CSD18531Q5A
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产品描述:
CSD18531Q5A , N沟道 MOSFET 晶体管, 134 A, Vds=60 V, 8针 SON封装
标准包装:2500
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 43nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Ta),100A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 60V
封装/外壳 8-PowerTDFN
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 8-SON(5x6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.6 毫欧 @ 22A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3840pF @ 30V
功率 - 最大值 3.1W
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