新品 | 内置英飞凌芯片，村田IoT无线模组实现三频通信
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新品 | 内置英飞凌芯片，村田IoT无线模组实现三频通信

　　株式会社村田制作所开发了一款小型无线模块“Type 2FY”。该模块内置英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的Wi-Fi™/Bluetooth®/ Bluetooth® Low Energy集成芯片“CYW55513”，且支持Wi-Fi 6E标准，目前，该产品已经进入量产。　　近年来随着IoT市场应用的扩大，具备无线通信功能的IoT设备不断增加。因此，无线连接的低延迟、多连接和连接稳定性等性能变得更加重要。　　鉴于此，村田基于自主研发的无线设计技术与产品加工技术，成功开发了搭载CYW55513的本产品。它不仅支持2.4GHz、5GHz、和6GHz三频Wi-Fi 6E，从而提高了网络效率，而且具备Bluetooth®功能，支持LE Audio、A2DP、HFP等，有助于实现高质量的语音通信。　　其中，LE Audio是Bluetooth®的新一代标准，可以在低功耗的前提下实现高质量音频流;A2DP是一种用于音频流的Bluetooth®配置文件;HFP是 一种用于语音通信的Bluetooth®配置文件。　　此外，本产品在设计上与村田的旧型号Type 1MW(CYW43455)引脚兼容，尺寸和后端子形状与Type 1MW相同，因此使用原有产品Type 1MW的客户不需要设计新的硬件即可进行更换。　　由于采用了专有封装技术、紧凑的设计和优化的内部组件布局，Type 2FY实现了体积小巧，同时具有高性能的无线通信功能。这种小型化使其更容易嵌入各种IoT设备，有望带来新的应用发展。　　尽管本产品基于Wi-Fi 6E标准，但考虑到成本平衡，仅限支持20MHz带宽，旨在降低成本的同时，提供Wi-Fi 6E的出众性能。　　主要规格　　综上所述，Type 2FY的推出将有助于满足新一代IoT设备的性能要求，并以符合市场需求的价格提供这些产品，推动实现更加智能的生活方式。
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发布时间：2025-05-28 13:05 阅读量：148 继续阅读>>
村田新品 | 高精度、长稳定性的农业专用CO2传感器
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村田新品 | 高精度、长稳定性的农业专用CO2传感器

　　株式会社村田制作所完成了带外壳和电缆型CO2传感器“IMG-CA0012-12”的商品化。该新产品主要用于农业温室大棚中，与环境测量设备连接，高精度且稳定地测量CO2浓度。通过与光合作用促使装置联动，有助于改进农作物的品质并提高产量。此外，通过适量、适时地注入CO2，还可提高能源效率。现已在羽咋村田制作所启动量产并供应本产品。　　在农业领域，因全球变暖导致产量减少和品质下降，以及农业从业人口减少的影响，要求增加单位面积的作物产量并提高品质。施用CO2推动作物光合作用的技术是解决此类问题的有效手段。进而，近年来随着能源价格的上涨，基于环境数据测量的CO2较高效率应用受到重视。因此，高精度、长期稳定性、不需要校准、不易发生故障的CO2传感器在光合作用推动技术中发挥着重要作用。　　本次推出的新产品配备了村田自主研发的校准曲线算法和2波长(测量用和参考用)NDIR(Non-Dispersive Infrared，非分散型红外吸收)方式的自动校准功能，不需要进行大气校准。基于此实现高精度和长期稳定性，且不需要维护。　　此外，带外壳和电缆型方便用户使用和设置。　　主要规格　　将CO2传感器安装在温室大棚中，分别用于1年种植番茄和2年种植玫瑰，并对使用后的CO2浓度特性和温度特性进行了评估，评估测量结果见下图。　　可以确认，即使在实际农业环境中长期使用，CO2浓度的误差也较小。　　在农业方面，通过设置在绿色大棚和植物工厂中准确测量二氧化碳浓度，适时地提供光合作用所需的二氧化碳，村田的CO2传感器可以为提高植物质量和产量以及能源节省做贡献。
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发布时间：2025-05-28 13:01 阅读量：151 继续阅读>>
村田：贡献于运维状态预知检测的小型振动传感器件的商品化
