| IRFU9024PBF | ||
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| 产品描述：
Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
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| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 19nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8.8A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Packaging | Tube |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 280 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| Categories | Discrete Semiconductor Products |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Part Status | Active |
| Vgs (Max) | ±20V |
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