| IRF8915TRPBF | ||
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| 产品描述：
Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 7.4nC @ 4.5V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8.9A |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 18.3 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 数据手册： |
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