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新品发布｜类比<span style='color:red'>半导体</span>推出2x52W集成音效算法数字音频功率放大器AU683x系列

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新品发布｜类比半导体推出2x52W集成音效算法数字音频功率放大器AU683x系列

　　致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质泛工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出2x52W集成音效算法数字音频功率放大器AU683x系列。本系列产品供电电压支持4.5V-26.4V，数字32k-192kHz I2S输入，最大输出功率支持2x52W @ PVDD=24V，6Ω。AU683x内部集成高速DSP, 提供2x15 EQ+DPEQ+3-band DRC +AGL+2x3 PostEQ算法功能。AU683x基于新的闭环架构，实现THD+N<0.03% @1W，1kHz，并且静态噪声低于40uVrms。此外，AU683x系列解决了困扰客户开关机pop音痛点。　　相比于市面上同类产品，类比大胆创新，增加了PVDD供电实时监测，高阶EMC抑制技术，双通道单独关闭，芯片内部温度可读以及多芯片相位同步等功能，更好满足音频系统需求。AU683x支持TSSOP-28和QFN-32两种封装。产能充足，欢迎垂询!　　AU683x系列产品特征　　● ● 供电电压范围：4.5V-26.4V　　● 数字供电范围：1.8V/3.3V　　● 静态功耗：18mA @ MiniCM　　● 低噪声<38uVrms　　● THD+N<0.03%　　● DC Offset < 5mV　　● 输入音频格式：I2S, LJ,RJ,TDM　　● Fs支持：32k-192kHz　　● 音频算法：　　音效算法：2x15 EQ+DPEQ+3-band DRC +AGL+2x3 PostEQ　　Class H算法　　● 调音与系统集成：一站式GUI调音软件ASATP　　典型应用电路　　典型应用　　便携式音响　　条形音响　　电视　　类比半导体音频功率放大器家族产品　　类比半导体音频功率放大器产品优势　　产品选型表

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类比半导体

发布时间：2026-05-29 09:48 阅读量：370 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>丨硬核加速 · 算力赋能 — HC32F558 数学加速模块解析

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小华半导体丨硬核加速 · 算力赋能 — HC32F558 数学加速模块解析

　　嵌入式算力的隐形天花板　　在数字电源控制、电机驱动等高性能嵌入式场景中，三角函数、双曲函数、对数开方等数学运算，以及实时数字滤波，往往是系统算力消耗的"重灾区"。　　软件实现耗时久、主频要求高、处理器资源挤占严重——这些数学运算和信号处理任务，已成为性能提升的关键瓶颈之一。　　HC32F558 内置 CORDIC 硬件协处理器与 FMAC 滤波加速器，将常用数学运算与数字滤波从软件层面下沉至硬件协处理层，为高频化应用提供关键算力支撑。　　本文将深度解析 CORDIC 与 FMAC 两大硬件加速引擎的技术特性、性能表现与典型应用场景。　　◆ ◆ ◆　　CORDIC — 硬件数学运算引擎　　HC32F558 集成的 CORDIC(坐标旋转数字计算)硬件协处理器，以轻量化硬件架构、超高算力效率，为嵌入式系统注入硬核数学加速能力，让复杂运算告别算力焦虑。　　▶ 支持的运算函数　　CORDIC 协处理器搭载常用函数库，精准覆盖行业高频运算需求：　　数据类型与传输　　16位定点 (Q1.15) — 资源受限场景　　32位定点 (Q1.31) — 精度与效率平衡　　单精度浮点 (float32) — 高精度与易用性的平衡　　支持 DMA 批量数据输入/读取 — 零 CPU 干预　　图1：CORDIC 硬件协处理器架构示意　　▶ 耗时对比：硬件加速 vs 软件库　　在keil MDK环境中，以单精度浮点数据输入、-O2 优化等级为例，CORDIC 硬件加速带来的性能提升十分显著：　　FMAC — 数字滤波硬件加速器　　在数字电源中，信号噪声是绕不开的难题——开关纹波、采样毛刺、谐振尖峰，传统软件滤波挤占 MCU 算力。HC32F558 集成 FMAC(滤波数学加速器)，将 FIR、滑动平均滤波和 IIR 硬件化，负责把 ADC 采到的"脏数据"滤得干干净净。　　图3：FMAC 信号滤波处理示意　　▶ 核心规格　　▶ 全硬件信号链：ADC → FMAC → PID → PWM　　为压缩控制环路延迟、实现"零软件开销"信号处理，FMAC 与片上 ADC 及 PID 外设深度联动，支持硬件直连模式：　　ADC 硬件直连至 FMAC 输入端　　IIR 输出直接馈入PID 反馈/参考输入端　　PID 输入误差亦可作为IIR 输入，实现多极点多零点控制补偿　　总结：双擎协同，算力跃升　　HC32F558 凭借 CORDIC 与 FMAC 两大硬件加速引擎的协同布局，形成了从"数学运算"到"信号滤波"的完整硬件加速能力：

