| IPW65R041CFD | ||
|---|---|---|
|
|
||
|
||
| 产品描述：
650V,68.5A,N channel Power MOSFET
|
||
| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 3.3mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 300nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 68.5A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 41 毫欧 @ 33.1A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 8400pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 500W |
| 数据手册： |
|---|
登录之后就可发表评论
请输入下方图片中的验证码：