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村田：贡献于运维状态预知检测的小型振动传感器件的商品化

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)完成了贴片型振动传感器件“PKGM-200D-R”(以下简称“本产品”)的商品化。本产品已开始批量生产供应。　　以往FA行业实施的是计划性维护和事后维护，近年来预测性维护逐步受到关注。预测性维护使用各类传感器信息等预测可能发生故障的时间，以便事先采取措施。 因此，可以避免因设备意外停机而造成的停机损失。此外，通过事先掌握维护时间，可以避免保有的维护零件过剩。　　本产品5.0x5.0x3.5mm的小体积，可作为传感器节点，后装在机械关键部件上使用。也可内置于导轨和轴承上。此外，内置的温度传感器可以检测设备的异常发热。 搭载了村田长期积累研发的压电PZT陶瓷振动检测元件，可以不被噪声掩盖的检测出宽带宽的振动，并可以测量金属之间摩擦产生的高频成分的振动加速度(11kHz以内)。 对于旋转轴承，通过对润滑脂耗尽或轴承表面小划痕的振动数据进行FFT解析(1)，检测到与正常状态的差异，并在尽可能早的阶段预测可能发生故障的时间。　　(1)FFT解析：Fast Fourier Transform解析的简称，是指频率解析。可以诊断具备振动原因特征的频率，也可以检测微小的异常。　　主要特点　　可进行宽带宽Z轴方向的检测　　内置驱动电路路　　用于降噪的差分输出　　搭载温度传感器　　主要规格
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发布时间：2025-05-28 11:57 阅读量：162 继续阅读>>
村田：微小型0.25×0.125mm尺寸高频片状电感器 LQP01HV_02系列实现商品化
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村田：微小型0.25×0.125mm尺寸高频片状电感器 LQP01HV_02系列实现商品化

　　株式会社村田制作所(以下简称“村田”)已于2025年4月启动高频片状电感器“LQP01HV系列”(以下简称“本产品”)的量产，本产品为微小型0201尺寸(0.25×0.125mm)贴片型电感器，具有业界领先的Q特性。　　近年来，随着智能手机等小型移动设备RF电路越来越多功能和高性能，电子元件的安装数量和空间也在不断缩小。此外，随着移动设备内部电池占用面积不断增加，不得不在有限的空间内配置RF电路。因此，对于既能实现高密度集成的小型化设计，又能兼顾低损耗电路的高Q特性的产品需求日益增长。　　为此，村田基于自主研发的材料技术与新型精细加工技术，优化设计开发了本产品。该产品在0201尺寸下，实现了与现有产品0402尺寸电感器“LQP02TQ系列”相同的Q特性。相较于0402尺寸，本产品的安装面积缩小约60%。此外，0201尺寸还实现了行业领先的Q特性。　　村田今后将继续作为科技指引者，致力于高质量与小型化产品的开发，助力更加小型化和高性能的电子设备的发展与升级。　　主要特点
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发布时间：2025-05-28 11:52 阅读量：165 继续阅读>>
航顺芯片HK32C030：以“高性能内核+极致性价比”重新定义MCU标杆
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航顺芯片HK32C030：以“高性能内核+极致性价比”重新定义MCU标杆

　　航顺芯片作为国家级专精特新重点“小巨人” 、国家级重点集成电路设计企业，深圳市重大技术攻关企业、深圳市发明技术二等奖企业、福布斯/胡润全球独角兽、身披荣光。公司先后完成八轮战略融资、连续获深圳国资委深投控、深创投、顺为资本、中电科、中航，中科院国科投、海尔、方广资本等知名机构八轮数亿元战略融资，背靠深圳市国资委深投控等强大股东阵容，手握 200 余件发明专利知识产权。航顺HK32MCU在市场中乘风破浪，书写属于自己的辉煌篇章。其芯片广泛应用于汽车电子、工业与物联网、计算机与网络设备、消费电子、智能家电等领域，深受广大客户的信赖，为推动国内芯片产业发展做出了重要贡献。　　今天给大家综合介绍HK32MCU的主流型芯片选型：　　HK32C030 主流型　　航顺HK32C030系列MCU凭借其卓越性能与高性价比，成为国产MCU领域的明星产品。核心参数如下：　　内核架构：ARM Cortex-M0，主频最高64MHz，提供高效运算能力。　　