CSD86350Q5D
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产品描述:
son 8/Synchronous Buck NexFET™ Power Block MOSFET Half Bridge
标准包装:2500
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安装类型 表面贴装
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10.7nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A
漏源极电压(Vdss) 25V
封装/外壳 8-LDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 8-SON(5x6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1870pF @ 12.5V
功率 - 最大值 13W
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