SI5902BDC-T1-GE3 | ||
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产品描述:
Dual N-Channel 30 V 0.065 Ω 7 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
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标准包装:1 | ||
数据手册: -- |
功率 - 最大值 | 3.12W |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 65 毫欧 @ 3.1A,10V |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4A |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
安装类型 | 表面贴装 |
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