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从 Micro LED 到 CPO：禹创<span style='color:red'>半导体</span>打造下一代光电集成关键平台

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从 Micro LED 到 CPO：禹创半导体打造下一代光电集成关键平台

　　锁定800G/1.6T升级浪潮，以「可验证、可量产、可交付」加速AI算力中心光互连落地。　　禹创半导体今日宣布：将以现有Micro LED技术平台与量产导入经验为基础，正式跨入CPO(Co-Packaged Optics，共同封装光学)领域，打造面向AI算力中心、数据中心与高速交换架构的下一代光电整合关键平台，协助产业解决全球AI基础设施竞争中最关键的系统瓶颈之一——在功耗与散热压力持续升高的情况下，仍能实现海量数据的高效率传输与可扩展互连。　架构示意图　　三大亮点：定义下一代互联标准　　1.对准800G/1.6T升级窗口：响应AI数据中心带宽倍增与互连能耗压力，光互连成为下一代平台刚需。　　2. Micro LED可量产系统工程能力可直接迁移：高密度I/O、封装整合、热管理、制程窗口、可靠度验证与测试体系，匹配CPO核心挑战。　　3.国际深度共研合作加速产品化：co-spec/co-validation/co-design与供应链长期alignment，建立更高进入门槛与交付确定性。　　产业背景：铜缆电互连到极限　　随着「算力即国力」与主权AI成为国家级战略重点，全球正加速投入AI计算基础设施建设，网络带宽需求几乎以倍数速度成长，从400G快速迈向800G、1.6T乃至更高。传统缆电互连在带宽密度、传输距离、功耗与散热方面存在不可逾越的物理限制，已成为系统扩展性与能效提升的核心瓶颈;在高端GPU单芯片功耗持续攀升的趋势下，互连能耗与热负载问题更加突出，光互连不再是选项，而是基础设施。　　架构趋势：硅光子 + CPO 成为必然演进路线　　产业普遍认为硅光子(Silicon Photonics)与CPO是下一代架构演进方向。透过将光引擎更靠近甚至直接与计算/交换芯片整合，CPO可显著降低互连功耗损失、热负载与系统复杂度，提升带宽密度与整体能效。　　禹创策略：以「可量产系统工程」切入 CPO，缩短导入周期、提升交付确定性　　在Micro LED领域长期累积的能力，核心不仅是芯片设计，更涵盖高密度 I/O、封装整合、热管理、制程窗口控制、可靠度验证与测试体系建置等「可量产系统工程」。上述能力与CPO的关键挑战高度重迭，使禹创得以把既有方法论迁移到高速光互连架构，缩短从工程样品到商用导入的周期，并提升交付确定性。　　禹创半导体表示：「我们以『可验证、可量产、可交付』为CPO布局的核心原则，透过系统级整合与全球伙伴协同，加速下一代高速光电整合平台的产品化与落地部署，建立长期竞争力。」　　系统级平台布局：电子IC、光子IC、3D封装、CPO架构与热管理全覆盖　　在技术路线上，禹创半导体采取系统级硅光子布局，全面覆盖电子IC、光子IC、先进3D封装、CPO架构及热管理技术，以高度整合的平台方式提供可持续扩展的技术路线：既能支持当前多Terabit数据传输需求，也可演进至未来每秒百Terabit以上的规模，对应AI基础设施长周期、深层次的结构性变革。　　生态合作：co-spec/co-validation/co-design，供应链 long-term alignment　　在生态合作层面，CPO不是单打独斗的游戏，通过与国外伙伴的共同定义规格(co-spec)、协同验证(co-validation)、共同迭代设计(co-design / co-optimization)及供应链节点的长期配合(long-term alignment)。此合作模式将有助于在关键料件、制程能力与验证体系上形成更高的进入门槛，并加速产品化与商用落地。　　延伸场景：从超大型算力中心到边缘AI　　除超大规模数据中心外，该技术体系亦正快速渗透至边缘 AI场景，包括智能医疗、机器人、自动化系统与智能物联网等，同样对能效、带宽密度与系统集成提出更高要求。从超大型算力中心的“主动脉”，到边缘AI应用的“毛细血管”，数据的流动效率决定了智能的进化速度。禹创半导体，正致力于成为下一代AI基础设施中，那个不可或缺的“连结者”。