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小华半导体

发布时间：2026-05-29 09:39 阅读量：381 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>HC32F558量产发布——为服务器电源优化设计！

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小华半导体HC32F558量产发布——为服务器电源优化设计！

　　AI服务器算力狂飙，对电源系统的效率、功率密度和实时响应提出空前挑战。小华半导体强势推出全新数字电源MCU——HC32F558。这款芯片专为服务器电源优化设计，广泛适用于通信与服务器电源、户用&工商业储能、光伏逆变器、微逆、便携式储能、直流充电桩模块、车载电源(OBC&DC/DC)、工业变频与伺服控制等行业应用，无论您身处能源互联网的哪个节点，HC32F558都能提供强劲的芯动力，一芯满足高效电源开发需求。产品概要框图如下所示，即日起HC32F558全系列18个型号正式批量供货!　　为什么HC32F558值得您立刻关注?　　01 为AI服务器电源而生　　深度聚焦AI服务器电源高频化、高效率、高动态响应、高可靠性需求，内置在线程序更新、高精度PWM、高速比较器、12位DAC、差分ADC采样、硬化PID及其联动、三电平关断时序、电网锁相环、Sigma-delta波波器等行业特色IP和功能，轻松驾驭MHz级环路更新需求、应用方案上支持图腾柱PFC、Vienna 、多相/多电平LLC、DAB、单级AC/DC等数字电源复杂拓扑控制需求，无缝适配人工智能澎湃算力背后的严苛供电要求。　　02 性能与优势一目了然　　下图快速展示了HC32F558在数字电源应用中的核心特色与显性优势，为您节省选型分析时间：　　03 丰富产品组合，精准匹配需求　　除特色行业IP与功能之外，HC32F558继承HC32F334[1]、HC32F336[2]数字电源产品家族的优良基因，推出覆盖不同Flash容量、封装及外设配置的18个型号，让您在成本、性能、空间之间找到最优平衡点，相应选型表如下表所示。　　04 成熟行业方案，加速量产进程　　拒绝"纸上谈芯"!小华已打造从服务器电源到光伏储能等一系列参考方案[3](如下表示)，从评估到导入，从验证到量产，每一步都有成熟设计为您兜底。

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小华半导体

发布时间：2026-05-07 10:15 阅读量：568 继续阅读>>

士兰微AI服务器电源全链功率<span style='color:red'>半导体</span>解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

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士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案亮相2026 Open AI Infra Summit

　　4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京举行。大会群英荟萃，来自行业的院士专家、领军企业共聚一堂，聚焦MW级算力系统以及GW级数据中心的核心热点议题，分享交流宝贵经验，共商算力集群部署的关键瓶颈，为AI算力发展贡献一份力量。　　士兰微受邀出席本次峰会，士兰微电子系统应用专家胡豆豆发表以《算力引擎·功率领航 | 士兰微AI服务器电源全链功率半导体解决方案》为题的讲演，向与会的专家学者、友商、用户们分享了士兰微AI数据中心供电的全链路功率半导体解决方案。　　针对当前50Vdc母线的AI数据中心的供电架构，士兰微提出了高度匹配的立体化产品矩阵：在前段高压的HVDC部分，士兰微提供业界领先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高压高效转换;在PSU部分，士兰微针对5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料号为SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料号为SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料号为SVGP081R8NL5-3HF)，该方案表现亮眼，已助力服务器电源客户实现97.5%效率，在LV IBC、VRM和热插拔等应用，士兰微推出各电压等级的低压MOSFET、宽SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。　　而随着AI数据中心供电向800Vdc母线演进，针对SST应用、HV IBC应用，士兰微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各电压等级的低压MOSFET。以上覆盖各应用场景的功率器件解决方案构成了“从电网到核心”的完整方案链条，保障数据中心能源供应的高效稳定。　　展望未来，AI日新月异，算力浪潮奔腾不息，士兰微将持续深耕数据中心供电领域，迭代推出更高性能的半导体集成电路产品与解决方案，与行业伙伴携手，共同为下一代算力基础设施提供强劲、高效、可靠的“芯”脏动力。

