| SI5902BDC-T1-GE3 | ||
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| 产品描述：
Dual N-Channel 30 V 0.065 Ω 7 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 功率 - 最大值 | 3.12W |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 220pF @ 15V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 65 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 4A |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 7nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
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