IRFH5250TRPBF
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产品描述:
Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Ta),100A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 25V
封装/外壳 8-PowerVQFN
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 PQFN(5x6)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.15 毫欧 @ 50A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7174pF @ 13V
功率 - 最大值 3.6W
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