| IRF5801TRPBF | ||
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| 产品描述：
Single N-Channel 200 V 2.2 Ohm 3.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SC-74
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 3.9nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 600mA（Ta） |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 88pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 数据手册： |
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