| SI4599DY-T1-GE3 | ||
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| 产品描述：
Dual N & P-Channel 40 V 0.0355/0.045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 20nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.8A，5.8A |
| 漏源极电压（Vdss） | 40V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 640pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 3W，3.1W |
| 数据手册： |
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