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禹创半导体

发布时间：2026-02-26 14:12 阅读量：336 继续阅读>>

ST意法<span style='color:red'>半导体</span>推出宇航级高速驱动器，支持高速数据传输与低电压逻辑

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ST意法半导体推出宇航级高速驱动器，支持高速数据传输与低电压逻辑

　　意法半导体的RHFLVDS41低电压差分信号驱动器为宇航应用提供更高的数据速率，在QML-V认证器件中树立了高达600Mbps数据传输速率的新性能标杆。该驱动器具备2.3V至3.6V的宽工作电压范围，兼容最新的低电压逻辑与低供电电压标准(如TIA/EIA-644和Jedec)，同时支持传统的CMOS器件。　　RHFLVDS41不仅提升了性能与灵活性，还通过4.8V绝对最大额定电压、300krad总电离剂量耐受度和8kV静电放电防护能力，增强了系统的鲁棒性与可靠性。其抗重离子能力包括：在125MeV·cm²/mg条件下无单粒子闩锁，在62.5MeV·cm²/mg条件下无单粒子瞬态。该器件采用经过宇航验证超过10年的高端130nm纯CMOS工艺。　　通过优化的直通式引脚布局，RHFLVDS41有助于优化PCB空间利用率并均衡信号走线长度，从而减轻宇航级高速接口和振荡器模块的重量与布线复杂度。　　RHFLVDS41符合EAR99出口管制条例，可轻松融入全球(包括美国和亚洲)供应链体系。该器件在欧洲设计，并在意法半导体法国雷恩的宇航级工厂制造。　　RHFLVDS41采用通用的Flat-16金属接地封装，也可提供裸片版本，以满足对空间和重量要求严苛的应用。工程模型和飞行模型现已供货。

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意法半导体

发布时间：2026-02-26 13:58 阅读量：259 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>发布首款集成AI加速器的汽车微控制器，赋能边缘智能

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意法半导体发布首款集成AI加速器的汽车微控制器，赋能边缘智能

　　2月12日，意法半导体(ST)发布了Stellar P3E，这是首款集成AI加速器、专为汽车边缘智能设计的汽车微控制器(MCU)。Stellar P3E面向未来软件定义汽车开发，可简化“X合一”电控单元(ECU)的多功能集成，从而降低系统成本、重量和复杂度。　　意法半导体通用和汽车微控制器事业部副总裁兼总经理Luca Rodeschini表示：“Stellar P3E将高性能实时控制与边缘AI技术集成于单一芯片，并满足最高汽车安全等级，为汽车电气化树立了新标杆。其增强的处理能力、AI加速、大容量可扩展存储器、丰富模拟功能、智能传感能力和智能电源管理功能支持虚拟传感器等创新应用，助力汽车制造商打造更安全、更高效、响应更迅速的驾乘体验。”　　章鱼博士智能技术(上海)有限公司总经理张建彪表示：“凭借相变存储器闪存技术和边缘AI神经网络加速器(Neural-ART)等先进特性，Stellar P3E是一款卓越的产品，完美契合新能源汽车应用日益增长的需求。”　　Stellar P3E的标志性特性是集成ST Neural-ART加速器™，实现实时AI效率——使其成为汽车行业首款嵌入神经网络加速器的MCU。该专用神经网络处理单元采用面向AI工作负载的先进数据流架构，结合丰富的传感能力，可实现智能传感，为虚拟传感器等新应用开辟道路。　　这使得P3E能够以微秒级速度完成推理处理，效率较传统MCU核心处理器提升高达30倍。Stellar P3E支持始终在线、低功耗的人工智能(AI)，可实现预测性维护和智能传感等实时功能，为广泛应用带来显著优势。例如，这些能力可提升电动汽车的充电速度与效率，并支持在工厂或现场快速部署新功能。原始设备制造商(OEM)可通过不同AI模型引入新功能和更直观的行为，减少额外传感器、模块、布线和集成工作。　　Counterpoint Research副总监Greg Basich表示：“将神经处理从集中式枢纽转移至车辆边缘，可实现亚毫秒级决策，这对下一代车载智能至关重要。在MCU层面集成AI硬件加速，使OEM能够提供预测性维护车辆性能和虚拟传感器智能传感等先进功能，实现极低延迟的传感、驱动控制及其他复杂特性，同时避免全规格SoC的成本和热管理负担。”　　随着汽车行业向软件定义汽车(SDV)转型，Stellar P3E集成的xMemory(基于意法半导体的相变存储技术)提供了必要的可扩展性与灵活性。该可扩展存储解决方案的密度是传统嵌入式闪存的二倍，且符合汽车环境认证，可动态扩展软件存储空间以适配新功能和更新，无需任何硬件重新设计。　　P3E在ST Edge AI Suite中获得全面支持，这是一个面向数据科学家和嵌入式工程师、覆盖从数据集创建到设备部署全流程的完整边缘人工智能生态系统。作为该套件的一部分，NanoEdge AI Studio工具现已支持全系Stellar MCU产品。此外，Stellar P3E已集成至Stellar Studio——意法半导体为汽车工程师量身打造的一体化开发环境中。这些工具共同构建了稳健的硬件与软件生态，旨在优化复杂边缘人工智能解决方案在严苛汽车环境中的部署流程。　　预计Stellar P3E将于2026年第四季度投入量产。　　技术亮点：　　500 MHz Arm® Cortex®-R52+内核，其CoreMark评分在同类型产品中位居榜首——超过8,000分　　分核-锁步架构使设计人员能够优化功能安全与峰值性能的平衡　　开放的Arm架构，依托庞大的全球开发者社区加速创新　　丰富的I/O和模拟功能支持多样化应用，包括提升车辆动态性能的先进电机控制

