NTLJD3115PT1G
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产品描述:
Dual P-Channel 20 V 100 mOhm 1.5 W Surface Mount Power MOSFET - DFN-6W
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.2nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A
漏源极电压(Vdss) 20V
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 6-WDFN(2x2)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 531pF @ 10V
功率 - 最大值 710mW
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