FDD6670A
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产品描述:
N-Channel 30 V 8 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 22nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Ta),66A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 TO-252-3
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1755pF @ 15V
功率 - 最大值 1.3W
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