| MSD602-RT1G | ||
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| 产品描述：
MSD602 Series 50 V 500 mA NPN General Purpose Amplifier Transistor - TO-39
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 500mA |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 600mV @ 30mA，300mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 120 @ 150mA，10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 数据手册： |
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