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士兰微

发布时间：2026-04-30 11:01 阅读量：1075 继续阅读>>

新品发布｜类比<span style='color:red'>半导体</span>推出宽带低噪声轨到轨运算放大器OPA825/6/8

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新品发布｜类比半导体推出宽带低噪声轨到轨运算放大器OPA825/6/8

　　类比半导体推出OPA825/6/8系列单通道、双通道及四通道轨到轨宽带低噪声运算放大器，主要用于优化精密信号采集、电流采样检测与传感器信号调理类电路设计。该系列集成轨对轨输入输出架构，典型静态电流仅720μA，兼具11MHz宽带宽与超低噪声特性，1kHz 噪声低至 8nV/√Hz，可高效平衡成本与综合性能。　　此外，OPA825/6/8拥有极低输入偏置电流，能够适配兆欧级高内阻信号源;内置RF/EMI抑制滤波器，支持300pF容性负载单位增益稳定：具备4kV HBM静电防护、过载无相位反转等稳健特性，大幅降低外围设计难度。电气规格上，器件支持宽压工作，常温区间最低1.8V供电，扩展温域可覆盖−40℃~+125℃，满足多工况低压应用需求。　　封装布局丰富齐全，单通道OPA825采用SOT23-5和SC70-5，双通道OPA826采用SOIC-8，MSOP-8和TSSOP-8，四通道OPA828采用SOIC-14和TSSOP-14，硬件适配性强。产品广泛适配多领域场景：　　● HEV/EV 逆变器与电机控制　　● 电池供电类仪器设备　　● 车载充电机(OBC)及无线充电器　　● 高级驾驶辅助系统 ADAS　　● 电机相电流检测　　● 各类传感器信号调理电路　　OPA825/6/8系列产品特性：　　● 单位增益带宽：11MHz Typ　　● 高压摆率：11V/µs Typ　　● 快速建立时间：0.26µs(0.1%)Typ　　● 低输入噪声：1kHz 条件下 8nV/√Hz typ　　● 轨对轨输入输出　　● 内置RF/EMI抑制滤波器　　● 单电源供电：1.8V~5.5V　　● 低静态功耗：单路运放5.5V供电下典型电流720µA　　● 宽温工作范围：−40℃~+125℃　　典型应用电路：　　典型应用：　　电池供电类仪器设备　　OBC与无线充电　　产品选型表

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类比半导体

发布时间：2026-04-30 09:50 阅读量：539 继续阅读>>

海凌科丨碳化硅 VS 氮化镓：第三代<span style='color:red'>半导体</span>的“双雄对决”

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海凌科丨碳化硅 VS 氮化镓：第三代半导体的“双雄对决”