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意法半导体

发布时间：2026-02-12 15:19 阅读量：432 继续阅读>>

Geehy极海<span style='color:red'>半导体</span>荣获“2025年度微控制器技术创新奖”！

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Geehy极海半导体荣获“2025年度微控制器技术创新奖”！

　　在2025年全球电子产业面临AI落地、低碳转型与供应链重塑的多重浪潮下，行业迎来深刻的变革与机遇。作为电子行业的年度盛事，21ic电子网“2025年度电子产业卓越评选” 榜单正式揭晓。该评选旨在表彰半导体行业中，持续推动技术边界、赋能工程师创新的标杆企业。　　卓越实力表现荣获行业专业认可　　极海半导体作为拥有20余年集成电路行业经验的国产芯片设计企业，凭借在技术创新深度、行业应用广度及市场关注度上的卓越表现，荣获 “微控制器 (MCU) 技术创新奖”。　　四大微控制器产品矩阵全面赋能行业创新　　面向多元化市场需求，极海构建有完善且极具竞争力的微控制器产品矩阵，聚焦工业专用MCU、电机控制MCU、工业通用MCU、汽车通用MCU，致力于以丰富的产品组合以及差异化创新，精准匹配市场需求，赋能各行业应用升级。　　G32R系列工业专用MCU垂直细分赛道专家　　面向中高端细分行业的实时性需求痛点，极海推出了G32R501实时控制DSP/MCU，搭载Cortex-M52双核架构，工作主频250MHz，内置HeliumTM边缘AI加速单元和极海自研紫电数学指令扩展单元，具备高效运算性能、灵敏信号感测、实时精准控制等特性，可广泛应用于机器人、边缘AI、新能源光伏、工业自动化、商业电源、新能源汽车等领域。　　针对高精度运动控制与位置反馈场景，极海最新推出G32R430高精度编码器专用MCU，搭载Cortex-M52内核，工作主频128MHz，集成自研ATAN电角度计算扩展指令，配备16位高精度ADC等资源，有助于增强伺服系统位置反馈实时性、提升编码器精度，适用于工业伺服系统、具身智能机器人、智能自动化设备、以及高精度传感器等领域。　　APM32/G32M系列电机控制MCU高效驱动的核芯引擎　　极海APM32/G32M系列高集成、高性能、高能效电机控制MCU，以单芯片方案赋能电机系统设计，产品搭载Cortex-M0+内核，工作主频64/72MHz，内置专用硬件加速器与自研电机控制算法，能为电机高效、平稳与安全运行提供可靠支撑，可广泛应用于智能家电、电动工具、园林工具、水泵、风机、无人机以及电动两轮车等场景。　　APM32系列工业通用MCU稳定可靠的技术基石　　极海APM32系列工业通用MCU，覆盖Cortex-M0+/M3/M4F内核，工作主频48MHz~240MHz，集高性能、低功耗、稳定可靠、快速移植等特性于一体，符合IEC 61508/60730功能安全产品认证标准，并已在工业控制、智慧能源、高端消费电子、智能家居、以及通信设施等领域得到广泛应用。　　APM32A/G32A汽车通用MCU智慧安全出行守护者　　极海APM32A/G32A系列汽车通用MCU，覆盖Cortex-M0+/M3/M4F/M52内核，工作主频48MHz~250MHz，具备高效CPU处理性能、增强型存储空间，以及丰富连接功能，已通过AEC-Q100和ISO 26262 ASIL-B车规认证，符合车用芯片高性能、高可靠、宽温幅等要求，可广泛应用于车身控制、安全系统、信息娱乐系统、动力系统等汽车细分场景。　　总结　　极海致力于以自主创新的芯片设计能力与贴近场景的解决方案能力，持续为工业控制、智能家居、新能源、汽车电子、机器人、低空经济等领域提供多元化、场景化的微控制器产品及系统解决方案，并携手合作伙伴共同推动电子产业的高质量发展，为千行百业数字化、智能化转型注入核芯动力!

