BSS138K
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产品描述:
N-Channel 50 V Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.4nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA(Ta)
漏源极电压(Vdss) 50V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 SOT-23
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 58pF @ 25V
功率 - 最大值 350mW
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