或数据，通常出厂时写入数据，用户无法修改。传统ROM现今多被EPROM、EEPROM替代。　　应用场景：固化固件、启动程序(BIOS)。　　电可擦可编程只读存储器(EEPROM)　　可在电气条件下擦写数据，灵活性较高，常用于存储少量关键配置信息。　　应用场景：硬件配置储存、微控制器内部存储。　　磁阻随机存储器(MRAM)、铁电随机存储器(FRAM)等　　新兴非易失性存储技术，具备高速读写、耐用性强的优势，但成本较高，正在逐步进入市场。　　应用场景：工业控制、高可靠性存储。　　存储芯片的常见应用场景　　根据不同的存储特性，存储芯片在各行各业发挥着不同的作用：　　1. 计算机与服务器　　DRAM作为主内存，支持多任务处理和高速数据访问。　　SRAM作为缓存，提升CPU指令执行效率。　　NAND闪存(SSD)用于系统存储，提高启动速度和文件读写性能。　　2. 移动设备　　闪存为智能手机、平板电脑提供大量存储空间，支持照片、视频、应用等数据存储。　　DRAM保证应用运行流畅。　　3. 消费类电子　　数码相机、MP3播放器、智能手表等依赖闪存存储媒体内容和操作系统。　　电视机顶盒和智能家居设备使用EEPROM保存设备配置参数。　　4. 工业与汽车电子　　工业自动化设备使用EEPROM和FRAM保存关键配置，保证设备断电不丢失数据。　　汽车电子系统依赖高可靠性的存储芯片确保行车数据和软件的安全性。　　5. 云存储与大数据中心　　大容量、高速的DRAM和闪存组合使用，满足海量数据快速处理需求。　　新型存储技术(如MRAM)逐渐应用于极端环境与高可靠性场合。

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发布时间：2026-09-03 11:20 阅读量：280 继续阅读>>

<span style='color:red'>芯片</span>低功耗的表现及重要原因

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芯片低功耗的表现及重要原因

　　随着电子设备的广泛普及和智能化水平的不断提升，芯片的低功耗设计成为了现代半导体技术发展的重要方向。低功耗不仅能够延长电池使用时间，提升设备的便携性和用户体验，还能有效降低系统的散热需求，提高整体系统的可靠性和稳定性。　　芯片低功耗的表现　　静态功耗减少　　静态功耗主要来自芯片在非工作状态下的泄漏电流，这是芯片在待机或空闲模式下消耗的能量。低功耗芯片通常通过采用先进的工艺节点和降低阈值电压来减少晶体管的漏电流，显著降低静态功耗。　　动态功耗降低　　动态功耗发生在芯片电路切换状态时，主要与开关电容充放电相关。低功耗芯片通过优化电路架构、降低工作电压、调整时钟频率等手段，减少电路切换次数和电压摆幅，从而降低动态功耗。　　功耗管理策略　　现代芯片集成了多种功耗管理技术，如多电压域设计、动态电压频率调整(DVFS)、时钟门控技术，以及休眠模式和待机模式的高效切换。这些技术使得芯片能够根据工作负载动态调整功耗，达到节能效果。　　热耗散降低　　低功耗芯片在运行时产生的热量较少，有助于减少散热系统的负担，降低设备散热设计的复杂度，提升系统的耐用性和安全性。　　芯片低功耗重要原因　　延长设备续航时间　　移动设备如智能手机、穿戴设备、物联网终端等依赖电池供电，低功耗设计能够极大延长电池续航时间，提升用户体验，满足便携式设备对电池寿命的严苛要求。　　节约能源和环保需求　　降低芯片功耗意味着减少整体能耗，有助于实现绿色环保目标。特别是在大规模数据中心、智能终端设备普及的时代，低功耗芯片能有效降低能源消耗，减少碳足迹。　　提升系统稳定性和可靠性　　功耗降低带来的是芯片发热量减少，温度降低可以减少热应力对芯片性能的影响，延长器件寿命，提高系统的稳定性和可靠性。　　适应高集成度和复杂性发展趋势　　随着芯片集成度日益提高，功能越发复杂，功耗管理成为制约芯片性能和发展的一大瓶颈。低功耗设计使得高性能和高集成度芯片在有限的功耗预算下得以实现。　　满足差异化市场需求　　不同应用场景对功耗要求不同，低功耗芯片能够满足从高性能计算到嵌入式控制等多样化市场需求，增强芯片产品的竞争力。　　总结来说，芯片低功耗的表现主要体现在静态功耗和动态功耗的有效控制，以及先进的功耗管理策略上。低功耗设计不仅延长了设备续航时间，降低了整体能耗，还提升了系统的稳定性和可靠性。