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发布时间：2026-02-12 15:08 阅读量：443 继续阅读>>

全球<span style='color:red'>半导体</span>销售额2025年将达到7917亿美元，2026年有望突破万亿!

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全球半导体销售额2025年将达到7917亿美元，2026年有望突破万亿!

　　2月6日，美国半导体行业协会(SIA)宣布，2025年全球半导体销售额将达到7917亿美元，较2024年的6305亿美元增长25.6%。此外，2025年第四季度销售额为2366亿美元，较2024年第四季度增长37.1%，较2025年第三季度增长13.6%。2025年12月全球销售额为789亿美元，较2025年11月增长2.7%。月度销售额数据由世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计，并采用三个月移动平均值。SIA的会员企业占美国半导体行业总收入的99%，以及近三分之二的非美国芯片企业。　　“2025年全球半导体行业年销售额创历史新高，接近8000亿美元，预计2026年全球销售额将达到约1万亿美元，”美国半导体行业协会(SIA)总裁兼首席执行官约翰·纽弗表示。“半导体是几乎所有现代技术的基础，而人工智能、物联网、6G、自动驾驶等新兴技术将继续推动对芯片的强劲需求。”　　从区域来看，亚太及其他地区(45.0%)、美洲(30.5%)、中国(17.3%)和欧洲(6.3%)的年度销售额均有所增长，但日本的销售额则有所下降(-4.7%)。12月份的环比销售额方面，美洲(3.9%)、中国(3.8%)和亚太及其他地区(2.5%)均有所增长，但欧洲(-2.2%)和日本(-2.5%)的销售额则有所下降。　　“随着半导体不断推动当今和未来颠覆性技术的发展，华盛顿的领导人必须优先考虑那些能够加强美国国内芯片生态系统未来数年发展的政策。一个具有全球竞争力的美国半导体产业将使我们能够促进经济增长、增强国家安全，并在21世纪的全球技术领导地位争夺战中占据领先地位，”纽弗尔说道。　　2025年，几个半导体产品细分市场表现突出。逻辑产品销售额增长39.9%，达到3019亿美元，成为销售额最大的产品类别。存储器产品销售额位居第二，2024年增长34.8%，达到2231亿美元。

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发布时间：2026-02-09 17:05 阅读量：393 继续阅读>>

