功率 - 最大值 | 350mW |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 56pF @ 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.6 欧姆 @ 350mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23(TO-236AB) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 360mA(Ta) |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
安装类型 | 表面贴装 |
数据手册: |
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