| TL062IDR | ||
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| 产品描述：
Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier
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| 标准包装：2500 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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| 电压 - 输入失调 | 3mV |
| 电流 - 电源 | 200µA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 压摆率 | 3.5 V/µs |
| 增益带宽积 | 1MHz |
| 放大器类型 | J-FET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 电流 - 输入偏置 | 30pA |
| 电压 - 电源，单/双（±） | 7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电路数 | 2 |
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