| RQ6E050ATTCR | ||
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| 产品描述：
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT
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| 标准包装：3000 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 27 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 20.8nC @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5A（Ta） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 940pF @ 15V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
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