| FDC6506P | ||
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| 产品描述：
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1.8A; 0.96W; SuperSOT-6
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| Online Catalog | P-Channel Logic Level Gate FETs |
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| Product Training Modules | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 08/April/2008 |
| Datasheets | FDC6506P |
| PCN Packaging | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 |
| ECCN | EAR99 |
| 数据手册： |
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