| DTA115EET1G | ||
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| 产品描述：
Bias Resistor Transistors
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
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| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 100k |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 100k |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 数据手册： |
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