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低功耗

发布时间：2026-09-02 10:19 阅读量：259 继续阅读>>

新品发布 | 核芯互联发布CLAFE500国产高性能8通道AFE模拟前端<span style='color:red'>芯片</span>

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新品发布 | 核芯互联发布CLAFE500国产高性能8通道AFE模拟前端芯片

　　核芯互联推出CLAFE500—— 一款专为工业超声成像、水下声纳与探测系统、多通道雷达接收阵列等高端应用场景打造的高度集成模拟前端(AFE)解决方案。该芯片以卓越的信号链性能、完整的TGC成像路径和极低的功耗表现，为声纳及超声系统带来优质的图像质量。　　01　　芯片简介及实拍　　CLAFE500采用多芯片模块(MCM)形式实现，内部集成3个物理裸片：两个4通道AFE裸片(AFE1 / AFE2)及一个8通道ADC裸片，在紧凑的封装内实现8通道完整信号链。　　CLAFE500芯片实物(正面丝印&BGA焊球阵列)　　裸片互连架构图　　8通道简化框图　　02　　核心性能指标　　CLAFE500在1.8V单电源供电下工作，支持-55°C ~ 105°C宽温范围，典型25°C测试条件下展现出优异的模拟前端性能：　　03　　完整信号链架构　　每通道集成低噪声放大器(LNA)、时间可编程增益放大器(TPGA)、可编程增益放大器(PGA)和低通滤波器(LPF)，配合后端 14bit ADC，形成一条完整的增益补偿 / 时间增益补偿(TGC)成像路径。　　LNA低噪声放大器：支持 12 / 18 / 24 dB 三档增益，单端输入转差分输出，采用专有 MOSFET 输入架构实现超低噪声　　TPGA时间可编程增益：-8 ~ 40 dB 连续可调，0.25 dB 步进，支持固定增益模式与上升/下降斜坡 TGC 模式　　PGA可编程增益：-12 ~ 30 dB，6 dB 步进，灵活适配不同灵敏度需求　　LPF低通滤波器：3 阶巴特沃斯有源滤波，六档带宽可选(145kHz ~ 1320kHz)，自动匹配增益优化动态范围　　14bit ADC：8 个物理 ADC 核，ENOB 达 12.5 bit，SNR 77 dBFS，LVDS 串行数据输出　　04　　灵活的时间增益控制　　针对声纳及超声成像中信号随深度衰减的特点，CLAFE500内置强大的TGC引擎：　　支持上升/下降斜坡模式，通过TGC_SLOPE、TGC_UP_DN 等外部引脚实时控制增益变化;起始增益、停止增益、正/负步进及步进频率均可通过寄存器灵活配置，实现随时间精确变化的增益曲线，有效补偿声波在介质中的传播损耗。　　同时，芯片具备快速且一致的过载恢复能力，输入大信号阻塞后输出可在极短时间内恢复正常，确保成像连续性。　　上升/下降斜坡模式　　05　　评估板方案　　为帮助客户快速验证与导入，核芯互联同步推出CLAFE500官方评估板(EVB)。板载完整电源管理、FPGA 数据采集及多通道SMA输入接口，开箱即可进行性能评测。　　CLAFE500 V1评估板(2026年7月版)　　06　　典型应用场景　　针对声纳及超声成像中信号随深度衰减的特点，CLAFE500内置强大的TGC引擎：　　07　　接口与易用性　　CLAFE500采用标准SPI接口进行寄存器配置，AFE1、AFE2、ADC三裸片共享 SDI / SCLK，独立CS / SDO，便于MCU / FPGA 灵活控制。数字输出采用LVDS差分接口，支持SDR/DDR两种模式，单通道14bit串行数据速率高达 280 Mbps，帧时钟与位时钟齐全，简化后端 FPGA 接收设计。　　芯片同时支持硬件关断(PD / PD_FST)与软件关断，可根据系统功耗策略灵活选择，关断响应快速彻底。

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核芯互联

发布时间：2026-08-28 10:51 阅读量：313 继续阅读>>

全光交换OCS核心驱动<span style='color:red'>芯片</span>！思瑞浦发布全集成32通道200V高压DAC<span style='color:red'>芯片</span>

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全光交换OCS核心驱动芯片！思瑞浦发布全集成32通道200V高压DAC芯片

