| NGTB30N120FL2WG | ||
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| 产品描述：
ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG, N沟道 IGBT 晶体管, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3针 TO-247封装
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
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| Test Condition | 600V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间（trr） | 240ns |
| 输入类型 | 标准 |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 98ns/210ns |
| Gate Charge | 220nC |
| Switching Energy | 2.6mJ（开），700µJ（关） |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.3V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 60A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率 - 最大值 | 452W |
| 安装类型 | 通孔 |
| Current - Collector Pulsed（Icm） | 120A |
| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 数据手册： |
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