IXTT10P60
IXTT10P60
  • 量产中
  • TO-268
  • EAR99
产品描述:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
标准包装:1
数据手册:
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FET Feature Standard
Package / Case TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Standard Package   30
Current - Continuous Drain (Id) @ 25掳C 10A (Tc)
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250碌A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4700pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Power - Max 300W
Supplier Device Package TO-268
Gate Charge (Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Packaging   Tube  
Family FETs - Single
Mounting Type Surface Mount
ECCN EAR99
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