存储资源：64KB Flash(含3KB Bootloader区)和10KB SRAM，支持0等待周期访问，保障数据处理流畅性。　　外设接口：3路UART、2路SPI(支持I2S复用)、2路I2C(1Mbit/s超快速模式)，满足多设备通信需求。　　模拟电路：集成12位SAR ADC(23通道，1.14MSPS)、温度传感器(-40℃~105℃)，支持精准信号采集。　　功耗管理：支持Stop模式(最低2.8μA@3.3V)、动态电压调节，显著延长电池设备续航。　　可靠性：通过HBM6500V/CDM2000V/LU800mA等级测试，适应工业级严苛环境。　　国产替代的急先锋　　在当前国际形势下，国产芯片替代成为了一种必然趋势。航顺HK32C030 作为国产芯片的优秀代表，肩负着国产替代的重任。它完全PIN TO PIN兼容S*M32F030，能够直接替换进口产品，无需修改原理图、PCB 及应用程序，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期。同时它以其高性价比、低功耗、高性能等优势，成功打破了国外芯片在某些领域的垄断地位，为国内企业提供了一个可靠的国产芯片选择。在众多应用场景中，HK32C030 都展现出了良好的性能和稳定性。例如在共享充电宝方案中，以 HK32C030 为核心设计的移动电源系统，能够精确控制充放电的电压、电流、功率等状态，并且具备过温保护、超温自动降额、过流、过压等完善保护措施，支持各种协议的快速充电以及大电流快速放电，性能稳定且价格具有竞争力，有力地推动了国产芯片在消费电子领域的替代进程。　　HK32C030 特色介绍　　高性能内核：基于ARM Cortex-M0 内核，最高主频可达64MHz，配合高达64MHz 的PLL 时钟，能够满足多种复杂应用对处理速度的要求，为设备的高效运行提供了强大的动力支持。　　丰富的存储资源：64Kbyte 的Flash 和10Kbyte 的SRAM，为程序存储和数据处理提供了充足的空间。Flash 具有数据安全保护功能，可分别设置读保护和写保护，确保了程序和数据的安全性。　　多样的外设接口：丰富的通信接口，如UART、SPI、I2C、CAN 等，最多16 个通讯通道的UART，最多4 个SPI 接口，最多3 个I2C 接口等，以及多种定时器，如16 位高级定时器、通用定时器、32 位通用定时器等，能够满足不同系统对于通信和定时功能的需求，方便与各种外部设备进行数据交换和协同工作。　　工作电压与温度范围宽：主电源VDD 为2.6V~5.5V 的工作电压范围，以及- 40°C至+105°C 的工作温度范围，使得HK32C030 能够适应各种不同的工作场景和环境条件，无论是工业环境中的高温、低温，还是消费电子设备中的不同电源供应情况，它都能稳定运行，大大提高了产品的通用性和可靠性。　　低功耗设计：具有多种低功耗模式，运行模式下1.46mA@8MHz;7.31mA@64MHz;睡眠模式下1.05mA@8MHz;671μA@32kHz;停机模式下，LDO 全速时128μA@3.3V，LDO 低功耗时2.8μA@3.3V。这对于一些依靠电池供电的便携式设备或对功耗要求严格的物联网设备来说，具有极大的吸引力，能够有效延长设备的使用寿命，降低能源消耗。　　可靠性：通过HBM6500V/CDM2000V/LU800mA等级测试，适应工业级严苛环境。　　与竞品对比的突出优势　　性能卓越：航顺HK32C030 搭载高性能内核，最高主频可达64MHz，处理复杂运算时游刃有余。其最高64MHz 的PLL 时钟，就像一个飞驰的赛车引擎，为设备运行提供澎湃动力。在与同类型竞品的对比中，HK32C030 凭借更高效的指令执行速度和更精准的数据处理能力，能够更快速地响应用户需求，为设备的高效运行提供强大支撑，在处理实时性要求较高的任务时优势尽显。　　功能丰富：HK32C030 集成了丰富多样的外设功能，与一些竞品芯片相比，它无需额外添加外部芯片或模块，就能实现复杂的功能协同。例如在工业自动化场景中，HK32C030 能轻松实现对电机的同步控制，同时采集各类传感器数据并进行实时传输，不仅降低了系统设计的复杂度和成本，还提升了系统的稳定性和可靠性，为工业设备的高效运行提供了有力保障。　　功耗出色：在低功耗设计方面，HK32C030 几乎无可挑剔。其低功耗模式下的功耗表现极为出色，停机模式下更是低至3μA@3.3V。相比竞品，它在不同工作模式下都能保持更低的功耗水平。对于依靠电池供电的便携式设备或物联网节点来说，这意味着更长的续航时间和更少的充电次数，显著提升了设备的使用便利性和用户体验。　　