| CSD16323Q3 | ||
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| 产品描述：
CSD16323Q3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=25 V, 8针 SON封装
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 8.4nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 21A（Ta），60A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 25V |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 24A，8V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1300pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 数据手册： |
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