| NTD6416ANL-1G | ||
|---|---|---|
|
|
||
|
||
| 产品描述：
N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m Ω
|
||
| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 40nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 19A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 74 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 71W |
| 数据手册： |
|---|
登录之后就可发表评论
请输入下方图片中的验证码：