| 2N7002BKV,115 | ||
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| 产品描述：
2N7002BKV Series Dual N-Channel 60V 1.6 Ohm 350 mW 0.6nC TrenchMOS FET - SOT-666
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| 标准包装：4000 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 0.6nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 340mA |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 数据手册： |
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