IRFD014PBF
IRFD014PBF
  • 量产中
  • 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • EAR99
产品描述：
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
标准包装：1
数据手册： --
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Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Part Status Active
Manufacturer Vishay Siliconix
Family Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 310pF @ 25V
ECCN EAR99
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
FET Feature Standard
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Category Discrete Semiconductor Products
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging Tube
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