　　以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率，逐步取代传统硅器件，成为电源系统的“新引擎”。然而，两者虽同属宽禁带半导体，却在材料特性、应用场景和设计难点上各有千秋。更值得关注的是，随着器件性能的提升，设计的难度也在悄然转移——从系统层面，到开关瞬态，再到寄生与细节控制。本文将从四个角度为您科普这场“双雄对决”。　　一、材料特性　　碳化硅和氮化镓的禁带宽度分别是3.3eV和3.4eV，远高于硅的1.1eV，这让它们能承受更高的电压和温度。但在具体性能上，两者侧重点不同。　　碳化硅的“杀手锏”是热导率。 SiC的热导率高达4.9 W/cm·K，是GaN(1.3 W/cm·K)的近4倍，是硅的3倍以上。这意味着SiC器件天生散热能力强，可在高温环境稳定运行，尤其适合1200V以上的高压大功率场景。　　氮化镓的“王牌”是高电子迁移率。 GaN的电子迁移率高达2000 cm²/V·s，是SiC的两倍。这使得GaN器件开关速度极快，频率可达MHz级别，从而大幅缩小变压器、电感等磁性元件的体积，实现更高的功率密度。但它的热导率较低，高功率下需要更精心的散热设计。　　一句话总结：碳化硅是“大力士”，能扛得住高压高温;氮化镓是“短跑冠军”，跑得快、体积小。　　二、应用分野　　基于材料特性，两者的应用场景清晰地区分开来。　　碳化硅的主战场是高压大功率领域。在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、工业电机驱动等场景中，SiC器件凭借耐高压、耐高温的优势，正越来越多地取代传统硅方案。　　氮化镓则在中低压高频领域大显身手。消费类快充充电器是GaN最成熟的应用领域，其高频特性使充电器体积大幅缩小。GaN正向数据中心电源、车载充电器、AI服务器供电等场景渗透，助力实现更高的功率密度。　　可以看出，两者并非“你死我活”的竞争关系，而是在各自擅长的领域并行发展。　　三、设计难点　　从硅到碳化硅，再到氮化镓，器件越先进，设计难点也在“转移”。　　硅器件最成熟，难点在系统层面。硅MOSFET驱动简单、容错性高，设计时主要关注控制环路、热设计等系统问题。挑战在于“把系统做对”，而非压榨器件极限。　　碳化硅的难点转向“开关瞬态”与“保护”。 SiC开关速度快(dv/dt达10~50 V/ns)，易引发EMI和驱动扰动;短路耐受时间短，必须配备快速保护电路(如DESAT);高dv/dt还易导致米勒误导通，通常需要负压关断。　　氮化镓更加“挑剔”，难点集中在寄生与细节。 GaN驱动窗口窄(0~6V)，过压容忍度低;极高的di/dt使PCB布局中的回路电感直接影响开关行为——layout不再是优化，而是功能本身。高频快边沿也让EMI成为设计初期的核心约束。　　总结：硅难点在系统，碳化硅在瞬态与保护，氮化镓在寄生与细节。器件越先进，那些曾被忽略的“小问题”就越容易被放大。　　四、总结　　碳化硅和氮化镓并非谁取代谁的关系，而是共同构成了功率半导体的完整拼图。SiC正向更高耐压、更简拓扑演进;GaN则突破车规认证，向更高电压延伸。两者正在从“材料之争”走向“分工协同”——真正重要的是，根据产品定义选择最合适的器件，并理解其背后的设计逻辑。

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海凌科

发布时间：2026-04-28 10:02 阅读量：523 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>的基础定义及常见类型有哪些？

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半导体的基础定义及常见类型有哪些？

　　半导体是现代电子技术和信息产业的基础材料，广泛应用于各种电子器件和集成电路中。下面就半导体的基础定义及常见类型简单了解一下吧!　　半导体的基础定义　　半导体是一类介于导体与绝缘体之间的材料，其导电性能介于两者之间。常温下，半导体的电导率比导体低，但又比绝缘体高。其导电性能可以通过掺杂不同的杂质元素或施加外部条件(如温度、电压、光照)进行调节。　　本质上，半导体材料具有一定的能带结构，价带和导带之间有带隙。通过外界刺激，电子可以跃迁到导带，使材料表现出导电性。这一独特性质使半导体广泛应用于各种电子元件如二极管、晶体管、光电器件等。　　常见的半导体材料类型　　元素半导体　　这类半导体由单一元素组成，最典型的是硅(Si)和锗(Ge)。　　硅(Si)：目前电子工业中最重要的半导体材料，因其丰富的资源和适合制造高性能器件的特性被广泛应用。　　锗(Ge)：早期电子器件中使用较多，因其高电子迁移率在高速电子器件中有一定优势。　　化合物半导体　　这类半导体由两种或多种元素组成，具有多样化的电子和光学性能，适合特殊器件应用。常见的化合物半导体包括：　　砷化镓(GaAs)：高频和光电子器件常用材料，电子迁移率高，适合高速及微波设备。　　磷化铟(InP)：用于光纤通信器件，具有良好的光电性能。　　氮化镓(GaN)：适用于高功率、高频率器件和发光二极管(LED)。　　有机半导体　　由碳基有机分子或聚合物组成，具有柔性、低成本等特点，主要应用于有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池等领域。　　总结来说，半导体作为现代电子科技的核心材料，因其独特的导电特性和灵活的调控方式而被广泛应用。常见的半导体类型包括元素半导体(如硅、锗)、化合物半导体(如砷化镓、磷化铟、氮化镓)以及新兴的有机半导体。　　仅供参考

