| DTC114EETL | ||
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| 产品描述：
DTC114EE Series EMT-3 50 V 100 mA NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 供应商器件封装 | EMT3 |
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| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 10k |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 50mA |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） | 10k |
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