IXFH120N15P
IXFH120N15P
  • 量产中
  • ECL99
产品描述：
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
标准包装：30
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Width: 5.3 mm
Rds On - Drain-Source Resistance: 16 mOhms
Pd - Power Dissipation: 600 W
Tradename: HyperFET
Height: 21.46 mm
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Mounting Style: Through Hole
Fall Time: 26 ns
Length: 16.26 mm
Series: IXFH120N15P
Factory Pack Quantity: 30
Brand: IXYS
RoHS:  Details
Id - Continuous Drain Current: 120 A
Rise Time: 42 ns
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Packaging: Tube
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Technology: Si
Package / Case: TO-247-3
Configuration: Single
Unit Weight: 0.229281 oz
Number of Channels: 1 Channel
Typical Turn-On Delay Time: 33 ns
Manufacturer: IXYS
Transistor Polarity: N-Channel
Channel Mode: Enhancement
Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
Product Category: MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Transistor Type: 1 N-Channel
ECCN ECL99
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