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高性能芯片的基石：半导体封装技术全解析！

　　半导体封装是电子制造的关键环节，它将半导体芯片封装在保护性和功能性封装中，以确保其可靠性、性能以及与电子设备的集成。这些封装充当着连接微型敏感半导体芯片和更广泛电子系统的桥梁，提供电气连接、热管理和环境保护。半导体封装技术已取得显著发展，以满足人们对更小、更快、更高效的电子设备的需求，从传统的引线封装到先进的倒装芯片、系统级封装 (SiP) 和 3D 封装。这些封装创新在智能手机、物联网设备、数据中心和汽车电子设备等各种现代应用的驱动中发挥着至关重要的作用。　　一、半导体封装的历史　　在半导体行业的形成期，半导体器件采用金属罐和陶瓷封装。这些封装旨在为精密的半导体芯片提供基本保护，并实现与外部电路的电气连接。然而，它们体积相对较大、笨重且功能有限。随着半导体技术的快速发展，对更小、更高效的封装解决方案的需求日益增长，以适应半导体芯片尺寸的不断缩小。这推动了双列直插式封装 (DIP) 和表面贴装封装等创新封装技术的发展。双列直插式封装无法支持高引脚数，因此需要能够容纳大量输入/输出 (IO) 的高密度互连 (HDI) 解决方案。这催生了倒装芯片封装，也称为受控塌陷芯片连接 (C4)。为了实现高集成度，设计人员在 20 世纪 70 年代左右发明了 MCM(多芯片模块)。图1：半导体封装的历史　　二、半导体封装材料　　半导体封装材料在保护和互连设备的同时，确保其可靠性和性能方面发挥着至关重要的作用。　　基板：基板可以是有机基板，也可以是陶瓷基板。有机基板具有良好的电绝缘性能，是一种经济高效的封装解决方案。陶瓷基板通常用于需要良好导热性的高频应用。　　封装材料：封装材料保护芯片免受环境因素、湿气和机械应力的影响。环氧模塑料 (EMC) 具有良好的附着力和电气绝缘性能。然而，液晶聚合物 (LCP) 因其低介电常数和低损耗角正切，更适合高频应用。　　互连材料：金线键合通常用于半导体芯片和封装之间的电气连接。无铅焊料(锡-银-铜合金)材料用于将半导体芯片连接到基板。　　底部填充材料：底部填充材料用于填充半导体芯片和基板之间的间隙，以增强机械稳定性和可靠性。底部填充材料还能提高导热性，从而改善散热效果并降低过热风险。常见的材料包括环氧树脂(粘合性更佳)、聚酰亚胺(热稳定性更佳)或硅酮(机械稳定性更佳)。图2：倒装芯片底部填充封装工艺　　三、半导体封装的类型　　四方扁平封装(QFP)　　四方扁平封装 (QFP) 是一种经典的半导体封装，其特点是扁平、方形或矩形，引脚从四边延伸。QFP 有多种尺寸，引脚排列成网格状。它们通常用于需要中等引脚数的集成电路 (IC)。QFP 在组装和返工过程中易于操作。　　球栅阵列(BGA)　　球栅阵列 (BGA) 封装的特点是封装底部布满了焊球阵列，而非引脚。这些焊球与 PCB 上的相应焊盘接触，从而增强了散热性能并降低了电气干扰的风险。BGA因其紧凑的尺寸、出色的散热能力和抗机械应力的能力，在现代电子产品中得到了广泛的应用。　　芯片级封装(CSP)　　芯片级封装 (CSP) 的尺寸设计几乎与其封装的半导体芯片尺寸相同，从而最大限度地减少了空间浪费。CSP 非常适合对尺寸和重量有严格要求的应用，例如移动设备和可穿戴设备。它们通常使用间距极细的焊球或铜柱进行连接。　　晶圆级封装(WLP)　　晶圆级封装是一种将多个半导体器件在晶圆级封装后再切割成单个芯片的技术。这种方法可以降低制造成本并提升器件性能。晶圆级封装 (WLP) 可以实现超紧凑和高密度封装，非常适合 MEMS 器件和传感器等应用。　　3D IC 和堆叠封装　　3D IC 封装是指将多个半导体芯片堆叠在一个封装内，并通过硅通孔 (TSV) 进行互连。这种封装技术可以实现更高的集成度、更低的信号延迟和更佳的性能。堆叠封装常用于高性能计算、显卡和内存模块等高级应用，以在节省空间的同时提升处理能力和内存容量。　　四、半导体封装的关键考虑因素和主要挑战　　半导体封装设计是一个复杂且不断发展的领域，在当今快速发展的技术环境中面临着各种挑战。以下是主要挑战：　　小型化和集成化：根据摩尔定律，电子设备体积越来越小，功能却越来越强大。封装设计如何在保持封装性能和可靠性的同时，满足小型化和集成化的需求，变得越来越具有挑战性。　　由于封装上用于元器件和互连的空间越来越小，信号完整性、功率传输和热管理等问题也面临着独特的挑战，需要创新的解决方案。　　热管理：对高性能和减小整体面积的持续需求意味着 IC 的功率密度必须很高。过热会缩短 IC 的使用寿命并影响性能。