可靠性：具备2.6V~5.5V 的宽泛主电源VDD 工作电压范围，以及- 40°C~+105°C 的宽泛工作温度范围，这让HK32C030 能够从容应对各种复杂的工作环境。在一些极端环境下，如工业设备在高温、低温环境中的长时间稳定运行，消费电子产品在不同电源供电条件下的正常工作，HK32C030 都能以出色的稳定性和可靠性脱颖而出。通过HBM6500V/CDM2000V/LU800mA等级测试，适应工业级严苛环境。　　应用市场　　航顺 HK32C030 以其高性能、低功耗、高性价比等优势，成为国产芯片领域的杰出代表。它在消费电子、工业控制、智能家居、电力储能和汽车电子等多个关键领域展现出强大的竞争力，为各行业的智能化发展提供了可靠的芯片解决方案。未来，随着技术的不断进步和市场需求的持续增长，HK32C030 将在更广泛的领域发挥其卓越性能，助力产业创新升级，成为推动我国科技产业迈向新高度的重要力量。在科技浪潮的驱动下，芯片作为现代电子设备的核心驱动力，其重要性不言而喻。HK32C030 凭借其卓越性能与独特优势，正不断拓展应用边界，为各行业注入强劲动力。　　消费电子：在智能穿戴设备中，它能够精准监测心率、血压等健康数据，为用户提供更全面的健康管理。其低功耗特性，使得设备在长时间使用后，依然能够保持精准数据采集，为用户的健康保驾护航。　　工业控制：在电机控制中，它可以实现对电机的精准调控，支持多种电机控制算法，实现无级变速且稳定高效运转，有效降低能耗，提高生产效率。在传感器模块中，其丰富的外设接口和低功耗设计，可实现对环境参数的长期稳定监测，为工业自动化和智能化发展提供可靠的数据支持。　　智能家居：在智能开关和插座中，其低功耗设计和稳定的性能，确保设备在待机状态下的能耗极低，同时可以实现远程控制和定时功能，为用户打造便捷智能的家居生活。在智能门锁中，它能快速识别指纹和密码信息，确保开锁的快速性和安全性，为家庭安全提供坚实保障。　　电力储能：在电力监控系统中，能够实时监测电力系统的运行状态，包括电压、电流、功率等参数，及时发现并处理异常情况，确保电力系统的稳定运行。在无功补偿器等设备中，其高性能内核和快速运算能力，能快速计算并控制无功补偿，提高电力系统的功率因数，降低线路损耗，实现能源的优化配置。　　汽车电子：在车载导航系统中，它能快速处理复杂的地图数据和定位信息，为驾驶者提供准确的导航指引，同时支持多种导航算法，实现精准的路线规划。在中控显示屏中，其高性能内核和丰富的接口，可实现高清视频显示和多任务处理，为驾驶者提供丰富的车辆信息和娱乐功能。在雨刮器等汽车零部件中，其稳定的性能和抗干扰能力，确保设备在各种恶劣环境下的可靠运行，提高行车安全性。
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发布时间：2025-05-28 09:38 阅读量：166 继续阅读>>
美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能
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美光科技为Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI创新动能

　　美光科技于2025年5月27日宣布，Motorola最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。　　该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。　　美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解决方案专为Motorola Razr 60 Ultra等下一代AI设备量身打造。我们与Motorola合作，为其最新款智能手机赋能，充分展现了高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧AI全部潜力的关键作用。”　　为何存储和内存重要?　　随着智能手机AI功能的日益强大，越来越多的数据处理作业已从依赖云计算，逐渐转为直接在端侧设备执行。若要在端侧提供完整的AI体验，就需要性能更强的内存和存储，以容纳大型语言模型和不断增长的数据量。　　在美光内存和存储解决方案的助力下，Motorola Razr 60 Ultra让用户能够探索Moto AI的完整功能，享受快速、流畅的智能体验和精准的反馈。