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半导体

发布时间：2026-04-15 10:22 阅读量：544 继续阅读>>

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荣耀加冕｜小华半导体HC32F448斩获CITE2026创新奖，国产空调双变频“芯”实力闪耀亮相！

　　近日，第十四届中国电子信息博览会(CITE2026)在深圳盛大启幕。作为全球电子信息产业的年度盛会，本届展会以新技术、新产品、新场景为主题，汇聚行业各路领军企业，集中展示集成电路、新型显示、人工智能等领域前沿成果。　　小华半导体作为中国电子CEC旗下华大半导体核心子公司，重磅亮相由CEC统一搭建的集团联合展台，与集团旗下多家冠军产品企业同台亮相，集中展现国产芯片自主创新的硬核实力。　　本次展会上，小华半导体聚焦家电核心赛道，重点展出空调双变频芯片暨高端工业控制芯片 HC32F448。凭借在空调双电机控制领域的技术突破、高性能提升、优秀品质设计与大规模市场落地，该产品在行业产品参评中脱颖而出，荣获第十四届中国电子信息博览会“创新奖”，成为家电空调变频MCU的标杆之作!　　依托CEC与华大半导体　　筑牢国产MCU创新根基　　小华半导体是世界500强中国电子信息产业集团(CEC)旗下半导体业务平台华大半导体的核心子公司，依托集团全产业链资源与技术积淀，深耕家电、工业、汽车、物联网、数字电源等领域智能控制芯片研发，稳居国产MCU第一梯队。在家电芯片长期依赖进口、可靠性要求近乎严苛的赛道上，小华半导体始终把品质管控作为产品立身之本、市场竞争之基。从研发设计到量产交付，从芯片晶圆到封测出厂，构建全流程、全维度、高标准的品质管控体系，让每一颗出厂的MCU都经得起家电高温、高湿、强电磁复杂环境的长期考验。　　HC32F448　　空调双变频“全能芯”　　定义家电控制新高度　　本次获奖的HC32F448系列微控制器，是小华半导体专为家电变频控制打造的明星产品，更是空调双电机控制领域的标杆芯片。　　技术创新破解行业瓶颈　　基于ARM Cortex-M4内核，200MHz高主频，算力强劲，精准适配空调室外双电机+PFC协同控制。　　集成3路专用电机控制定时器，单个Timer单元可输出4对互补PWM波形，搭配死区控制，硬件关断;有效防止过流，短路，大幅提升驱动效率和系统安全。　　搭载3路12位2.5Msps高速ADC，完美满足空调外机多电机控制需求。　　内置D-bus保护机制与代码保护区，硬件级安全防护，保障控制系统稳定运行。　　高集成度降本增效　　实现“压缩机+风机+高频PFC”三合一单芯片控制，简化客户电路设计，减少外部元器件，大幅降低整机成本，已在头部家电企业大规模量产落地。　　场景全覆盖赋能全品类家电　　除空调双变频控制外，HC32F448还广泛适配洗衣机、扫地机器人等智能家电，同时覆盖移动储能、交流充电桩、工业编码器等工业场景，累计销量数千万颗，在家电领域打破国外垄断，同时满足工业高可靠性需求。　　家电MCU领跑者　　从国产替代到行业引领　　深耕家电控制芯片多年，小华半导体已形成覆盖高端变频、主控、主变一体的全场景家电 MCU产品矩阵，HC32F460、HC32F448、HC32F115、HC32F155、HC32L18x等系列产品全面覆盖空调、冰箱、洗衣机等核心家电品类。　　凭借稳定可靠的品质与成熟的变频算法方案，小华MCU在变频空调领域市占率25%，稳居国产MCU首位，助力家电企业实现核心芯片自主可控，推动中国家电产业从“中国制造”迈向“中国智造”。　　荣耀加冕再启新程　　本次HC32F448斩获CITE2026创新奖，是行业对小华半导体在家电芯片领域技术创新与市场实力的高度认可，更是国产MCU在高端家电控制领域从替代走向引领的有力证明。　　未来，小华半导体将继续依托CEC与华大半导体的强大支撑，坚守技术创新、客户导向，持续深耕家电核心场景，以更优质的芯片方案赋能家电产业升级，用一颗自主可控的“中国芯”，点亮全球智慧家庭，书写国产MCU创新发展新篇章! 　　关于小华半导体家电MCU　　小华半导体专注智能控制芯片设计，提供家电、工业、汽车、物联网、数字电源等产品线及系统级解决方案。在家电应用领域拥有成熟的变频控制算法、XHCode代码生成工具、IEC60730安全软件库等生态支持，全方位加速客户产品迭代。

