| FDV302P | ||
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| 产品描述：
25V, 10R, P-CH,MOSFET,SOT-23
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 0.31nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 120mA（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 25V |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 数据手册： |
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