安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 112nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 18A(Ta) |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.2 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 4615pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
数据手册: |
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