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小华半导体

发布时间：2026-04-13 10:23 阅读量：682 继续阅读>>

荣湃<span style='color:red'>半导体</span>| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型

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荣湃半导体| 一文带你理解隔离通信电路的数字隔离器默认电平选型

　　随着工业控制自动化、智能化进程的不断深入，工控设备、智能终端等装置在低负载或待机状态下的功率消耗日益受到行业关注，并逐渐成为衡量产品能效水平与技术先进性的重要指标之一。在“双碳”目标及绿色制造理念的推动下，降低待机功耗不仅有助于企业节约运营成本，也是响应节能环保政策、提升产品市场竞争力的关键举措。未来，随着能效标准的日趋严格和用户对可持续性要求的提高，低待机功耗设计将成为工控与智能终端领域的重要发展趋势之一。　　为了避免数字隔离器在输入侧供电丢失时、另一侧的输出端口输出电压不确定导致通讯电路异常，数字隔离器都设计了默认电平功能，可以根据型号选定为高电平或者低电平。一般来说，当数字隔离器的输入端口电压和默认电平吻合时，数字隔离器的电流消耗最低;若输入电平和默认电平相反，数字隔离器的电流消耗就会增加。数字隔离器作为必要的通讯隔离器件，在设备待机时也必须工作、准备传输数据，必然会消耗一部分功率。通过适当的选型和增加部分外围电路器件，可以显著降低数字隔离器在通讯电路处于空闲状态时的电流消耗。本文将从UART、CAN、SPI、RS-485这几种常见的通讯协议入手，解析数字隔离器默认电平的选型方法。　　图 1 隔离式 UART 通讯电路示意图　　UART协议中规定：UART数据帧的起始位总是1位的逻辑0(即低电平)，而数据帧的结束位则是1~2个位的逻辑1(高电平)。所以，物理层的发送-接收信号线在非传输状态时需要保持为高电平，直到有信号需要传输时才切换为低电平。为了满足UART空闲时需要保持为高电平这一特性，使用数字隔离器直接隔离UART物理层的逻辑信号时，需要采用默认电平为高电平的芯片。建议选用Pai122M41-SR。　　图 2 隔离式 CAN 通讯电路示意图　　在ISO11898标准中，规定了CAN总线差分电压小于0.5V时，总线处于隐性状态;当隐性状态持续超过11位的时间长度之后，总线即为空闲。通过查阅CAN收发器的真值表可知，常见的CAN收发器，在CANH、CANL引脚均处于隐性时，TXD、RXD的电位都是高电平。在隔离式CAN通讯电路中，数字隔离器处在MCU和CAN收发器之间，所以数字隔离器的输出默认电平应和CAN收发器保持一致。所以在隔离CAN通讯电路中应选用默认电平为高电平的数字隔离器，建议使用Pai122M61-W5R。　　图 3 隔离式 SPI 通讯电路示意图　　SPI(Serial Peripheral Interface，串行外设接口)协议则更为复杂。在SPI中，决定SCK时钟信号线物理层工作方式的是时钟极性(CPOL)和时钟相位(CPHA)两个参数。CPOL参数设置为0时，时钟信号低电平为空闲状态;反之空闲状态则为高电平。CPHA参数设置为0时，在时钟信号第一个边沿采样;反之则在第二个边沿采样。这两个参数均可以被设置为0或1，所以SPI协议可以定义出四种不同的通讯模式。同时，SPI的片选(CS，Chip select)信号通常为低电平有效。可以通过下面这个表格来确定如何选择合适的数字隔离器。　　图 4 隔离式 RS-485 通讯电路示意图　　半双工模式的RS-485通信中，总线上的每个节点都需要单独控制自己节点RS-485收发器的使能端口(接收使能RE和发送使能DE)才能正确收发数据。　　通常来说，当某一节点处于空闲、不需要向外发送数据时，必须将RS-485收发器A、B总线引脚置为高阻态(即进入总线侦听模式)，避免抢占总线、干扰其他节点通信;同时，当总线处于隐性、空闲时，RS-485收发器的RXD输出信号为高电平，用于指示MCU当前总线处于空闲状态;RS-485收发器的TXD输入信号脚内部一般为上拉、默认电平为高。　　