用户可以使用Moto AI提问，以专业级精准度增强照片效果，将文本转化为独特的艺术创作、虚拟人像和贴纸，聆听为每个时刻精选的音乐，并通过简洁、个性化的通知摘要了解当天的重要资讯。　　Motorola产品研发副总裁Leo Liu表示：“Motorola Razr 60 Ultra重新定义了可折叠智能手机的AI性能，让用户能够借助直观的AI功能释放创造力、掌控生活节奏，并清晰、轻松地记录生活中的美好瞬间。为了将手机个性化智能体验呈现在用户指尖，小巧的机身内需配备兼具卓越性能与能效的内存。我们与美光科技的长期合作，确保了我们能够采用针对移动端优化的解决方案，进而在我们迄今为止最强大的折叠屏手机上实现流畅的AI体验。”　　美光基于第二代 1ß(1-beta)节点的LPDDR5X内存，传输速率高达每秒9.6 Gbps ，较上一代产品，速率提升了10%。1 这一卓越性能使用户能够轻松地在应用程序间切换，并更高效地进行多任务处理，同时提供移动AI功能所需的高速数据处理能力。美光的LPDDR5X内存能够节省高达25%的功耗，2 为高能耗的AI应用提供支持，并延长续航——这是Motorola Razr 60 Ultra的一大亮点，续航超过36小时。　　在存储方面，尽管这款手机采用了紧凑的可折叠外形设计，但美光UFS 4.0解决方案为照片、电影、歌曲、应用程序和游戏提供了充足的存储空间。大容量存储功能让旗舰智能手机能够直接在设备上存储由AI分析和生成的大型数据集，无需依赖云端——从而使用户既能享受到个性化AI助手带来的便利，又能保障个人数据的安全和隐私。　　1 相较于上一代1-beta LPDDR5的8.533 Gbps的传输速率　　2 相较于上一代1-beta LPDDR5
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发布时间：2025-05-28 09:36 阅读量：168 继续阅读>>
Littelfuse：TLSM系列轻触开关为高使用率设备提供200万次长使用寿命
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Littelfuse：TLSM系列轻触开关为高使用率设备提供200万次长使用寿命

　　Littelfuse宣布推出适用于表面贴装技术(SMT)的TLSM系列轻触开关。TLSM系列的设计具有高达200万次的超长寿命，使其成为市场上最耐用的轻触开关之一，非常适合高频使用环境。其紧凑的3.45mm高度以及单刀双掷(SPDT)配置提供了更高的电路灵活性，可支持复杂多样的应用场景。　　TLSM系列采用软致动器，可提供精确的触觉反馈，以改善用户体验，尤其适用于对噪音敏感的环境。该开关的防尘防水等级为IP54，即使在恶劣的工业或户外条件下也能确保可靠性能。它支持广泛的电压范围(DC 1V-16V)和电流范围(10µA-50mA)，与各种低功耗应用兼容，可无缝集成到现代电子设计中。　　特点和优势　　使用寿命长：额定使用寿命高达200万次，远超传统轻触开关，经久耐用并减少维护;　　SPDT配置：通过两种输出选项增强电路设计灵活性，将功能扩展到标准SPST轻触开关之外;　　紧凑型多功能设计：非常适合游戏手柄、遥控器和工业控制面板等空间有限的应用;　　运行安静的软致动器：以最小噪音提供精确的触觉反馈，适用于噪音敏感环境;　　环保：IP54防护等级，在恶劣工业和户外条件下提供可靠的防尘防水性能;　　高效制造：提供卷带包装，针对自动化装配过程进行了优化。　　“TLSM系列在精准度和耐用性方面都达到了一个新的水平。”Littelfuse电子业务部工程技术开发经理Gavin Xu表示，“其紧凑的设计、超高灵敏度和长使用寿命为游戏手柄、电车控制面板、医疗设备等提供了无与伦比的可靠性。TLSM专为实现SMT无缝集成而设计，在性能和多功能性方面树立了新的标准。”　　市场和应用　　TLSM系列专为各种应用场景设计，可广泛应用于以下领域：　　工业应用：对可靠性和耐用性要求极高的控制面板、仪器仪表、机器人和电梯按钮;　　交通运输：可靠运行于车辆仪表板、控制单元、车门把手及电动车充电系统中;　　消费电子产品：增强遥控器、智能家居设备、机器人吸尘器、割草机和手持设备的用户体验;　　医疗设备：适用于便携式诊断工具、可穿戴医疗设备、手术器械和其他对精确度及可靠性要求极高的关键医疗设备。　　TLSM系列扩展了Littelfuse轻触开关产品组合，所提供的SPDT功能与更长使用寿命使KSC DCT(双回路技术)开关系列得到了补充。该产品是TLS系列的升级版，在保持紧凑外形的同时提供更强的耐用性，使其成为要求长时间稳定运行的下一代电子设备的理想选择。