封装设计旨在更好地散热，而散热器、导热片和先进的热界面材料等先进的散热解决方案对于高效散热至关重要。此外，3D 封装和集成冷却解决方案的兴起，通过提供更佳的散热途径来应对这些挑战。　　先进材料与兼容性：半导体行业致力于采用具有更佳电气、机械和热性能的材料来设计封装。封装需要与硅、有机基板和焊料等其他材料进行接口，而这些材料可能具有不同的热膨胀系数 (CTE)。这些差异会在温度循环过程中产生热应力，从而可能导致封装故障。使用低 CTE 材料，例如铜钨 (CuW)、铝碳化硅 (AlSiC)、可伐合金等，可以减少热失配的影响，并提高封装的可靠性。　　信号完整性和电气性能：随着数据速率和处理速度的不断提高，保持半导体封装中的信号完整性和电气性能变得越来越重要。高频信号易受干扰、串扰和阻抗失配的影响。设计人员需要考虑传输线效应、电磁干扰 (EMI) 和电源完整性等因素，以确保信号无失真或无损耗地到达目的地。　　封装成本：封装成本在半导体器件总成本中占比很大。为了提高器件的竞争力，同时又能让消费者负担得起，设计公司努力在保持性能的同时降低封装成本。　　环境问题：电子垃圾对环境和人类健康有害。人们一直致力于使用环保材料和可回收材料进行半导体封装。　　含铅焊料曾经广泛用于半导体封装，但出于对环境的考虑，无铅焊料已成为标准。　　铜通常用于各种互连，并且可以回收利用。　　许多半导体封装采用塑料或聚合物材料作为封装材料、模塑料和封装结构。这些材料有时可以回收利用。　　玻璃基板通常用于微机电系统(MEMS)，回收玻璃可以减少半导体封装对环境的影响。　　异构集成：将存储器、传感器、射频 (RF) 组件等不同技术集成到单个封装中称为异构集成。这具有诸多优势，包括提高数据传输速率、降低功耗、增强设备性能以及缩小占用空间。异构集成面临着独特的挑战，包括不同技术之间的材料兼容性问题，以及不同组件在不同功率水平下工作时产生的热点管理问题。　　五、半导体封装的创新　　半导体封装面临的挑战也为创新蓬勃发展提供了机遇。以下是目前一些正在使用的先进封装技术：　　系统级封装 (SiP)：SiP 是一种先进的半导体封装技术，它将多个异构半导体元件(例如逻辑元件(微控制器或应用处理器芯片、存储器等)、无源元件(电阻器、电容器和电感器)、存储器元件和互连(微凸块、引线键合或 TSV))集成在一个封装内。SiP 具有许多优势：　　紧凑型设备：将组件集成到单个封装中可形成紧凑型设备，这对于智能手机和可穿戴设备等便携式设备尤为重要。　　增强性能：SiP 最大限度地缩短了互连长度，从而减少了信号延迟，这对于高速和高频应用至关重要。　　更高的功率效率：除了缩短信号互连长度外，SiP 内的电源分配网络也得到了更好的优化。这对于电池供电设备至关重要。　　降低制造成本：SiP 减少了需要在电路板上组装的单个组件的数量，从而降低了总体制造成本。　　扇出型晶圆级封装 (FOWLP)：传统的封装方法是将单个芯片封装并安装到印刷电路板上。FOWLP 则需要将芯片重新分布并正面朝上放置在大型晶圆尺寸的基板上。这种重新分布技术可以创建紧凑、高度集成的封装，将多个芯片、无源元件和互连集成在一个结构中，其中电气连接位于芯片的有源侧，连接到基板。　　FOWLP具有小型化、更高的热性能、成本效益和增强的电气性能等优势，使其成为智能手机、物联网设备、汽车电子产品和射频模块等广泛应用的热门选择。　　硅通孔 (TSV) 和 3D IC 封装：硅通孔(TSV) 是 3D 集成电路中使用的一项关键技术，可实现单个封装内多个半导体芯片或层的垂直集成。TSV 是穿透硅基板的垂直互连结构，为不同层级的芯片或元件提供电气连接。　　TSV 是贯穿 3D IC 堆栈中每个芯片或层的硅基板的圆柱形或垂直孔。它们内衬绝缘材料以防止电气短路，并填充铜或钨等导电材料以提供电气通路。　　垂直集成技术允许多个芯片垂直堆叠，从而促进了晶体管微缩的革新。这有助于缩短互连长度，提高集成密度，同时提升功率效率。　　嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB)：EMIB 是英特尔开发的一种先进半导体封装技术。EMIB 技术旨在解决在单个封装内集成异构半导体芯片的挑战。它使用横跨基板的嵌入式桥接技术，从而为集成芯片之间的数据传输提供高速、低延迟的路径。它还使用微柱等细间距互连技术在集成芯片之间建立电气连接。这通过减少信号延迟实现了高效的数据传输，并由于互连长度缩短而提高了电气性能。　　总而言之，半导体封装是连接复杂的半导体芯片世界和驱动我们现代生活的多样化电子设备的重要桥梁。从早期的金属罐到3D集成的尖端发展，半导体封装改变了我们的世界，使连接我们、娱乐我们并推动我们产业发展的设备成为可能。