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦 3PEAK(股票代码：688536)推出高集成度32通道、14位数模转换器(DAC)TPC2400。面对AI超算集群与超大规模数据中心对全光交换(OCS)的爆发性需求，TPC2400内部集成14位高精度DAC，高压输出放大器，满量程输出电压达最高200V，并且集成内部采样ADC、高压负载开关、独立输出关断和故障告警等功能，专为基于MEMS技术的OCS高密度高压控制场景打造，以保障系统长期稳定和可靠运行。　　OCS(Optical Circuit Switch，光电路开关)是一种在光域直接实现光信号路由与切换的设备。在AI万卡/十万卡GPU超算集群及超大规模数据中心中，OCS被越来越多的头部互联网和云厂商用于AI/HPC网络脊节点(Spine Layer)、大容量网络骨干层及动态拓扑重构，有效解决了传统电交换网络功耗飙升与散热极限的瓶颈。　　为什么需要TPC2400? MEMS 微镜依靠静电吸引力驱动偏转，通常需要数十至上百伏的高压控制。传统方案由“低压DAC+外挂海量高压运放”组成，系统极为臃肿。TPC2400专为解决这一核心痛点打造，该产品目前正在多家客户端测试验证中。　　01　　产品优势　　32通道独立高压DAC　　单芯片集成32通道14位DAC及高压输出放大器，满量程输出电压支持50V至200V编程调节，覆盖不同端口数量OCS方案中，对MEMS微镜静电偏转驱动所需的高压偏置要求，大幅降低系统BOM成本与PCB占板面积。　　灵活可选三线/四线SPI控制模式　　用户通过硬件管脚可以灵活配置芯片工作在三线或者四线SPI模式下，支持回读功能，用于读取配置、监控高压输出、获取各种故障告警及故障详细信息等，极大提高了系统的控制可靠性和故障监控能力。　　32通道独立可控关断　　系统MEMS微镜出现意外故障后，TPC2400每个输出通道均可独立关断，保持高阻状态，防止因为微镜短路等意外故障导致的芯片损坏，同时可以降低系统功耗。　　高压供电端集成负载开关　　TPC2400芯片内部集成了负载开关功能，当DAC输出负载出现短路等意外情况时，可以自动关断芯片内部高压供电路径，既能保护芯片自身的安全，又可以避免对于高压供电电源端的影响。　　全集成输出电压和温度监控功能　　TPC2400内部集成了32路输出高压采样网络，12位ADC，可以用来监控输出和实际设定电压是否一致，确保系统实时工作状态正常，极大提高了系统的可测性。　　内部温度传感器可以用来监控芯片工作温度，支持模拟电压输出外部采集或者内部ADC采集后输出对应温度数字码。　　软硬件故障告警功能　　TPC2400提供多种故障告警功能，包括输出短路，高压过流等，故障信息可以通过硬件ALARM管脚输出中断信息，也可以通过软件回读故障寄存器信息。02产品特性　　通道数与分辨率： 32通道、14位分辨率数模转换(DAC)　　高压可调输出：集成高压输出放大器，满量程输出电压可在 50V至200V范围内灵活编程(基于参考电压输入调节)　　驱动能力：具备500µA的Source/Sink电流驱动能力　　高速控制接口：支持3线及4线SPI串行通信协议，最高时钟频率可达40MHz　　内置监控与诊断(Readback Monitoring)：　　o集成12位SAR ADC与多路复用器(Mux)　　o支持DAC输出电压回读监测　　o支持芯片内部温度实时监测　　o支持通过AMUX引脚进行外部ADC采样扩展　　系统级安全保护：　　o各通道具备独立的短路(Short Circuit)检测机制，并可通过专用ALARM引脚实时输出报警信号　　o集成阈值可编程的高压负载开关(Load Switch)　　o支持各通道独立的关断/低功耗模式(Power Down)　　封装形式与工作温度：　　o紧凑型BGA 15mm×15mm-124封装　　o工业级工作温度范围：−10°C至+85°C　　03典型应用　　思瑞浦提供面向OCS MEMS控制需求的全套解决方案：　　3PEAK Solution for MEMS OCS　　除了TPC2400，思瑞浦可以为OCS系统提供包括电源和信号链的整套外围模拟解决方案，根据OCS功能以及系统需求，当前总体解决方案汇总如下：

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思瑞浦

发布时间：2026-08-26 13:30 阅读量：335 继续阅读>>

上海雷卯丨DC-DC省钱新方法：换一颗回扫TVS，后端电源<span style='color:red'>芯片</span>直接耐压降本

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上海雷卯丨DC-DC省钱新方法：换一颗回扫TVS，后端电源芯片直接耐压降本