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发布时间：2025-05-28 09:28 阅读量：155 继续阅读>>
高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战
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高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

　　随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。第一篇文章介绍了工作温度，包括环境温度和结温等。本文将继续介绍高结温带来的挑战。　　高结温带来的挑战　　半导体器件在较高温度下工作会降低电路性能，缩短使用寿命。对于硅基半导体而言，晶体管参数会随着温度的升高而下降，由于本征载流子密度的影响，最高极限会低于 300℃。依靠选择性掺杂的器件可能会失效或性能不佳。　　影响 IC 在高温下工作的主要技术挑战包括：　　泄漏电流增加　　MOS 晶体管阈值电压降低　　载流子迁移率降低　　提高闩锁效应(Latch-Up)敏感性　　加速损耗机制　　对封装和接合可靠性的挑战　　要设计出能够在高温下工作的 IC，了解高温下面临的挑战至关重要。下文将探讨 IC 设计面临的挑战。　　1.泄漏电流增加　　CMOS 电路中泄漏电流的增加主要是由半导体 PN 结泄漏和亚阈值沟道泄漏的增加引起的。　　▷反向偏置 PN 结泄漏　　在较高温度下，半导体中热能的增加会导致更多电子 - 空穴对的产生，从而产生更高的泄露电流。结泄漏取决于掺杂水平，通常随温度呈指数增长。根据广泛使用的经验法则，温度每升高 10℃，结电流大约增加一倍。　　二极管的泄漏电流由漂移电流和扩散电流组成：　　其中， q 为电子的基本电荷， Aj 为结面积，ni 为本征载流子浓度，W 为耗尽区宽度，τ 为有效少数载流子寿命，L 为扩散长度，N 为中性区掺杂密度。　　在中等温度下，泄漏电流主要由耗尽区中电子 - 空穴对产生的热引起。在高温下，泄漏电流主要由中性区产生的少数载流子引起。漂移电流与耗尽区宽度成正比，这意味着它与结电压的平方根成正比(在正常反向电压下)，而扩散电流与结电压无关，并且与掺杂密度 N 成反比。掺杂水平越高，在温度高于约 150°C 时扩散泄漏越少。　　泄漏电流的指数增加影响了大多数主动器件(如双极晶体管、MOS 晶体管、二极管)和一些被动器件(如扩散电容、电阻)。然而，由氧化物隔离的器件，例如多晶硅电阻、多晶硅二极管、ploy-poly 电容和 metal-metal 电容，并不受结泄漏的影响。结泄漏被认为是高温 bulk CMOS 电路中最严峻的挑战。　　▷亚阈值沟道泄漏　　MOS 晶体管关闭时，栅极 - 源极电压 VGS 通常设置为零。由于漏极至源极电压 VDS 非零，因此漏极和源极之间会有小电流流过。当 Vgs 低于阈值电压 Vt 时，即在亚阈值或弱反型区，就会发生亚阈值泄漏。该区域的漏极源极电流并不为零，而是与 Vgs 呈指数关系，主要原因是少数载流子的扩散。　　该电流在很大程度上取决于温度、工艺、晶体管尺寸和类型。短沟道晶体管的电流会增大，阈值电压较高的晶体管的电流会减小。亚阈值斜率因子 S 描述了晶体管从关断(低电流)切换到导通(高电流)的有效程度，定义为使漏极电流变化十倍所需改变的 VGS 的变化量：　　其中，n 是亚阈值斜率系数(通常约为 1.5)。对于 n = 1，斜率因子为 60mV/10 倍，这意味着每低于阈值电压 Vt 60mV，漏极电流就会减少十倍。典型的 n = 1.5 意味着电流下降速度较慢，为 90mV/10 倍。为了能够有效地关闭 MOS 晶体管并减少亚阈值泄漏，栅极电压必须降到足够低于阈值电压的水平。　　▷栅极氧化层隧穿泄露　　对于极薄的栅极氧化层(厚度低于约 3 纳米)，必须考虑隧穿泄漏电流的影响。这种电流与温度有关，由多种机制引发。Fowler-Nordheim 遂穿是在高电场作用下，电子通过氧化层形成的三角形势垒时产生。随着有效势垒高度降低，隧道电流随温度升高而增大。较高的温度也会增强 trap-assisted 隧穿现象，即电子借助氧化层中的中间陷阱态通过。对于超薄氧化层，直接隧穿变得显著，由于电子热能的增加，隧穿概率也随之上升。　　2.阈值电压降低　　MOS 晶体管的阈值电压 Vt 与温度密切相关，通常随着温度的升高而线性降低。这是由于本征载流子浓度增加、半导体禁带变窄、半导体 - 氧化物界面的表面电位的变化以及载流子迁移率降低等因素造成的。