MJD112T4G
MJD112T4G
  • 量产中
  • DPAK-3
  • EAR99
产品描述：
MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
标准包装：2500
数据手册： --
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Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Category Discrete Semiconductor Products
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 25MHz
Power - Max 1.75W
Supplier Device Package DPAK-3
Part Status Active
Manufacturer ON Semiconductor
Family Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
Packaging Cut Tape (CT)
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