| IRFD210PBF | ||
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| 产品描述：
Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 8.2nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 600mA（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.5 欧姆 @ 360mA，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
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