　　做工业、车载、消费电源硬件的工程师几乎都踩过同一个成本陷阱：电源输入端必须加 TVS 防浪涌，可普通 TVS 浪涌时残压 VC 居高不下，为了不烧后端 DC-DC，只能被迫选高耐压、贵价的电源芯片;整机 BOM、采购成本直接拉高，大批量出货利润被压缩。　　很多人默认“TVS 只能随便选一颗便宜的就行”，但实际存在反向降本思路：小幅增加 TVS 采购成本，大幅降低 DC-DC 芯片耐压规格，整机综合成本反而下降。核心器件就是带回扫(Snap-back)特性的低钳位 TVS，下面结合原理、实测参数、真实工业案例给大家算清这笔成本账。　　一.普通TVS为什么逼你买高价DC-DC　　1　　普通TVS固有特性：电流越大，残压越高　　普通TVS击穿导通后，浪涌冲击电流 IPP 越大，钳位电压VC同步线性抬升。　　举工业24V母线典型案例：　　一般考量9-32V的宽压输入，常规采用33V普通TVS如SMDJ33CA，浪涌峰值电流下最大钳位电压可达53.3V。　　按照硬件设计安全裕量规则，后端DC-DC芯片耐压必须高于TVS最大残压，否则浪涌测试可能直接烧毁电源IC。　　于是设计师只能放弃36V耐压平价DC-DC，被迫选用60V/80V高压版本，单价直接上涨。　　2　　行业普遍痛点　　1、EMC浪涌测试通过率低，反复改板、复测，拉长项目周期;　　2、高耐压DC-DC芯片供货紧张，交期拉长;　　3、大批量生产时，单台设备DC-DC差价累积，百万台出货成本差几十万;　　4、高耐压电源芯片导通内阻更大，整机功耗、温升同步恶化。　　二.回扫型TVS核心原理　　浪涌瞬间拉低残压，给DC-DC “减压”　　回扫TVS内部为SCR可控硅结构，拥有负阻回扫区间，核心特性两点：　　1.电压到达触发电压VT1后，瞬间把钳位电压下拉至维持电压Vh;　　2.即便浪涌电流持续增大，VC上升幅度极小，同等IPP下，钳位电压比普通TVS低 30%以上。　　通俗解释：浪涌来袭时，回扫TVS能把母线尖峰死死压在很低的区间，后端DC-DC承受的电压应力大幅降低，不用再预留超大耐压余量。　　三.普通TVS VS 回扫TVS　　(24V工业电源场景) 实测参数对比　　※　　器件成本差价(立创商城批量价参考)　　回扫TVS内部为SCR可控硅结构，拥有负阻回扫区间，核心特性两点：　　1.电压到达触发电压VT1后，瞬间把钳位电压下拉至维持电压Vh;　　2.即便浪涌电流持续增大，VC上升幅度极小，同等IPP下，钳位电压比普通TVS低 30%以上。　　通俗解释：浪涌来袭时，回扫TVS能把母线尖峰死死压在很低的区间，后端DC-DC承受的电压应力大幅降低，不用再预留超大耐压余量。　　三.普通TVS VS 回扫TVS　　(24V工业电源场景) 实测参数对比　　器件成本差价　　　　单台 DC-DC 差价：2.79元　　单台TVS差价仅0.4元。　　整机单台净降本计算　　单台综合成本= DC-DC差价- TVS加价 = 279-0.4=2.39元/台　　若年出货量10万台，仅电源回路一年直接节省成本20W元;出货量越大，降本效果越明显。　　TVS 加价0.4元，浪涌最大钳位电压锁定38V;　　DC-DC 降级更换为40V 耐压，单价降至1.78元;　　测试结果：IEC61000-4-5 线线±2kV浪涌全通过，无烧毁;　　单台设备电源回路净2.39元，客户年出货10万台，年度节约采购成本20万元，同时解决芯片烧毁返工、浪涌测试等问题，售后维修成本同步下降。　　四.选型落地指南：不同场景回扫TVS推荐　　五.硬件降本新思路别再盯着防护器件省小钱　　多数工程师选型习惯优先压低TVS单价，却忽略后端DC-DC、主控芯片的大额成本差，陷入 “省几分TVS，多花几块IC” 的误区。　　回扫型低残压TVS的核心降本逻辑：用极小的TVS溢价，换取DC-DC芯片耐压规格降级，实现整机BOM大幅下降，同时提升EMC通过率、减少售后返工、优化整机功耗，属于兼顾成本与可靠性的双赢方案。　　如果您的设备存在24V工业母线、车载12/24V电源、Type-C快充、射频等端口静电浪涌烧毁DC-DC、电源芯片成本居高不下的问题，可以优先评估雷卯带回扫特性的 TVS/ESD方案。