根据以上特性，在理想的情况下，用于控制RS-485收发器RE、DE引脚的信号应为默认低电平;但是用于发送、接收数据的信号应为默认高电平。如果选用默认低电平的隔离器，会导致有两个通道在通信电路空闲时也处于工作状态，增加了电路的电流消耗;若选用默认高电平的隔离器，当VMCU不上电、但是V485上电时，使能信号为高电平、485收发器会占用总线，影响总线其他节点正常收发数据，存在冲突。只需要在数字隔离器输出端口到RS-485收发器使能端口之间增加一个电位反相电路，就可以解决默认电平冲突问题。　　和图5所示的传统隔离RS-485通讯电路相比，图6所示的新电路在RE、DE控制信号线上增加了一级由上拉电阻和下拉三极管组成的反相器。当VMCU不供电、V485供电时，Pai131S71R的VOA输出为高电平，此时三极管导通、RE、DE引脚被下拉至低电平，A、B输出为高阻态;同时，VIC、VOB均为高电平，与Pai131S71R的默认电平相同。反相器电路的上拉电阻可以根据实际通讯的速率继续调大阻值、降低电流消耗。　　不同的通讯协议需要的默认电平不同，有些需要高电平、有些需要低电平。和光耦相比，数字隔离器具有高速率、低延时、低静态功耗的特点。虽然数字隔离器的默认电平相对固定，但是通过选择合适的型号、增加一些外围电路，同样可以显著降低隔离通讯电路的静态功耗，降低设备的待机电流，助力工控行业绿色化发展。

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荣湃半导体

发布时间：2026-03-26 09:59 阅读量：798 继续阅读>>

龙腾<span style='color:red'>半导体</span>推出 1200V/25A IGBT，中小功率场景再添硬核主力！

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龙腾半导体推出 1200V/25A IGBT，中小功率场景再添硬核主力！

　　在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下，中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内，实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比，成为行业客户的核心诉求。　　龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT(1200V/25A)采用新型场截止型IGBT技术，实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号，精准定位于中小功率电力电子应用场景，可充分满足该领域的性能需求。　　核心亮点　　1 低导通压降，提升系统效率　　典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃，Ic=25A)，高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V)，有效降低导通损耗。　　2 高结温能力，适应严苛工况　　最大工作结温Tvj=175℃，为高功率密度设计提供更大热余量。　　3 开关特性优化，降低电磁干扰　　优化的栅极驱动特性，显著抑制开通时的 Vge振荡，提升系统稳定性。　　4 内置快恢复二极管　　集成快速恢复反并联二极管，反向恢复时间trr典型值 371ns，反向恢复电荷Qrr为1471nC，适配高频硬开关应用。　　5 短路耐受能力　　产品拥有业界领先的短路耐受时间，具备很好的短路鲁棒性。　　典型应用　　不间断电源　　电焊机　　变流器

关键词：

龙腾

发布时间：2026-03-16 13:25 阅读量：602 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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