| SCT2080KEC | ||
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| 产品描述：
SCT2080KEC Series N-Channel 1200 V 117 mOhm 106 nC SIC Power Mosfet - TO-247
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2080pF @ 800V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 106nC @ 18V |
| 电流 - 连续漏极（Id） | （25°C 时） 40A（Tc） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 117 毫欧 @ 10A，18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大值 | 262W |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 4.4mA |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 数据手册： |
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