| STB80NF55-06T4 | ||
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| 产品描述：
N-Channel 55 V 0.0065 Ohm Surface Mount STripFET™ II Power MosFet - D2PAK
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 漏源极电压（Vdss） | 55V |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 4400pF @ 25V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6.5 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| FET 功能 | 标准 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 80A（Tc） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 189nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
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