| FDMS3660S | ||
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| 产品描述：
Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mΩ 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56
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| 标准包装：3000 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 29nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 13A，30A |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1765pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 数据手册： |
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