安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 7.6A(Ta) |
功率 - 最大值 | 1.9W |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 16.5 毫欧 @ 10A,10V |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
数据手册: |
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