| NTHD3102CT1G | ||
|---|---|---|
|
|
||
|
||
| 产品描述：
Power MOSFET
|
||
| 标准包装：3000 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
|---|---|
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 7.9nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4A，3.1A |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 数据手册： |
|---|
登录之后就可发表评论
请输入下方图片中的验证码：