RQ6E050ATTCR
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产品描述:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT
标准包装:3000
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漏源极电压(Vdss) 30V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 5A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20.8nC @ 10V
功率 - 最大值 1.25W
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TSMT6
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 940pF @ 15V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 SC-74,SOT-457
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