| NDD04N50ZT4G | ||
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| 产品描述：
NDD04N50ZT4G , N沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=500 V, 3针 D-PAK封装
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： |
- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 12nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| FET 功能 | 标准 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 308pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 61W |
| 数据手册： |
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