温度升高导致的阈值电压降低会引起亚阈值漏电流呈指数增长。　　3.载流子迁移率下降　　载流子迁移率直接影响 MOS 晶体管的性能，其受晶格散射与杂质散射的影响。温度升高时，晶格振动(声子)加剧，导致电荷载流子的散射更加频繁，迁移率随之下降。此外，高温还会增加本征载流子浓度，引发更多的载流子 - 载流子散射，进一步降低迁移率。当温度从 25°C 升高到 200°C 时，载流子迁移率大约会减半。　　载流子迁移率显著影响多个关键的 MOS 参数。载流子迁移率的下降会降低驱动电流，减少晶体管的开关速度和整体性能。更高的导通电阻会增加功率损耗并降低效率。较低的迁移率还会降低跨导，使亚阈值斜率变缓(增加亚阈值泄漏)，降低载流子饱和速度(对于短沟道器件至关重要)，并间接影响阈值电压。　　4.提高闩锁效应敏感性　　集成电路中各个二极管、晶体管和其他元件之间的隔离是通过反向偏置 P-N 结来实现的。在电路开发过程中，需采取预防措施以确保这些结在预期应用条件下始终可靠阻断。这些 P-N 结与其他相邻结形成 N-P-N 和 P-N-P 结构，从而产生寄生 NPN 或 PNP 晶体管，这些晶体管可能会被意外激活。　　当寄生 PNP 和 NPN 双极晶体管相互作用，在电源轨和接地之间形成低阻抗路径时，CMOS IC 中就会出现闩锁效应(Latch-up)。这会形成一个具有正反馈的可控硅整流器(SCR)，导致过大的电流流动，并可能造成永久性器件损坏。图 1 显示了标准 CMOS 逆变器的布局截面图。图中还包含寄生 NPN 和 PNP 晶体管。正常工作时，所有结均为反向偏置。图 1. 带标记的寄生双极晶体管逆变器截面图和寄生双极晶体管示意图　　闩锁效应的激活主要取决于寄生 NPN 和 PNP 晶体管的 β 值，以及 N - 阱、P - 阱和衬底电阻。随着温度的升高，双极晶体管的直流电流增益(β)以及阱和衬底的电阻也会增加。　　在高温条件下，闩锁效应灵敏度的增加也可以视为双极结型晶体管(BJT)阈值电压的降低，从而更容易在阱和衬底电阻上产生足以激活寄生双极晶体管的压降。基极 - 发射极电压随温度变化降低的幅度约为 -2mV/℃，当温度从 25℃升至 200℃时，基极 - 发射极电压降低 350mV。室温下的典型阈值电压为 0.7V，这意味着阈值电压大约减半。　　5.加速损耗机制　　Arrhenius 定律在可靠性工程中被广泛用于模拟温度对材料和元器件失效率的影响。　　其中，R( T) 是速率常数，Ea 是活化能，k 是玻尔兹曼常数(8.617 · 10−5eV/K)，T 为绝对温度(单位：开尔文)。通常，每升高10°C可靠性就会降低一半。　　▷经时击穿-TDDB　　TDDB 是电子器件中的一种失效机制，其中介电材料(例如 MOS 晶体管中的栅氧化层)由于长时间暴露于电场下而随时间退化，导致泄漏电流增加。当电压促使高能电子流动时，在氧化层内部形成导电路径，同时产生陷阱和缺陷。当这些导电路径在氧化层中造成短路时，介电层就会失效。失效时间 TF 随着温度的升高而呈指数级减少。　　▷负 / 正偏置温度不稳定性 - NBTI / PBTI　　NBTI 影响以负栅极 - 源极电压工作的 p 沟道 MOS 器件，而 PBTI 则影响处于积累区的 NMOS 晶体管。在栅极偏压下，缺陷和陷阱会增加，导致阈值电压升高，漏极电流和跨导减少。这种退化显示出对数时间依赖性和指数温度上升，在高于 125°C 时有部分恢复。　　▷电迁移　　电迁移是指导体中的金属原子因电流流动而逐渐移位，形成空隙和小丘。因此，如果金属线中形成的空隙大到足以切断金属线，就会导致开路;如果这些凸起延伸得足够长以至于在受影响的金属与相邻的另一金属之间形成桥接，则可能导致短路。电迁移会随着电流密度和温度的升高而加快，尤其是在空隙形成后，会导致电流拥挤和局部发热。金属线发生故障的概率与温度成指数关系，与电流密度成平方关系，与导线长度成线性关系。铜互连器件可承受的电流密度约为铝的五倍，同时可靠性相似。　　▷热载流子退化　　当沟道电子在 MOS 晶体管漏极附近的高电场中加速，会发生热载流子退化。在栅极氧化层中产生界面态、陷阱或空穴。它影响诸如阈值电压 VT、电流增益 β、导通电阻 RDS_ON 和亚阈值泄漏等参数。在较高温度下，平均自由程减少，降低了载流子获得的能量，使得热载流子退化在低温条件下更为显著。
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发布时间：2025-05-28 09:21 阅读量：162 继续阅读>>
