IRFZ48RPBF
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产品描述：
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
标准包装：1
数据手册： --
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Width: 4.7 mm
Rds On - Drain-Source Resistance: 18 mOhms
Pd - Power Dissipation: 190 W
Package / Case: TO-220-3
Configuration: Single
Unit Weight: 0.211644 oz
Number of Channels: 1 Channel
Typical Turn-On Delay Time: 8.1 ns
Manufacturer: Vishay
Factory Pack Quantity: 1000
Brand: Vishay Semiconductors
RoHS:  Details
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Rise Time: 250 ns
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Packaging: Tube
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Technology: Si
Height: 9.01 mm
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Mounting Style: Through Hole
Fall Time: 250 ns
Length: 10.41 mm
Transistor Polarity: N-Channel
Channel Mode: Enhancement
Typical Turn-Off Delay Time: 210 ns
Product Category: MOSFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Transistor Type: 1 N-Channel
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