安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4.7A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | 8-SO |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 50 毫欧 @ 4.7A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
数据手册: |
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