| SI1442DH-T1-GE3 | ||
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| 产品描述：
SI1442DH-T1-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=12 V, 6针 SC-70封装
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 33nC @ 8V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4A（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 12V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1010pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 数据手册： |
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