| IRF6641TRPBF | ||
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| 产品描述：
Single N-Channel 200 V 0.051 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
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| 标准包装：1000 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 48nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4.6A（Ta），26A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 59.9 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2290pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 数据手册： |
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