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半导体封装

发布时间：2026-02-06 17:01 阅读量：429 继续阅读>>

纳芯微牵头完成 PN 结<span style='color:red'>半导体</span>温度传感器国家标准制定

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纳芯微牵头完成 PN 结半导体温度传感器国家标准制定

　　近日，由纳芯微牵头制定的PN 结半导体温度传感器国家标准正式发布。该标准围绕器件定义、关键性能指标及测试方法建立统一技术框架，为高精度、高可靠测温应用提供了明确、可执行的技术依据。　　PN 结温度传感器利用半导体 PN 结电压随温度变化的物理特性进行测量，可直接实现芯片级或功率器件内部的快速、精确温度感知，尤其适用于结温级测量。在精度、一致性与线性度等方面，相较传统 NTC 热敏电阻具备明显优势，已逐步成为高可靠测温场景的重要技术路线。　　随着新能源汽车、泛能源及高端电子系统对温度感知精度和可靠性要求持续提升，PN 结温度传感器的应用持续扩大。但在器件性能表征与测试方法方面，行业长期缺乏统一标准。此次国家标准的发布，有助于提升不同产品方案之间的可比性，降低系统设计与应用成本，推动产业链上下游协同发展。　　作为深耕传感器领域的半导体企业，纳芯微在 PN 结温度传感器的产品研发、测试方法及规模化应用方面积累了丰富实践经验。基于在多个行业的长期应用实践，纳芯微联合产业链相关单位，围绕关键性能指标、测试条件与一致性要求，推动形成具备工程可落地性的国家标准。　　围绕 PN 结半导体测温技术，纳芯微已形成覆盖多行业、多精度等级的温度传感器产品组合，满足从高可靠工业系统到精密人体测温的多样化需求：　　汽车领域　　NST175H-Q1：面向智驾与座舱等相关应用，兼具高精度与高可靠性　　NST235-Q1 / NST86-Q1：适用于整车热管理与车载电子系统的车规级温度感知需求　　泛能源领域　　NST175 / NST112 / NST5111：面向数据中心、电源系统及通信设备等高可靠应用，具备优异的一致性与长期运行稳定性，适用于系统级与器件级温控管理　　NST117 / NST1075 / NST461 / NST1413 / NST235 / NST20：覆盖不同接口、封装与精度配置，适配多样化工业与泛能源系统架构　　可穿戴与医疗领域　　NST112x：最高可实现 ±0.1 ℃ 测量精度，兼顾精度、功耗与封装尺寸，适用于人体测温及可穿戴设备　　NST1001 / NST1002：面向医疗及消费级高精度测温场景的小型化解决方案　　在产品能力层面，纳芯微基于 PN 结测温原理的 CMOS 温度传感器，在接口形式、封装选择及精度配置方面提供灵活组合，便于客户在不同系统架构与应用场景中快速集成，满足从消费级到高可靠应用的多层次需求。　　注：该标准为 GB/T 20521.5-2025《半导体器件第14-5部分：半导体传感器 PN 结半导体温度传感器》，由工业和信息化部(电子)主管、全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)归口管理，标准已于2025年12月2日正式发布，将于 2026 年 7 月正式实施。

