IXTP36N30P
IXTP36N30P
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产品描述：
Single N-Channel 300 V 110 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-220
标准包装：50
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Width: 4.83 mm
Rds On - Drain-Source Resistance: 92 mOhms
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Technology: Si
Package / Case: TO-220-3
Height: 16 mm
Vgs - Gate-Source Voltage: 30 V
Mounting Style: Through Hole
Fall Time: 28 ns
Length: 10.66 mm
Manufacturer: IXYS
Transistor Polarity: N-Channel
Channel Mode: Enhancement
Typical Turn-Off Delay Time: 97 ns
Product Category: MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 300 V
Type: PolarHT Power MOSFET
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Packaging: Tube
Qg - Gate Charge: 70 nC
Pd - Power Dissipation: 300 W
Tradename: PolarHT
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.5 V
Configuration: Single
Unit Weight: 0.081130 oz
Number of Channels: 1 Channel
Typical Turn-On Delay Time: 24 ns
Forward Transconductance - Min: 12 S
Series: IXTP36N30
Factory Pack Quantity: 50
Brand: IXYS
RoHS:  Details
Id - Continuous Drain Current: 36 A
Rise Time: 30 ns
Transistor Type: 1 N-Channel
ECCN EAR99
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