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上海雷卯

发布时间：2026-08-13 10:03 阅读量：372 继续阅读>>

恩智浦丨BMS电化学阻抗谱 (EIS) <span style='color:red'>芯片</span>组：全面提升电池包安全与性能！

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恩智浦丨BMS电化学阻抗谱 (EIS) 芯片组：全面提升电池包安全与性能！

　　恩智浦推出其首款内置电化学阻抗谱 (EIS) 功能的电池管理系统 (BMS) 芯片组。该芯片组采用精确的基于硬件的同步技术，可对单个高压电池包内所有电芯的测量数据进行同步。　　恩智浦支持EIS的BMS芯片组通过一个完整的评估平台进行演示，该平台由以下器件组成：　　BMA7418——模拟前端 (AFE)　　BMA6402——系统网关　　BMA8420——电流传感器 (I-Sensor)　　上述评估平台共同实现了出色的系统级性能，包括：纳秒级电芯、电流及电池包测量同步;电池包级高能效激励;以及可与商用实验室设备相媲美的阻抗测量精度。　　该EIS芯片组与现有BMS设计引脚兼容，支持轻松迁移与快速部署，无需进行重大硬件改动即可实现无缝升级。通过复用现有系统架构和第二代软件协议栈，OEM厂商能够以最小的重新设计工作量和更低的开发风险，快速集成EIS功能。　　该BMS EIS芯片组解决方案将成熟的电化学阻抗谱技术引入量产就绪的车载电池管理系统中。通过采用与当前先进BMS架构兼容的可直接替换器件，该解决方案能够更深入地洞察电池的健康状况、安全性和性能。　　目标应用　　汽车领域　　电池管理系统 (BMS)　　电动两轮车　　混合动力电动汽车 (HEV) 应用　　电动汽车 (EV) 多合一系统集成　　工业领域　　储能系统 (ESS)　　电动汽车供电设备 (EVSE)　　数据总线和电池管理　　机器人　　主要特性　　基于硬件的同步：该EIS芯片组采用了基于硬件的同步算法，能够对整个电池包中的阻抗数据进行比较。　　频率范围：提供0.1至1kHz的宽频率范围，能够测量各种效应，覆盖从固相扩散到内短路评估等各个方面。　　激励校准机制：BJB器件中集成双傅里叶变换 (DFT) 电流测量技术，能够精确校准激励信号。　　测量精度与洞察力：阻抗测量精度与商用实验室设备相当稳健的电阻测量，为可靠的健康状态 (SoH) 估算提供支持，纳秒级电芯、电流及电池包测量同步整个电池包内阻抗数据完全可比，便于轻松追踪异常值。　　高级诊断与安全：通过硬件同步及前端DFT实现快速异常值检测，提升诊断与预测性维护能力，增强系统可靠性与电池包安全性。精确的电芯监测，优化电池性能并实现寿命预测。　　充电性能与热控制：电池包级高能效激励，提升快充场景下的温度追踪能力，在不损害电池健康的前提下实现更快速、更安全的充电。　　系统集成与可扩展性：引脚兼容的EIS升级芯片组，可复用现有BMS架构，通过复用第二代软件协议栈实现轻松迁移，以最小的硬件重新设计工作量实现简便的系统集成。　　BMS EIS芯片组解决方案框图　　核心价值　　出色性能：纳秒级同步　　出色的测量精度，可媲美商用实验室设备　　引脚兼容的EIS升级芯片组，便于从不具备EIS功能的现有BMA/BMI解决方案过渡　　得益于电池包级概念，实现高能效激励　　基于集中式激励，实现成本优化、低风险的EIS系统升级路径　　实验室级阻抗精度，支持先进的健康状态 (SoH) 估算　　跨电芯、电流及电池包实现纳秒级同步测量　　通过硬件同步和前端DFT技术，实现快速异常值检测　　高能效电池包级激励，实现更快速、更安全的充电　　可直接替换、引脚兼容的升级方案，轻松升级现有BMS架构　　复用第二代软件协议栈，便于迁移与集成　　增强安全性、诊断能力和预测性维护　　降低开发成本，加快产品上市进程　　BMS软件框图　　使能工具和技术资源

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恩智浦

发布时间：2026-08-11 14:07 阅读量：379 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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