新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片
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新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片

　　新洁能NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。　　产品特性　　PIN2PIN替换Infineon IR4427，Microchip TC4427　　双通道输入输出同相位　　兼容3.3V输入逻辑　　工作范围：5V~25V　　锁存保护：可承受0.5A反向电流　　驱动电流能力：　　--拉电流/灌电流=2A/2A　　SOP8封装功能框图　　推荐的应用范围　　变频水泵　　家用空调　　汽车座椅电机　　开关电源　　双通道典型应用电路双通道典型应用双通道并联典型应用　　PCB布局参考双通道PCB布局双通道并联PCB布局
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发布时间：2025-05-28 09:14 阅读量：150 继续阅读>>
上海永铭钽电容：藏在笔记本“电力心脏”中的精密艺术
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上海永铭钽电容：藏在笔记本“电力心脏”中的精密艺术

　　当你用笔记本电脑流畅剪辑 4K 视频、激战高画质 3A 游戏时，是否想过是谁在幕后默默保障电力稳定?在纤薄机身与强悍性能并存的今天，笔记本电脑正面临 “既要极致轻薄，又要澎湃动力” 的双重挑战。从电源管理到高频运行，从散热难题到空间局限，每一个环节都在考验着核心元器件的性能。　　这场幕后的指挥官，竟是一颗高度仅几毫米的钽电容。　　钽电容，作为笔记本电脑的 “电力心脏”，以其卓越的稳定性、极致的小型化和强大的环境适应性，成为解锁高性能笔记本的关键密码。　　看钽电容如何化身笔记本的“隐身超级引擎”　　上海永铭导电性高分子钽电容，用三大硬核技术重构电力系统稳定性：　　技术1：极速稳压，驯服CPU　　痛点:剪辑/游戏时负载突变引发电压抖动，画面撕裂、程序崩溃;CPU 高频运算产生"电磁污染"，干扰信号纯净度。　　永铭钽电容以低 ESR 特性实现毫秒级响应负载变化，在负载突变的瞬间精准调控电流，让每一帧渲染都获得纯净电能;与此同时，其超高耐压设计化身“电流缓冲层”，硬扛超过 50%的瞬时电流冲击，彻底终结高画质渲染时的卡顿撕裂。并且它利用超宽频滤波特性，实时消除 CPU 产生的电磁干扰，为 CPU 提供稳定、纯净的电源。　　技术2：毫米级封装，榨干主板每一寸空间　　痛点：传统电容占用面积过大，阻碍笔记本轻薄化与散热设计;　　永铭钽电容1.9mm超薄设计：比聚合物铝电容类产品体积缩小40%，轻松嵌入超极本/折叠屏设备;虽然身体小但是能扛，长期高温环境下容量衰减极小，稳定可靠。　　技术3：无惧高温　　痛点：游戏本内部温度飙升至90℃+，普通电容漏电失效引发蓝屏;　　永铭钽电容105℃高温连续运行：钽芯+高分子材料组合，耐热性能碾压传统电解电容。　　永铭钽电容，笔记本电脑的电力心脏选型推荐　　产品优势：　　低ESR：优化中高频段滤波，在负载突变时快速调节电流，可承受较大的纹波电流保障电压稳定;吸收峰值电压，减少对电路的干扰。　　超薄设计和高容量密度：在单位体积下能够实现更大电容量，满足笔记本电脑对小型化、大容量、高性能电容器的需求，使其成为更具吸引力的选择。　　自发热小和高稳定性：宽温-55℃- +105℃、低漏电流耐腐蚀型， 在游戏本等高发热场景中钽电容凭借耐高温和自愈特性，确保高温环境下参数稳定，延长设备使用寿命。　　总结　　在笔记本电脑不断向轻薄化、高性能化进化的道路上，钽电容始终以创新技术突破行业瓶颈。无论是解决高频噪声干扰，还是平衡功耗与容量的矛盾，亦或是在高温环境下坚守稳定，钽电容都展现出无可替代的优势。　　笔记本性能竞赛已进入“纳米级供电”时代。永铭钽电容重新定义电力系统的可靠性边界——让每一次渲染、每一帧游戏都稳如磐石，以 “电力心脏” 的姿态，为笔记本电脑注入源源不断的能量，驱动科技体验迈向新的高度。
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发布时间：2025-05-28 09:09 阅读量：161 继续阅读>>

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