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纳芯微

发布时间：2026-02-05 17:46 阅读量：424 继续阅读>>

一文带你了解荣湃<span style='color:red'>半导体</span>“光MOS”产品大家庭

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一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。

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发布时间：2026-02-03 10:22 阅读量：421 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>车规处理器XC38流片成功

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小华半导体车规处理器XC38流片成功

　　新年伊始，小华半导体汽车事业部迎来重大喜讯，匠心打造的XC38经过内部严格测试验证，正式宣布XC38流片成功。这一里程碑事件，表明小华半导体车规MCU开始进入中高端功能安全ASIL-D应用场景，且在国产成熟工艺上生产制造，实时算力和待机低功耗等多项参数处于国内领先地位，为行业客户带来更多更好的纯国产选择。　　纯国产工艺　　小华XC38基于国产车规工艺打造　　随着众多国产MCU厂家的入局，供应链纷繁复杂。国内整车厂将国产MCU划分为国产一级芯和国产二级芯。国产二级芯是国内车厂的下一步强需求，其要求企业注册地/控股股东/代工晶圆厂/封测工厂均需要在中国大陆，这才是严格意义的纯国产MCU芯片。为响应此战略需求，小华半导体将XC38作为纯国产车规MCU的重要战役，全力投入研发，在国产成熟制程工艺上，实现了多核ASIL D锁步核主频400MHz高速稳定运行，该算力性能不仅国内领先，还超过国际大厂同制程下最高320/350MHz的主频能力。这是小华研发团队系统优化能力的显现，也代表国产阵营塑造了一个鲜明的技术标杆。　　XC38资源简介　　小华XC38：　　Ø CPU 2*LS+2, 400MHz, 算力高达3.7K DMIPS　　Ø ISO26262 ASIL D+HSM EVITA Full+　　Ø SARADC+SDADC+GTM4.1+FCMP　　Ø 12*CANFD+8*SPI+1*Gbit Ethernet+Flexray　　Ø 3*MSC+eMMC+PSI-5+25*SENT　　Ø 2.7~5.5V单电源供电　　目标应用：　　§ 新能源电驱控制　　§ 800V BMS电池管理　　§ ZCU车身域控　　§ PDCU动力总成域控　　§ 智驾AEB (1V3R) Safety MCU　　XC38 SDK驱动包和MCAL已发布初版驱动包，正在积极适配国内外主流工具链产品及基础软件厂商，很快将向国内车厂及Tier1用户开启送样。　　让我们一起期待小华纯国产车规MCU XC38的卓越表现。

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发布时间：2026-02-02 13:46 阅读量：506 继续阅读>>

类比<span style='color:red'>半导体</span>新品发布｜低噪声、高保真音频运算放大器OPA458x

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类比半导体新品发布｜低噪声、高保真音频运算放大器OPA458x

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新低噪声、高保真高压音频运算放大器OPA458x系列。本系列运放供电电压支持4V到36V, 带宽可到19MHz。在音频频带范围内，OPA458x的电压噪声为0.8uVrms, THD+N可以做到0.0005%, 这使得OPA458x非常适合作为音频功放的前置放大器使用，同时也可以作为耳放或者应用在混音器等应用中。该产品支持2通道或者4通道封装，其中两通道封装支持SOIC-8，MSOP-8和TSSOP-8，4通道支持SOIC-14和TSSOP-14封装。　　OPA458x系列产品特征：　　• 供电电压范围：4V-36V　　• 带宽：19MHz　　• 低噪声：0.8uVrms typ　　• THD+N: 0.0005% typ　　• Slew Rate: 17V/us　　• 输出轨到轨　　• 低偏移电压：±3mV Max　　• 低偏移电压温漂：±2uV/℃ Typ　　典型应用电路：　　典型应用：　　混音器　　音响　　电子乐器　　产品选型表：

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发布时间：2026-02-02 11:13 阅读量：380 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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