晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
---|---|
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) | 4.7k |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | EMT3 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 4.7k |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 150mW |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |