| SIZ300DT-T1-GE3 | ||
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| 产品描述：
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 12nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 11A，28A |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair® |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 16.7W，31W |
| 数据手册： |
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